发明公开
- 专利标题: 一种基于拓扑绝缘体的等离子体全息超表面及其构建方法
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申请号: CN202310154620.X申请日: 2023-02-23
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公开(公告)号: CN116338827A公开(公告)日: 2023-06-27
- 发明人: 杨程森 , 唐伟伟 , 韩利 , 李冠海 , 陈效双
- 申请人: 国科大杭州高等研究院
- 申请人地址: 浙江省杭州市西湖区象山支弄1号
- 专利权人: 国科大杭州高等研究院
- 当前专利权人: 国科大杭州高等研究院
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市西湖区象山支弄1号
- 代理机构: 杭州知闲专利代理事务所
- 代理商 黄燕
- 主分类号: G02B1/00
- IPC分类号: G02B1/00 ; G02B5/00 ; G02B27/00
摘要:
本发明公开了一种基于拓扑绝缘体的等离子体全息超表面及其构建方法。该超表面包括衬底以及设置在衬底上周期性排布的结构单元;所述结构单元由各向异性的一个或多个具有拓扑绝缘体特性的纳米砖构成。本发明利用拓扑绝缘体在可见光波段内的宽谱表面等离激元共振,避免了传统金属等离子体超表面极高的欧姆损耗,同时利用拓扑绝缘体在可见光波段内激发的表面等离激元共振和复振幅型全息图设计,实现了整个可见光波段的宽谱偏振无关的全息成像。此外,基于等离子体超表面所设计的纳米结构单元为亚波长级,具有结构简单,体积小,重量轻,集成化程度高的优点。
IPC分类:
G | 物理 |
G02 | 光学 |
G02B | 光学元件、系统或仪器 |
G02B1/00 | 按制造材料区分的光学元件;用于光学元件的光学涂层 |