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公开(公告)号：CN119208127A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411296977.2
申请日：2024-09-14
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Inventor： 陈朔
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底；形成于所述衬底背面的第一材料层；第一开口，其形成于所述衬底的表面，并贯穿所述衬底的表面和背面，所述第一材料层从所述第一开口露出；以及第二开口，其形成于所述衬底的表面，与所述第一开口之间有第一距离，所述第二开口的面积小于所述第一开口的面积。本申请中，由于第二开口的纵向刻蚀速度低于第一开口的纵向刻蚀速度，因此，刻蚀用的反应气体被第二开口内的材料所消耗，能够避免刻蚀用的反应气体对第一开口进行横向刻蚀从而形成缺口，从而提高半导体器件的良率和可靠性。
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公开(公告)号：CN116022727A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202111256809.7
申请日：2021-10-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种吸气剂薄膜结构的制造方法，包括步骤：在基板的一个主面上方形成第一吸气剂薄层，在第一吸气剂薄层中形成间隔排布的多个沟槽，以形成图形吸气剂薄层；在沟槽内填充图形牺牲层，并在图形牺牲层及图形吸气剂薄膜上形成第二吸气剂薄层；去除图形牺牲层以在图形吸气剂薄层的面内方向形成孔隙，孔隙在图形吸气剂薄层的侧面具有开口。本发明通过在薄膜面内方向的空隙形成吸气剂薄膜的横向通道，可以有增加吸气剂薄膜的比表面积，使其吸气能力和速度得到大大提高。该吸气剂薄膜结构可以具有足够的机械强度，使用性得到保证。对比普通吸气剂薄膜，本发明可以用较少的吸气剂达到同样的吸气效果，从而降低器件整体的成本。
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公开(公告)号：CN116022726A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202111254980.4
申请日：2021-10-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种复合吸气剂薄膜结构的制造方法，包括步骤：在基板的一个主面上方形成吸气剂薄层，在吸气剂薄层中形成间隔排布的多个沟槽，以形成图形吸气剂薄层；在沟槽内填充图形牺牲层；重复步骤以形成N个图形吸气剂薄层和N‑1个图形牺牲层，其中N≥2；N个图形吸气剂薄层中，至少有两个含不同的吸气剂材料的图形吸气剂薄层；去除N‑1个图形牺牲层以在图形吸气剂薄层的面内方向形成孔隙，孔隙在图形吸气剂薄层的侧面具有开口。本发明可以有效增加吸气剂薄膜的比表面积，使其吸气能力和速度得到大大提高。本发明可以在一个复合吸气剂薄膜结构中，导入两种以上的吸气剂材料，可以对应多种气体的吸附，同时节省空间，降低成本。
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公开(公告)号：CN116022719A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202111256795.9
申请日：2021-10-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种吸气剂薄膜结构，包括：吸气剂薄层及在吸气剂薄层的面内方向延伸的多个连续的孔隙；孔隙在吸气剂薄层的侧面具有开口。本发明通过在薄膜面内方向的空隙形成吸气剂薄膜的横向通道，可以有增加吸气剂薄膜的比表面积，使其吸气能力和速度得到大大提高。该吸气剂薄膜结构可以具有足够的机械强度，使用性得到保证。对比普通吸气剂薄膜，本发明可以用较少的吸气剂达到同样的吸气效果，从而降低器件整体的成本。
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公开(公告)号：CN119181636A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411330466.8
申请日：2024-09-24
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种刻蚀小尺寸复合膜层结构的制造方法，包括：S1.提供一硅衬底，所述硅衬底的表面形成有第一介质层；S2.将所述硅衬底置于同一刻蚀设备的深硅刻蚀腔体中；S3.采用第一刻蚀工艺对所述第一介质层进行刻蚀，形成贯穿至硅衬底的第一通孔，刻蚀过程中产生的聚合物自然沉积在所述第一通孔的侧壁及底部，形成初步的保护层；S4.采用博世刻蚀工艺对位于所述第一通孔下方的硅衬底进行刻蚀，所述博世刻蚀工艺循环执行钝化沉积工艺和第二刻蚀工艺，直至形成贯穿的硅通孔。通过在同一刻蚀设备内连续进行刻蚀，在形成第一通孔的过程中，刻蚀产生的聚合物在通孔侧壁和底部沉积，形成初步的保护层，有助于保护通孔的侧壁，防止在刻蚀硅衬底时发生钻蚀现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116072522A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111283841.4
申请日：2021-11-01
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于晶圆级封装的共晶键合方法，所述共晶键合方法包括步骤：提供一第一晶圆，于所述第一晶圆上形成第一叠层，所述第一叠层包括含有第一金属的层和含有第二金属的层，所述第一金属与所述第二金属相比具有更强的抗氧化性；提供一第二晶圆，于所述第二晶圆上形成第二叠层，所述第二叠层包括设置于其表层的含有所述第一金属的层；以及使所述第一金属与所述第二金属之间发生共晶键合，以形成所述第一金属和所述第二金属组成的共晶键合层，其中所述第一金属与所述第二金属的质量分数之比为两者在共晶点处的质量比。本发明可减轻共晶键合工艺中氧化膜的形成，可以提高键合结构的质量，有利于实现键合工艺和结果的可控性。
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公开(公告)号：CN119330300A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411475165.4
申请日：2024-10-22
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种微悬浮结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底形成有双面介质层；刻蚀半导体衬底的上表面介质层，形成释放窗口；通过释放窗口对半导体衬底进行刻蚀，形成所需深度的硅槽；采用各向异性湿法刻蚀工艺进行刻蚀，形成介质层微悬浮结构。本申请提供一种微悬浮结构的制造方法，刻蚀半导体衬底形成一定深度的硅槽后再采用各向异性湿法刻蚀工艺进行刻蚀，在衬底上形成盲腔的同时可有效缩小器件尺寸，降低了空腔释放对释放窗口尺寸和形状的要求，形成小释放窗口的悬浮薄膜结构，进一步降低空腔制造对键合工艺的依赖性。
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公开(公告)号：CN117534030A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202210922761.7
申请日：2022-08-02
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种在基板上形成悬空的微细结构的方法：在所述基板的一个主面上形成凹部；在所述凹部中形成牺牲层结构；在所述牺牲层结构上方形成微细结构，以及使所述牺牲层结构部分暴露的通道；通过所述通道去除所述牺牲层结构从而露出所述凹部；通过所述通道对所述凹部进行刻蚀进而形成更深的空腔，并使所述微细结构悬空。由此，能够同时满足较小的钻蚀、可控的空腔深度以及较大的空腔面积的要求。
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公开(公告)号：CN117446741A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210845397.9
申请日：2022-07-18
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种具有微型加热器的薄膜吸气剂结构及其制造方法，包括：在基板的第一主面一侧形成有一个或两个以上热子以及在所述热子表面形成有吸气剂薄膜，其中，所述热子包括：第一绝缘薄膜，在第一绝缘薄膜上表面形成的薄膜电阻，以及覆盖所述薄膜电阻的第二绝缘薄膜；所述基板和所述第一绝缘薄膜中形成有贯穿所述基板和所述第一绝缘薄膜的导电柱，所述薄膜电阻的两端与所述导电柱连接，所述基板的第二主面形成有与所述导电柱连接的电极，以将所述薄膜电阻电性引出。所述基板的所述第一主面一侧具有多孔结构，所述热子的承载所述吸气剂薄膜的部分位于所述多孔结构上方，所述热子的承载所述吸气剂薄膜的部分通过连接部支撑于所述多孔结构周围的主面。
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公开(公告)号：CN117276187A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210666856.7
申请日：2022-06-13
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供一种半导体基板中硅通孔的制作方法，包括：形成从所述半导体基板的第二主面贯穿至第一主面的复数个通孔沟槽，每一通孔沟槽位于所述半导体基板的第一主面上的端部被相应的通孔底部电极覆盖；在所述通孔沟槽内邻近开口处的侧壁形成辅助电极；通过所述电镀电极在所述通孔沟槽中电镀金属插塞。本发明将通孔底部电极通过电极连线连接到电镀电极，向电镀电极施加一电压以所述通孔底部电极为第一种子层在所述通孔沟槽中电镀金属插塞，并且在电镀的后阶段进一步利用位于通孔沟槽开口附近的内侧壁的辅助电极作为第二种子层，既实现了自底部向上的填充模式，又加快了电镀的速率，提高了硅通孔的填充质量，降低硅通孔的制造难度。
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