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公开(公告)号：CN115598870A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110776036.9
申请日：2021-07-08
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司(CN)
IPC: G02F1/035
Abstract: 本申请提供一种电光调制器及其制造方法，该电光调制器包括：多模干涉波导；输入波导；输出波导；第一相移波导；第一光反射结构；第二相移波导；第二光反射结构；平板区；覆盖层；以及电极，其设置于所述覆盖层表面，并贯穿所述覆盖层与所述平板区电接触，其中，所述第一相移波导和所述第二相移波导中的至少一者包括：两个以上的直线延伸部，各所述直线延伸部与所述第一方向平行，并且，在所述基板的横向上，两个以上的所述直线延伸部沿与所述第一方向垂直的第二方向分布；以及连接部，其连接所述第二方向上相邻的两个直线延伸部的端部。本申请能够降低电光调制器的尺寸，并且提高电光调制器的带宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115407531A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110586101.1
申请日：2021-05-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种硅基电光调制器的光波导掺杂结构，光波导掺杂结构包括：光波导脊及位于光波导脊两侧的第一导电类型平板区及第二导电类型平板区，光波导脊包括与第一导电类型平板区相连的第一导电类型掺杂区及与第二导电类型平板区相连的第二导电类型掺杂区，第一导电类型掺杂区及第二导电类型掺杂区的界面形成PN结，第一导电类型掺杂区为呈多个自第一导电类型平板区朝第二导电类型平板区凸起的掺杂结构，多个掺杂结构呈周期分布。本发明利用新型的光波导掺杂方式，可以提高PN结长度，增大光场与PN结接触面积，使得在一定波导长度下，PN结总长度明显增加，可以有效提高调制器的调制效率，从而缩短调制器尺寸，在硅光集成领域存在诸多潜在的应用。
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公开(公告)号：CN115144976A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110342095.5
申请日：2021-03-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于大尺寸发光端面激光器与单模硅波导间的耦合结构及其制作方法，耦合结构包括：直波导；锥形波导，锥形波导的输入端连接于直波导；单模硅波导，连接于锥形波导的输出端；直波导与锥形波导包括交替层叠的二氧化硅层及氮化硅层，交替层叠的次数为2次以上，单模硅波导包括插入至锥形波导中的第一硅波导段以及凸出于锥形波导的第二硅波导段，第一硅波导段被锥形波导最下层的二氧化硅层包裹。本发明可以用于实现大尺寸差下激光器/波导与波导间的光耦合，具有耦合效率高，传输损耗小，结构简单，便于加工等优点，在硅光集成领域存在诸多潜在的应用。
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公开(公告)号：CN117631334A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210993738.7
申请日：2022-08-18
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种集总型电光调制器及其制备方法，集总型电光调制器包括：第一光波导结构，包括第一光波导，其包括第一输入/输出端以及第一反射端；第二光波导结构，包括第二光波导，其包括第二输入/输出端以及第二反射端，第二光波导结构中设置有电光调制器，用于产生电光效应并根据电光效应对第二光波导结构的光波产生相应的调制效果；电学结构，包括连接于电光调制器的第一输入端和第二输入端，用于向电光调制器施加电信号，第一输入端连接有电感结构，用于降低电光调制器两端因电信号频率造成的电压变化。本发明具有器件尺寸小集成度高的优点，同时串联电感的设计提高了器件的高频性能，在高速光互连光通讯领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN214586291U
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202121168608.7
申请日：2021-05-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种硅基电光调制器的光波导掺杂结构，包括：光波导脊及位于光波导脊两侧的第一导电类型平板区及第二导电类型平板区，光波导脊包括与第一导电类型平板区相连的第一导电类型掺杂区及与第二导电类型平板区相连的第二导电类型掺杂区，第一导电类型掺杂区及第二导电类型掺杂区的界面形成PN结，第一导电类型掺杂区为呈多个自第一导电类型平板区朝第二导电类型平板区凸起的掺杂结构，多个掺杂结构呈周期分布。本实用新型利用新型的光波导掺杂方式，可以提高PN结长度，增大光场与PN结接触面积，使得在一定波导长度下，PN结总长度明显增加，可以有效提高调制器的调制效率，从而缩短调制器尺寸，在硅光集成领域存在诸多潜在的应用。
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公开(公告)号：CN214845911U
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202120650362.0
申请日：2021-03-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种用于激光器与单模硅波导间的耦合结构，耦合结构包括：直波导；锥形波导，锥形波导的输入端连接于直波导；单模硅波导，连接于锥形波导的输出端；直波导与锥形波导包括交替层叠的二氧化硅层及氮化硅层，交替层叠的次数为2次以上，单模硅波导包括插入至锥形波导中的第一硅波导段以及凸出于锥形波导的第二硅波导段，第一硅波导段被锥形波导最下层的二氧化硅层包裹。本实用新型可以用于实现大尺寸差下激光器/波导与波导间的光耦合，具有耦合效率高，传输损耗小，结构简单，便于加工等优点，在硅光集成领域存在诸多潜在的应用。
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