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公开(公告)号：CN119108343A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411246205.8
申请日：2024-09-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一半导体衬底，衬底包括相对设置的顶面和底面；自所述顶面至底面方向，在所述衬底中形成环形凹槽，位于所述环形凹槽中间为所述衬底形成的低阻硅柱；对所述环形凹槽进行第一填充：提供第一填充液，将所述第一填充液填充在所述环形凹槽内；将所述第一填充液进行固化以形成第一绝缘层；对所述环形凹槽进行第二填充：提供第二填充物，将所述第二填充物填充在形成第一绝缘层的所述环形凹槽内。该制作方法能够获得可靠性和完整性更好的具有低阻硅TSV结构的半导体，并且工艺简单，适用于不同规模的生产环境。
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