公开(公告)号：CN118050852A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202211429315.9

申请日：2022-11-15

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 余巨峰 ,  陈东石

IPC: G02B6/136 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明提供一种具有通孔的硅光芯片结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一半导体层，半导体包括基底层及位于基底层上的波导层，波导层包括在水平方向上依次排列且间隔设置的第一波导、第二波导及第三波导；形成包层于基底层上，包层覆盖波导层；形成间隔设置的第一通孔及第二通孔于包层中，第一通孔显露第一波导的一侧面，第二通孔显露第二波导的顶面与两侧面，并显露第三波导的顶面及两侧面。本发明采用光刻刻蚀、干法刻蚀及湿法刻蚀的组合刻蚀方法去除第一波导、第二波导及第三波导周围的预设区域的包层介质以形成通孔，在刻蚀过程中能够避免增大波导的表面粗糙度，降低波导的传输损耗，从而提高器件的性能。

公开(公告)号：CN118053735A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202211429312.5

申请日：2022-11-15

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 余巨峰 ,  李轶 ,  杜晓阳

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种基于LPCVD生长厚氮化硅膜的方法及厚氮化硅膜结构，包括步骤：提供一衬底；采用LPCVD法形成第一氮化硅层于衬底上；形成贯穿第一氮化硅层的第一划片槽以将第一氮化硅层划分为多个间隔设置的第一氮化硅块；采用LPCVD法形成第N氮化硅层，N大于1，第N氮化硅层覆盖第N‑1氮化硅层并填充进第一划片槽中；形成在垂直方向上对准第一划片槽并贯穿第N氮化硅层的第N划片槽以将第N氮化硅层划分为多个间隔设置的第N氮化硅块；厚氮化硅膜包括层叠的N层氮化硅块且厚度大于4000埃。本发明的制作方法将形成的氮化硅膜分割成独立区域，能够有效释放氮化硅膜的应力，避免氮化硅膜因厚度过大而产生裂纹，影响器件性能。