公开(公告)号：CN116153851A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202111392291.X

申请日：2021-11-19

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 陈东石 ,  涂芝娟 ,  蔡艳 ,  汪巍 ,  余明斌

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种非对称大深宽比沟槽的填充方法及半导体器件的制备方法，包括：1)于硅基底中刻蚀出非对称深沟槽；2)形成硬掩膜层，进行第一热氧化工艺，生成第一氧化硅层；3)形成多晶硅层，多晶硅层在非对称深沟槽开口上方形成第一封口；4)刻蚀多晶硅层，形开口；5)进行第二热氧化工艺，在多晶硅层氧化形成第二氧化硅层的过程中，基于体积变化将开口封闭形成第二封口，从而控制第二氧化硅层所包围的孔隙的封口高度。本发明仅需采用传统的多晶硅沉积工艺结合多晶硅热氧化工艺便可有效对非对称大深宽比沟槽填充并控制孔隙的顶部封口位置，解决了用更先进设备也无法解决的非对称大深宽比硅沟槽填充问题，同时大大降低了填充成本。

公开(公告)号：CN116153850A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202111392254.9

申请日：2021-11-19

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 陈东石 ,  涂芝娟 ,  蔡艳 ,  汪巍 ,  余明斌

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种非对称大深宽比沟槽的填充方法，包括：1)于基底形成非对称深沟槽；2)第一次沉积第一隔离介质层，随着第一隔离介质层的生长，非对称深沟槽开口上方逐渐封闭形成第一封口；3)腐蚀第一隔离介质层，直至将第一封口打开，形成具有一宽度的开口；4)第二次沉积第二隔离介质层，第二隔离介质层在非对称深沟槽开口上方逐渐封闭形成第二封口，第二封口的高度低于第一封口的高度；5)重复进行步骤3)和步骤4)，以将最终的封口高度降低至目标高度。本发明仅需采用传统的隔离介质层沉积和腐蚀工艺技术便可有效控制孔隙的顶部封口位置，解决了用更先进设备也无法解决的非对称大深宽比硅沟槽填充问题，同时大大降低了填充成本。

公开(公告)号：CN117637461A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202210995884.3

申请日：2022-08-18

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 陈东石

IPC: H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种半导体结构的研磨方法及硅光器件的制备方法，通过对第一类硅台面上的二氧化硅岛进行刻蚀，以去除第一类硅台面上的部分二氧化硅岛，第二类硅台面上的二氧化硅岛及二氧化硅填充层由抗刻蚀层覆盖而不被刻蚀，从而提高宽度较大的二氧化硅岛的研磨去除速度，使其与宽度较小的二氧化硅岛的研磨去除速度相近，不会发生窄硅岛上的二氧化硅岛被过早研磨去除导致窄硅岛被过分研磨而造成损伤的问题，采用化学机械研磨方法进行二氧化硅层的研磨，形成硅衬底和二氧化硅层共面的结构。本发明可以采用通用研磨液及填充方法，解决窄硅岛在化学机械研磨中顶部硅损伤的问题，可以广泛应用于硅光子技术。

公开(公告)号：CN118050852A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202211429315.9

申请日：2022-11-15

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 余巨峰 ,  陈东石

IPC: G02B6/136 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明提供一种具有通孔的硅光芯片结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一半导体层，半导体包括基底层及位于基底层上的波导层，波导层包括在水平方向上依次排列且间隔设置的第一波导、第二波导及第三波导；形成包层于基底层上，包层覆盖波导层；形成间隔设置的第一通孔及第二通孔于包层中，第一通孔显露第一波导的一侧面，第二通孔显露第二波导的顶面与两侧面，并显露第三波导的顶面及两侧面。本发明采用光刻刻蚀、干法刻蚀及湿法刻蚀的组合刻蚀方法去除第一波导、第二波导及第三波导周围的预设区域的包层介质以形成通孔，在刻蚀过程中能够避免增大波导的表面粗糙度，降低波导的传输损耗，从而提高器件的性能。

公开(公告)号：CN116169023A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202111404497.X

申请日：2021-11-24

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 陈东石 ,  涂芝娟 ,  蔡艳 ,  汪巍 ,  余明斌

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/3205

Abstract: 本发明提供一种台阶金属结构及硅光子器件的制备方法，包括：1)在基底上形成台阶结构；2)于台阶结构上沉积隔离介质层；3)沉积金属层，顶面金属的厚度大于侧壁金属的厚度；4)于金属层上形成图形阻挡层；5)干法刻蚀显露的顶面金属的第二部分，使顶面金属的第二部分与侧壁金属的第二部分的厚度概呈相等；6)采用各项同性刻蚀工艺去除显露的顶面金属的第二部分和侧壁金属的第二部分。本发明采用金属干法刻蚀和各向同性刻蚀工艺技术组合，通过进一步调整金属干法刻蚀和各向同性刻蚀的刻蚀厚度比例，可以使台阶结构顶面的断面位置的金属层横向腐蚀更小，金属层的横向腐蚀尺寸更可控。