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公开(公告)号：CN118943211A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411026780.7
申请日：2024-07-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供的一种非制冷红外探测器薄膜结构，包括已经完成下电极图形化的非制冷红外探测器晶圆，所述下电极的两端形成有台阶；所述下电极上部依次沉积有高温氮化硅层以及低温氮化硅层；所述低温氮化硅层以及所述高温氮化硅层上形成有通孔，所述低温氮化硅层以及所述通孔内沉积有氧化钒层。本发明通过上述的结构，可以显著的降低氧化钒层与金属电极导通问题的发生。本发明还提供了一种非制冷红外探测器薄膜结构的制造方法，可以用于制造非制冷红外探测器薄膜结构。
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公开(公告)号：CN119284826A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411459169.3
申请日：2024-10-18
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及微机电系统领域，特别涉及一种微机电系统及其制造工艺。微机电系统具有相邻设置的图形区和切割道区，且微机电系统包括基板，以及形成于切割道区的若干对准标记和标记支撑结构。标记支撑结构支撑于基板且用于支撑至少部分对准标记。标记支撑结构包括悬浮部和多个设置于悬浮部边缘的支撑部，多个支撑部均支撑于基板的切割道区，悬浮部支撑于支撑部，且悬空于基板设置，对准标记支撑于标记支撑结构的悬浮部。通过标记支撑结构支撑上方的对应于桥腿结构的各层的各对准标记，防止对准标记散落到MEMS的结构内部，并在通过刻蚀形成对准标记时保护标记支撑结构下方的牺牲层和基板，有助于提高微机电系统的质量和寿命。
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公开(公告)号：CN119029083A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411113816.5
申请日：2024-08-14
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 一种非制冷红外探测器及其制造方法，包括：在晶圆上涂布聚酰亚胺并进行固化，完成聚酰亚胺牺牲层的制备；在包含聚酰亚胺牺牲层的晶圆上沉积第一介质层并涂布第一光阻层进行光刻、显影以及烘烤形成切割道区域的待刻蚀区域以及数据区域的待刻蚀区域；涂布第二光阻层并再次进行光刻、显影以及烘烤，以在切割道区域的待刻蚀区内形成刻蚀阻挡层，刻蚀晶圆的待刻蚀区域形成数据区域以及切割道区域的图形。本申请提供一种非制冷红外探测器及其制造方法，既维持了切割道结构的稳定性，减少加工过程中套刻量测标记结构的破损，避免无法量测套测误差的情况；又可以减少套刻量测标记深孔引起的箭影问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119330300A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411475165.4
申请日：2024-10-22
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种微悬浮结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底形成有双面介质层；刻蚀半导体衬底的上表面介质层，形成释放窗口；通过释放窗口对半导体衬底进行刻蚀，形成所需深度的硅槽；采用各向异性湿法刻蚀工艺进行刻蚀，形成介质层微悬浮结构。本申请提供一种微悬浮结构的制造方法，刻蚀半导体衬底形成一定深度的硅槽后再采用各向异性湿法刻蚀工艺进行刻蚀，在衬底上形成盲腔的同时可有效缩小器件尺寸，降低了空腔释放对释放窗口尺寸和形状的要求，形成小释放窗口的悬浮薄膜结构，进一步降低空腔制造对键合工艺的依赖性。
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公开(公告)号：CN119133195A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411183213.2
申请日：2024-08-26
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请提供一种探测器的像元结构及其制造方法，像元结构包括：第一绝缘层1；形成在第一绝缘层1表面的第二绝缘层2，第二绝缘层2具有开口；形成在所述第一绝缘层1表面的两个电极3，各所述电极3至少部分地位于所述开口内，并且，在开口内，各电极3表面不被所述第二绝缘层2覆盖；以及形成在所述第一绝缘层1表面的电阻层4，所述电阻层4与所述开口内的各所述电极3都接触。在该像元结构中，在电阻层下方的区域内，电极的表面不被绝缘层覆盖，也不会形成绝缘层的台阶，由此，不会产生由于电阻层下方区域内绝缘层的台阶破损所造成的漏电风险，避免了电阻层的有效电阻长度的缩短，所以，能够抑制探测器生成的景物图像中的白点现象。
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公开(公告)号：CN118883988A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410904700.7
申请日：2024-07-08
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种干涉型FP腔光机加速度传感器，包括依次键合在一起的顶盖层、功能层以及底盖层晶圆；所述顶盖层内表面以及底盖层上表面均开设有相同形状的凹槽，且顶盖层凹槽与底盖层凹槽接合，形成一个具有一定体积的空腔；所述功能层放置在所述空腔内，所述功能层包括悬臂梁以及与悬臂梁连接的质量块；所述顶盖层的内表面以及所述质量块的上表面均设置有分布布拉格式高反膜。本发明还提供了一种干涉型FP腔光机加速度传感器的制造方法，通过分别制作顶盖层、功能层以及底盖层，且完成顶盖层、功能层以及底盖层的制作后，将三片晶圆顺序键合，垂直集成在一起形成一个加速度传感器。本发明提供的加速度传感器，具有制造方便制程简易的优点。
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公开(公告)号：CN118579722A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410667950.3
申请日：2024-05-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供的一种非制冷红外探测器制造工艺，包括如下步骤：步骤一：在沉积非制冷红外探测器桥腿薄膜的晶圆上进行BARC涂布，在BARC涂布层上方涂覆一层光阻层；步骤二：对包含BARC涂布层以及光阻层的晶圆进行光刻，光刻区域为桥腿非保留区域，光刻后进行显影去除桥腿非保留区域的光阻层；步骤三：对桥腿非保留区域的BARC涂布层以及所述薄膜进行刻蚀，得到含有光阻层以及BARC涂布层的桥腿区域；步骤四：去除桥腿区域上的光阻层以及BARC涂布层。本发明在保证桥腿刻蚀后，桥腿结构完整的同时，还能够有效的去除在桥腿结构加工过程中残留的光阻层以及BARC涂布层。
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公开(公告)号：CN222800178U
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202421743888.3
申请日：2024-07-23
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种芯片化红外光谱仪，包括读出集成电路晶圆、微型辐射热计阵列和表面增强红外纳米天线吸收器阵列；所述微型辐射热计阵列由若干个微型辐射热计构成，微型辐射热计阵列设置在读出集成电路晶圆表面；所述表面增强红外纳米天线吸收器阵列由相同数量的表面增强红外纳米天线吸收器构成，所述表面增强红外纳米天线吸收器对应设置在每一个微型辐射热计表面；所述表面增强红外纳米天线吸收器为金属‑介质‑金属三层结构的等离激元结构。本实用新型将表面增强红外纳米天线吸收器直接形成在微型辐射热计的表面，最大程度减小了两者之间的距离，缩小了单元的尺寸，降低了入射光在红外探测器上的串扰，实现了更高的光谱分辨率并降低封装成本。
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