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公开(公告)号：CN116936460A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310935417.6
申请日：2023-07-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种硅基绝缘体上玻璃衬底结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一第一晶圆，所述第一晶圆的上表层设有第一键合层；提供一第二晶圆，所述第二晶圆的下表层设有第二键合层；将所述第一键合层的上表面与所述第二键合层的下表面进行键合，键合后，所述第一键合层与所述第二键合层构成的叠层结构中至少包括第一截止层、第二截止层。本发明通过硅基绝缘体上玻璃衬底结构的制作方法制作得到的硅基绝缘体上玻璃衬底结构，采用所述第一截止层、所述第二截止层构成的双截止层结构作为所述硅基绝缘体上玻璃衬底结构的刻蚀截止层，解决了硅玻璃键合晶圆图形化时无法获得高质量平整的玻璃界面的问题。
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公开(公告)号：CN119191686A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411307983.3
申请日：2024-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种球形玻璃结构的制备方法，通过在浅凹槽中添加呈片状的固体释气剂薄片，利用该固体释气剂薄片在升温时释放出的气体驱动玻璃片热成型，形成了晶圆级的球形玻璃结构。该方法工艺流程简单，操作便捷，可精确定量，确保了球形玻璃结构的一致性，特别适合于大规模工业化生产。同时，本发明不仅可以精确控制固体释气剂薄片的质量，灵活调整其中释气剂粉末的含量，制备出所需尺寸的球形玻璃结构，而且能够获得与原始抛光的玻璃片相近或者更低粗糙度的球形玻璃结构。此外，本发明的球形玻璃结构的制备方法具有生产成本低，可靠性高，环境污染小等优点，符合当前大规模生产对于高效、低耗、环保的严格要求，以及超净室的高清洁度标准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119008515A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202310582508.6
申请日：2023-05-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , H01L21/3213 , B81C1/00 , B81B7/00 , B81B7/02
Abstract: 本发明提供一种具有TSV结构的半导体结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一包括相对设置的顶面及底面的晶圆，晶圆中设有多个在水平方向上间隔排列且自晶圆的顶面开口并向晶圆的底面方向延伸的孔状结构；形成覆盖晶圆的顶面及孔状结构的内壁的导电层；形成金属层于导电层表面，金属层包括填充于孔状结构中的导电柱及位于导电柱上方并与导电柱连接的金属薄膜；进行电解腐蚀以去除金属薄膜；去除导电层位于孔状结构以外的部分。该制作方法能够获得高良率高质量的具有TSV结构的半导体结构，并且工艺速率高、工艺条件简单且成本低廉，易于产能拓展。该半导体结构性能相对优良且能够实现大规模低成本生产。
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公开(公告)号：CN116093050A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211104825.9
申请日：2022-09-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体基底结构及器件，包括衬底、导电柱、横向绝缘层和竖向绝缘层，通过导电柱可以实现垂直电学导通，通过横向绝缘层及竖向绝缘层可实现电学绝缘；本发明的半导体基底结构可实现3D互联，具有工艺兼容性强、设计灵活、适于高温工艺等优点，可作为集成电路器件的基底结构，以实现电路元件结构间的隔离、减少晶体管间或引线间的寄生电容，增强器件的抗辐照能力；也可用于MEMS器件的设计，实现器件的电学引出，简化器件的封装结构，增强器件的阵列化能力；亦可用于例如CMOS‑MEMS单片集成器件，提高器件集成度、减少IC电路和MEMS器件之间的串扰，提高衬底利用率。
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公开(公告)号：CN119191686B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411307983.3
申请日：2024-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种球形玻璃结构的制备方法，通过在浅凹槽中添加呈片状的固体释气剂薄片，利用该固体释气剂薄片在升温时释放出的气体驱动玻璃片热成型，形成了晶圆级的球形玻璃结构。该方法工艺流程简单，操作便捷，可精确定量，确保了球形玻璃结构的一致性，特别适合于大规模工业化生产。同时，本发明不仅可以精确控制固体释气剂薄片的质量，灵活调整其中释气剂粉末的含量，制备出所需尺寸的球形玻璃结构，而且能够获得与原始抛光的玻璃片相近或者更低粗糙度的球形玻璃结构。此外，本发明的球形玻璃结构的制备方法具有生产成本低，可靠性高，环境污染小等优点，符合当前大规模生产对于高效、低耗、环保的严格要求，以及超净室的高清洁度标准。
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公开(公告)号：CN119108343A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411246205.8
申请日：2024-09-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一半导体衬底，衬底包括相对设置的顶面和底面；自所述顶面至底面方向，在所述衬底中形成环形凹槽，位于所述环形凹槽中间为所述衬底形成的低阻硅柱；对所述环形凹槽进行第一填充：提供第一填充液，将所述第一填充液填充在所述环形凹槽内；将所述第一填充液进行固化以形成第一绝缘层；对所述环形凹槽进行第二填充：提供第二填充物，将所述第二填充物填充在形成第一绝缘层的所述环形凹槽内。该制作方法能够获得可靠性和完整性更好的具有低阻硅TSV结构的半导体，并且工艺简单，适用于不同规模的生产环境。
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公开(公告)号：CN115376906A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211139534.3
申请日：2022-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/306 , H01L21/308 , H01L41/187 , H01L41/332 , H01L41/39
Abstract: 本发明提供一种锆钛酸铅薄膜湿法刻蚀方法，采用第一腐蚀液及第二腐蚀液，分别针对锆钛酸铅薄膜中的不同组元进行两步刻蚀，各步骤之间相对独立，易于操作控制不同组元的刻蚀速率，在提高刻蚀速率的同时，保证不同组元刻蚀速率的平衡；其中，将F‑的使用全部控制在采用第一腐蚀液的第一刻蚀中，在保证刻蚀效果的同时最大限度降低由F‑带来的侧侵蚀问题和对光刻胶的消耗问题，该湿法刻蚀方法有高精度的图形转移能力，侧侵蚀比小于1:1，为锆钛酸铅薄膜在MEMS领域的使用提供了一种有效的加工方法。本发明可提供高良率和高质量的图形化锆钛酸铅薄膜，能够满足MEMS制造中对锆钛酸铅薄膜图形化的工艺要求，设备及工艺条件简单，易于产能拓展。
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