公开(公告)号：CN112014922A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201910464620.3

申请日：2019-05-30

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王诗男 ,  武震宇

IPC: G02B6/10 ,  G02B6/122 ,  G01N21/64

Abstract: 本申请提供一种光波导结构及其制造方法，所述光波导结构具有：形成于金刚石晶体中的折射率调制区域，所述折射率调制区域的折射率不同于所述金刚石晶体的折射率；以及形成于所述金刚石晶体中的非折射率调制区域，所述非折射率调制区域的折射率与所述金刚石晶体的折射率相同，所述金刚石晶体中至少一个荧光点缺陷中心位于所述光波导结构中，所述光波导结构将所述至少一个荧光点缺陷中心发出的光引导到所述金刚石晶体的表面。本申请的光波导结构能够使金刚石晶体中点缺陷中心发出的光子的检测变得容易、高效，同时使检测系统小型化，并且，该光波导结构的制造方法简单，加工的自由度高，并且制造成本较低。

公开(公告)号：CN119008515A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202310582508.6

申请日：2023-05-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 武震宇 ,  曾淑文 ,  苏泳全 ,  刘艺晨

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L21/3213 ,  B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明提供一种具有TSV结构的半导体结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一包括相对设置的顶面及底面的晶圆，晶圆中设有多个在水平方向上间隔排列且自晶圆的顶面开口并向晶圆的底面方向延伸的孔状结构；形成覆盖晶圆的顶面及孔状结构的内壁的导电层；形成金属层于导电层表面，金属层包括填充于孔状结构中的导电柱及位于导电柱上方并与导电柱连接的金属薄膜；进行电解腐蚀以去除金属薄膜；去除导电层位于孔状结构以外的部分。该制作方法能够获得高良率高质量的具有TSV结构的半导体结构，并且工艺速率高、工艺条件简单且成本低廉，易于产能拓展。该半导体结构性能相对优良且能够实现大规模低成本生产。

公开(公告)号：CN117747533A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202211124801.X

申请日：2022-09-15

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 曾淑文 ,  王诗男 ,  彭鑫林 ,  武震宇

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/304

Abstract: 本申请提供一种基板的制造方法，所述方法包括：将第一基板的第一主面的边缘减薄，所述减薄的厚度为第一厚度(t1)；将所述第一基板的第一主面与第二基板的第一主面进行键合；以及对所述第一基板的第二主面进行减薄，使所述第一基板剩余第二厚度(t2)，其中，所述第一厚度大于或等于所述第二厚度。根据本申请，在将基板进行键合前，对基板的键合表面的边缘进行预定厚度的切边处理，因此，切边处理的厚度小于整个基板的厚度，处理的时间较短，处理难度较小。

公开(公告)号：CN222800178U

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202421743888.3

申请日：2024-07-23

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 乔启峰 ,  李胜利 ,  孙倩颖 ,  朱兴旺 ,  武震宇

IPC: G01J1/02 ,  G01J1/04 ,  G01J1/44

Abstract: 本实用新型提供一种芯片化红外光谱仪，包括读出集成电路晶圆、微型辐射热计阵列和表面增强红外纳米天线吸收器阵列；所述微型辐射热计阵列由若干个微型辐射热计构成，微型辐射热计阵列设置在读出集成电路晶圆表面；所述表面增强红外纳米天线吸收器阵列由相同数量的表面增强红外纳米天线吸收器构成，所述表面增强红外纳米天线吸收器对应设置在每一个微型辐射热计表面；所述表面增强红外纳米天线吸收器为金属‑介质‑金属三层结构的等离激元结构。本实用新型将表面增强红外纳米天线吸收器直接形成在微型辐射热计的表面，最大程度减小了两者之间的距离，缩小了单元的尺寸，降低了入射光在红外探测器上的串扰，实现了更高的光谱分辨率并降低封装成本。