公开(公告)号：CN119008515A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202310582508.6

申请日：2023-05-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 武震宇 ,  曾淑文 ,  苏泳全 ,  刘艺晨

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L21/3213 ,  B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明提供一种具有TSV结构的半导体结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一包括相对设置的顶面及底面的晶圆，晶圆中设有多个在水平方向上间隔排列且自晶圆的顶面开口并向晶圆的底面方向延伸的孔状结构；形成覆盖晶圆的顶面及孔状结构的内壁的导电层；形成金属层于导电层表面，金属层包括填充于孔状结构中的导电柱及位于导电柱上方并与导电柱连接的金属薄膜；进行电解腐蚀以去除金属薄膜；去除导电层位于孔状结构以外的部分。该制作方法能够获得高良率高质量的具有TSV结构的半导体结构，并且工艺速率高、工艺条件简单且成本低廉，易于产能拓展。该半导体结构性能相对优良且能够实现大规模低成本生产。

公开(公告)号：CN119181636A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202411330466.8

申请日：2024-09-24

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 陈朔 ,  苏泳全

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种刻蚀小尺寸复合膜层结构的制造方法，包括：S1.提供一硅衬底，所述硅衬底的表面形成有第一介质层；S2.将所述硅衬底置于同一刻蚀设备的深硅刻蚀腔体中；S3.采用第一刻蚀工艺对所述第一介质层进行刻蚀，形成贯穿至硅衬底的第一通孔，刻蚀过程中产生的聚合物自然沉积在所述第一通孔的侧壁及底部，形成初步的保护层；S4.采用博世刻蚀工艺对位于所述第一通孔下方的硅衬底进行刻蚀，所述博世刻蚀工艺循环执行钝化沉积工艺和第二刻蚀工艺，直至形成贯穿的硅通孔。通过在同一刻蚀设备内连续进行刻蚀，在形成第一通孔的过程中，刻蚀产生的聚合物在通孔侧壁和底部沉积，形成初步的保护层，有助于保护通孔的侧壁，防止在刻蚀硅衬底时发生钻蚀现象。