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公开(公告)号：CN112014922A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910464620.3
申请日：2019-05-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种光波导结构及其制造方法，所述光波导结构具有：形成于金刚石晶体中的折射率调制区域，所述折射率调制区域的折射率不同于所述金刚石晶体的折射率；以及形成于所述金刚石晶体中的非折射率调制区域，所述非折射率调制区域的折射率与所述金刚石晶体的折射率相同，所述金刚石晶体中至少一个荧光点缺陷中心位于所述光波导结构中，所述光波导结构将所述至少一个荧光点缺陷中心发出的光引导到所述金刚石晶体的表面。本申请的光波导结构能够使金刚石晶体中点缺陷中心发出的光子的检测变得容易、高效，同时使检测系统小型化，并且，该光波导结构的制造方法简单，加工的自由度高，并且制造成本较低。
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公开(公告)号：CN119008515A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202310582508.6
申请日：2023-05-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , H01L21/3213 , B81C1/00 , B81B7/00 , B81B7/02
Abstract: 本发明提供一种具有TSV结构的半导体结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一包括相对设置的顶面及底面的晶圆，晶圆中设有多个在水平方向上间隔排列且自晶圆的顶面开口并向晶圆的底面方向延伸的孔状结构；形成覆盖晶圆的顶面及孔状结构的内壁的导电层；形成金属层于导电层表面，金属层包括填充于孔状结构中的导电柱及位于导电柱上方并与导电柱连接的金属薄膜；进行电解腐蚀以去除金属薄膜；去除导电层位于孔状结构以外的部分。该制作方法能够获得高良率高质量的具有TSV结构的半导体结构，并且工艺速率高、工艺条件简单且成本低廉，易于产能拓展。该半导体结构性能相对优良且能够实现大规模低成本生产。
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公开(公告)号：CN119191686B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411307983.3
申请日：2024-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种球形玻璃结构的制备方法，通过在浅凹槽中添加呈片状的固体释气剂薄片，利用该固体释气剂薄片在升温时释放出的气体驱动玻璃片热成型，形成了晶圆级的球形玻璃结构。该方法工艺流程简单，操作便捷，可精确定量，确保了球形玻璃结构的一致性，特别适合于大规模工业化生产。同时，本发明不仅可以精确控制固体释气剂薄片的质量，灵活调整其中释气剂粉末的含量，制备出所需尺寸的球形玻璃结构，而且能够获得与原始抛光的玻璃片相近或者更低粗糙度的球形玻璃结构。此外，本发明的球形玻璃结构的制备方法具有生产成本低，可靠性高，环境污染小等优点，符合当前大规模生产对于高效、低耗、环保的严格要求，以及超净室的高清洁度标准。
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公开(公告)号：CN119108343A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411246205.8
申请日：2024-09-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一半导体衬底，衬底包括相对设置的顶面和底面；自所述顶面至底面方向，在所述衬底中形成环形凹槽，位于所述环形凹槽中间为所述衬底形成的低阻硅柱；对所述环形凹槽进行第一填充：提供第一填充液，将所述第一填充液填充在所述环形凹槽内；将所述第一填充液进行固化以形成第一绝缘层；对所述环形凹槽进行第二填充：提供第二填充物，将所述第二填充物填充在形成第一绝缘层的所述环形凹槽内。该制作方法能够获得可靠性和完整性更好的具有低阻硅TSV结构的半导体，并且工艺简单，适用于不同规模的生产环境。
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公开(公告)号：CN117129738A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311095115.9
申请日：2023-08-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种量子电流传感器及电流测量方法，包括：钻石NV传感芯片、聚磁环、激光源、光电转换模块、微波调制解调模块以及磁通调控模块；聚磁环带有一开口用以感应被测导线的磁通；钻石NV传感芯片用以检测开口处的磁通；激光源用于产生预设波长的激光信号并输出到钻石NV传感芯片；光电转换模块接收反射的荧光信号，并将荧光信号转为电信号传输至微波调制解调模块最终得到解调电压；磁通调控模块基于解调电压得到加载到磁通检测模块的反向磁通，用以维持开口处的磁通。本发明提供了反向磁通从而使得NV色心处感应的磁场一直处于较小的范围内，避免了钻石NV色心难以在大电流磁场下进行检测这一问题，有效拓宽了钻石NV色心测量电流的动态范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116779207A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210226292.5
申请日：2022-03-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G21K3/00
Abstract: 本发明提供一种聚酰亚胺薄膜被动滤光器件及其制备方法，该制备方法包括：提供半导体基底，并于半导体基底的正面依次形成介质层及聚酰亚胺薄膜层；于聚酰亚胺薄膜层上形成阻挡层；于阻挡层上形成第一图形化的光刻胶层，得到薄膜外轮廓的光刻图形；基于第一图形化的光刻胶层依次刻蚀阻挡层、聚酰亚胺薄膜层及介质层；于半导体基底的背面形成第二图形化的光刻胶层，得到薄膜内轮廓的光刻图形；基于第二图形化的光刻胶层采用深反应离子刻蚀工艺刻蚀半导体基底，形成刻蚀窗口；基于刻蚀窗口，采用干法刻蚀工艺去除介质层，得到聚酰亚胺薄膜被动滤光器件。采用该制备方法可有效提高聚酰亚胺薄膜的性能。
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公开(公告)号：CN115376906A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211139534.3
申请日：2022-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/306 , H01L21/308 , H01L41/187 , H01L41/332 , H01L41/39
Abstract: 本发明提供一种锆钛酸铅薄膜湿法刻蚀方法，采用第一腐蚀液及第二腐蚀液，分别针对锆钛酸铅薄膜中的不同组元进行两步刻蚀，各步骤之间相对独立，易于操作控制不同组元的刻蚀速率，在提高刻蚀速率的同时，保证不同组元刻蚀速率的平衡；其中，将F‑的使用全部控制在采用第一腐蚀液的第一刻蚀中，在保证刻蚀效果的同时最大限度降低由F‑带来的侧侵蚀问题和对光刻胶的消耗问题，该湿法刻蚀方法有高精度的图形转移能力，侧侵蚀比小于1:1，为锆钛酸铅薄膜在MEMS领域的使用提供了一种有效的加工方法。本发明可提供高良率和高质量的图形化锆钛酸铅薄膜，能够满足MEMS制造中对锆钛酸铅薄膜图形化的工艺要求，设备及工艺条件简单，易于产能拓展。
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公开(公告)号：CN110970363A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910470048.1
申请日：2019-05-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/78 , H01L21/762 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种异质集成单晶钻石薄膜的制备方法，至少包括：提供一钻石衬底，对钻石衬底上表面进行离子注入，在预设深度处形成缺陷层，并将缺陷层之上的钻石衬底设为衬底薄层；于衬底薄层表面生长同质外延钻石薄膜层；于钻石薄膜层表面形成第一键合介质层；提供一异质衬底，于异质衬底上表面形成第二键合介质层；将第一键合介质层与第二键合介质层进行键合，形成键合结构；沿缺陷层剥离键合结构，形成异质结构；对异质结构的剥离面进行表面处理，去除残留的缺陷层及衬底薄层。本发明通过离子注入与键合工艺，将同质外延的单晶钻石薄膜集成于异质衬底上，得到大面积、高质量的钻石薄膜，为光子、量子传感器件应用提供一个先进的材料平台。
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公开(公告)号：CN119805732A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202410018925.2
申请日：2024-01-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种光噪声抑制器、制作方法及应用，该光噪声抑制器包括基底、压电驱动结构和顶盖，基底中设置有垂向贯穿基底的避空空间，避空空间中设置有光栅结构，光栅结构与基底通过悬臂梁结构连接；压电驱动结构位于悬臂梁结构上方，压电驱动结构包括自下而上层叠的底电极金属层、压电薄膜层和顶电极金属层；顶盖位于基底上方与基底键合连接，顶盖的下表面设有反射层，反射层在基底上的投影覆盖光栅结构，其中，于压电驱动结构施加电压后能够带动悬臂梁结构发生形变，进而改变光栅结构与顶盖之间的距离。本发明中通过电压驱动能够精准调控光栅结构和反射层之间的间距，可对参考光强进行调控和实时监测，具有全自动化和高精度的优势。
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公开(公告)号：CN119533640A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411704805.4
申请日：2024-11-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01H11/08
Abstract: 本发明提供一种压电振动传感器模组，压电振动传感器模组包括阻尼基板盖板和阻尼基板底座、质量块、压电悬梁臂、固定框架、电荷(电压)放大器；其中，质量块通过压电悬梁臂悬空在阻尼基板盖板和阻尼基板底座之间，通过质量块的接收外界振动信号，带动压电悬梁臂的振动，产生压电感应信号，形成竖向的压电振动传感器模组，实现了竖向的止挡功能，提升了压电振动传感器模组的抗冲击能力；同时采用多个开口模组单元叠加并与阻尼基板底座结合，叠加多个压电感应信号，通过电荷(电压)放大器实现信号的放大，成倍的提升了压电振动传感器模组的灵敏度和可靠性，降低了工艺复杂度，节约了流片成本。
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