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公开(公告)号：CN116338827A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310154620.X
申请日：2023-02-23
申请人： 国科大杭州高等研究院
摘要： 本发明公开了一种基于拓扑绝缘体的等离子体全息超表面及其构建方法。该超表面包括衬底以及设置在衬底上周期性排布的结构单元；所述结构单元由各向异性的一个或多个具有拓扑绝缘体特性的纳米砖构成。本发明利用拓扑绝缘体在可见光波段内的宽谱表面等离激元共振，避免了传统金属等离子体超表面极高的欧姆损耗，同时利用拓扑绝缘体在可见光波段内激发的表面等离激元共振和复振幅型全息图设计，实现了整个可见光波段的宽谱偏振无关的全息成像。此外，基于等离子体超表面所设计的纳米结构单元为亚波长级，具有结构简单，体积小，重量轻，集成化程度高的优点。
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公开(公告)号：CN115939229A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210307309.X
申请日：2022-03-25
申请人： 国科大杭州高等研究院
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/10 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种场操控可调的光电灵敏性探测器件、制备方法及其应用，覆盖有二氧化硅的硅衬底上通过干法转移二硫化钨纳米片，二硫化钨纳米片上制备场操控电极，两端制备源漏电极，二硫化钨纳米片用作场操控电极和两端源漏电极的光敏导电沟道，施加电压至场操控电极和源漏电极，通过非对称的电场增大光响应电流、降低暗电流。本发明提供了一种提高探测器的响应率的一种场操控可调的光电灵敏性探测器件、制备方法及其应用。
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公开(公告)号：CN114784125A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210306520.X
申请日：2022-03-25
申请人： 国科大杭州高等研究院
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/10 , H01L31/18
摘要： 本发明提供的一种非对称性诱导室温高灵敏光电探测器件及其制备方法，在覆盖氧化硅的硅衬底上转移硫化钨材料，在硫化钨材料一端上面转移石墨烯材料实现覆盖接触，在覆盖有石墨烯的硫化钨材料一端上面制备接触电极，充当器件一端的接触电极及引线电极；硫化钨材料另一端上面直接制备金属电极或者金属光栅，充当器件另一端的接触电极及引线电极。本发明提供了一种非对称性诱导室温高灵敏光电探测器件，解决常规金属WS2金属器件在均匀全光照射下没有净光响应的问题，同时保留了WS2材料原有的光电特性，使得在室温下高灵敏且多功能性的光电探测具有推广使用价值。
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公开(公告)号：CN114784128B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202210307312.1
申请日：2022-03-25
申请人： 国科大杭州高等研究院
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/10 , H01L31/18
摘要： 本发明提供的一种基于蝶形天线结构的拓扑增强型碲化锑光电探测器，其特征在于：自下而上依次设置本征高阻硅衬底、二氧化硅层和碲化锑层，在碲化锑层两端是源、漏金属电极，源、漏电极与相应的引线电极相连用于连接外部测试电路。本发明的一种基于蝶形天线结构的拓扑增强型碲化锑太赫兹光电探测器及其制备方法构造出的亚波长金属蝶形天线结构，利用入射的光子耦合到拓扑材料表面，以增强入射的电磁波与碲化锑材料的相互作用，太赫兹波引起的局部表面等离子体场的不对称散射增强探测器的源漏电流，实现了室温高灵敏的太赫兹宽谱光电探测，大幅度提高了器件在太赫兹波段探测能力与信噪比。
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公开(公告)号：CN114784125B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202210306520.X
申请日：2022-03-25
申请人： 国科大杭州高等研究院
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/10 , H01L31/18
摘要： 本发明提供的一种非对称性诱导室温高灵敏光电探测器件及其制备方法，在覆盖氧化硅的硅衬底上转移硫化钨材料，在硫化钨材料一端上面转移石墨烯材料实现覆盖接触，在覆盖有石墨烯的硫化钨材料一端上面制备接触电极，充当器件一端的接触电极及引线电极；硫化钨材料另一端上面直接制备金属电极或者金属光栅，充当器件另一端的接触电极及引线电极。本发明提供了一种非对称性诱导室温高灵敏光电探测器件，解决常规金属WS2金属器件在均匀全光照射下没有净光响应的问题，同时保留了WS2材料原有的光电特性，使得在室温下高灵敏且多功能性的光电探测具有推广使用价值。
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公开(公告)号：CN114784128A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210307312.1
申请日：2022-03-25
申请人： 国科大杭州高等研究院
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/10 , H01L31/18
摘要： 本发明提供的一种基于蝶形天线结构的拓扑增强型碲化锑光电探测器，其特征在于：自下而上依次设置本征高阻硅衬底、二氧化硅层和碲化锑层，在碲化锑层两端是源、漏金属电极，源、漏电极与相应的引线电极相连用于连接外部测试电路。本发明的一种基于蝶形天线结构的拓扑增强型碲化锑太赫兹光电探测器及其制备方法构造出的亚波长金属蝶形天线结构，利用入射的光子耦合到拓扑材料表面，以增强入射的电磁波与碲化锑材料的相互作用，太赫兹波引起的局部表面等离子体场的不对称散射增强探测器的源漏电流，实现了室温高灵敏的太赫兹宽谱光电探测，大幅度提高了器件在太赫兹波段探测能力与信噪比。
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公开(公告)号：CN217158202U
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202220674221.7
申请日：2022-03-25
申请人： 国科大杭州高等研究院
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/10 , H01L31/18
摘要： 本实用新型提供的一种基于蝶形天线结构的拓扑增强型碲化锑光电探测器，其特征在于：自下而上依次设置本征高阻硅衬底、二氧化硅层和碲化锑层，在碲化锑层两端是源、漏金属电极，源、漏电极与相应的引线电极相连用于连接外部测试电路。本实用新型的一种基于蝶形天线结构的拓扑增强型碲化锑光电探测器构造出的亚波长金属蝶形天线结构，利用入射的光子耦合到拓扑材料表面，以增强入射的电磁波与碲化锑材料的相互作用，太赫兹波引起的局部表面等离子体场的不对称散射增强探测器的源漏电流，实现了室温高灵敏的太赫兹宽谱光电探测，大幅度提高了器件在太赫兹波段探测能力与信噪比。
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公开(公告)号：CN217158200U
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202220673229.1
申请日：2022-03-25
申请人： 国科大杭州高等研究院
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/10 , H01L31/18
摘要： 本实用新型提供的一种非对称性诱导室温高灵敏光电探测器，在覆盖氧化硅的硅衬底上转移硫化钨材料，在硫化钨材料一端上面转移石墨烯材料实现覆盖接触，在覆盖有石墨烯的硫化钨材料一端上面制备接触电极，充当器件一端的接触电极及引线电极；硫化钨材料另一端上面直接制备金属电极或者金属光栅，充当器件另一端的接触电极及引线电极。本实用新型提供了一种非对称性诱导室温高灵敏光电探测器，解决常规金属WS2金属器件在均匀全光照射下没有净光响应的问题，同时保留了WS2材料原有的光电特性，使得在室温下高灵敏且多功能性的光电探测具有推广使用价值。
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