公开(公告)号：CN119224999A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411349929.5

申请日：2024-09-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 武震宇 ,  汪洋 ,  张家昌 ,  李安娜 ,  张程

IPC: G02B26/08 ,  B81B7/02

Abstract: 本申请提供一种抑制MEMS微镜串扰的方法。由于MEMS微镜的串扰来源于机械耦合引起的高频谐振，因此本申请抑制MEMS微镜串扰的方法包括抑制MEMS微镜的高频机械谐振的步骤；抑制MEMS微镜高频谐振的方式可以通过增大第一致动器与第二致动器之间的谐振频率差，从而有效抑制双轴之间的串扰，且不以牺牲双轴的偏转角度为代价，保证MEMS微镜在各个轴向上的偏转性能；抑制MEMS微镜的高频机械谐振的方式还可以通过对激励信号进行滤波，有效滤除激励信号中的高频信号分量，减少高频谐振对MEMS微镜控制的干扰，提升MEMS微镜的控制精度。

公开(公告)号：CN118471818A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410677678.7

申请日：2024-05-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郑理 ,  冯竣虹 ,  程新红 ,  张程 ,  曾嘉毓

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/04 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种改善SiC VDMOS导通电阻的方法，通过控制JFET区离子注入的能量实现不同深度的JFET区掺杂，得到埋层注入JFET区的SiC VDMOS器件。本发明得到的器件栅氧化层中的最大电场得到有效降低，埋层注入JFET区的设计有助于扩展电流，提高电流密度，导通电阻得到有效降低，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN119533640A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411704805.4

申请日：2024-11-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 武震宇 ,  汪洋 ,  李安娜 ,  张程 ,  张家昌

IPC: G01H11/08

Abstract: 本发明提供一种压电振动传感器模组，压电振动传感器模组包括阻尼基板盖板和阻尼基板底座、质量块、压电悬梁臂、固定框架、电荷(电压)放大器；其中，质量块通过压电悬梁臂悬空在阻尼基板盖板和阻尼基板底座之间，通过质量块的接收外界振动信号，带动压电悬梁臂的振动，产生压电感应信号，形成竖向的压电振动传感器模组，实现了竖向的止挡功能，提升了压电振动传感器模组的抗冲击能力；同时采用多个开口模组单元叠加并与阻尼基板底座结合，叠加多个压电感应信号，通过电荷(电压)放大器实现信号的放大，成倍的提升了压电振动传感器模组的灵敏度和可靠性，降低了工艺复杂度，节约了流片成本。

公开(公告)号：CN119291919A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411349875.2

申请日：2024-09-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 武震宇 ,  汪洋 ,  张程 ,  李安娜 ,  张家昌

IPC: G02B26/08 ,  G01B11/26 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本申请提供一种MEMS微镜加固结构。该MEMS微镜加固结构包括支撑座和设置于支撑座上表面的框架，框架为敞口设置的中空结构；在第一方向上，镜面依次通过第一弹性结构、第一致动器悬臂与框架连接；在第二方向上，镜面依次通过第二弹性结构、第二致动器悬臂与框架连接；支撑座的上表面设置止挡器，且止挡器位于镜面正下方。通过设置止挡器，可以限制MEMS微镜在第三方向的大幅度位移，避免大量程振动和冲击造成的机械损坏。