公开(公告)号：CN119008515A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202310582508.6

申请日：2023-05-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 武震宇 ,  曾淑文 ,  苏泳全 ,  刘艺晨

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L21/3213 ,  B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明提供一种具有TSV结构的半导体结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一包括相对设置的顶面及底面的晶圆，晶圆中设有多个在水平方向上间隔排列且自晶圆的顶面开口并向晶圆的底面方向延伸的孔状结构；形成覆盖晶圆的顶面及孔状结构的内壁的导电层；形成金属层于导电层表面，金属层包括填充于孔状结构中的导电柱及位于导电柱上方并与导电柱连接的金属薄膜；进行电解腐蚀以去除金属薄膜；去除导电层位于孔状结构以外的部分。该制作方法能够获得高良率高质量的具有TSV结构的半导体结构，并且工艺速率高、工艺条件简单且成本低廉，易于产能拓展。该半导体结构性能相对优良且能够实现大规模低成本生产。

公开(公告)号：CN117747533A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202211124801.X

申请日：2022-09-15

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 曾淑文 ,  王诗男 ,  彭鑫林 ,  武震宇

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/304

Abstract: 本申请提供一种基板的制造方法，所述方法包括：将第一基板的第一主面的边缘减薄，所述减薄的厚度为第一厚度(t1)；将所述第一基板的第一主面与第二基板的第一主面进行键合；以及对所述第一基板的第二主面进行减薄，使所述第一基板剩余第二厚度(t2)，其中，所述第一厚度大于或等于所述第二厚度。根据本申请，在将基板进行键合前，对基板的键合表面的边缘进行预定厚度的切边处理，因此，切边处理的厚度小于整个基板的厚度，处理的时间较短，处理难度较小。