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公开(公告)号：CN119133195A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411183213.2
申请日：2024-08-26
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请提供一种探测器的像元结构及其制造方法，像元结构包括：第一绝缘层1；形成在第一绝缘层1表面的第二绝缘层2，第二绝缘层2具有开口；形成在所述第一绝缘层1表面的两个电极3，各所述电极3至少部分地位于所述开口内，并且，在开口内，各电极3表面不被所述第二绝缘层2覆盖；以及形成在所述第一绝缘层1表面的电阻层4，所述电阻层4与所述开口内的各所述电极3都接触。在该像元结构中，在电阻层下方的区域内，电极的表面不被绝缘层覆盖，也不会形成绝缘层的台阶，由此，不会产生由于电阻层下方区域内绝缘层的台阶破损所造成的漏电风险，避免了电阻层的有效电阻长度的缩短，所以，能够抑制探测器生成的景物图像中的白点现象。
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