公开(公告)号：CN118053735A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202211429312.5

申请日：2022-11-15

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 余巨峰 ,  李轶 ,  杜晓阳

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种基于LPCVD生长厚氮化硅膜的方法及厚氮化硅膜结构，包括步骤：提供一衬底；采用LPCVD法形成第一氮化硅层于衬底上；形成贯穿第一氮化硅层的第一划片槽以将第一氮化硅层划分为多个间隔设置的第一氮化硅块；采用LPCVD法形成第N氮化硅层，N大于1，第N氮化硅层覆盖第N‑1氮化硅层并填充进第一划片槽中；形成在垂直方向上对准第一划片槽并贯穿第N氮化硅层的第N划片槽以将第N氮化硅层划分为多个间隔设置的第N氮化硅块；厚氮化硅膜包括层叠的N层氮化硅块且厚度大于4000埃。本发明的制作方法将形成的氮化硅膜分割成独立区域，能够有效释放氮化硅膜的应力，避免氮化硅膜因厚度过大而产生裂纹，影响器件性能。

公开(公告)号：CN118050851A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202211399970.4

申请日：2022-11-09

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 李晨 ,  李轶 ,  蔡艳 ,  汪巍

IPC: G02B6/136 ,  G02B6/13

Abstract: 本发明提供一种硅波导的制作方法，包括：提供一半导体衬底，于半导体衬底上形成包层；刻蚀包层的预设位置，以形成显露半导体衬底的凹槽；于凹槽中形成硅波导芯层，硅波导芯层的顶端凸出于包层的上表面；采用化学机械研磨法去除硅波导芯层凸出于包层上表面的部分。本发明的硅波导的制作方法中，先于半导体衬底上形成包层，然后刻蚀包层形成凹槽，于凹槽中填充硅波导芯层，相比于现有技术中先形成硅波导芯层，再形成包层，能够减小工艺的复杂性，降低工艺难度，提高效率，利于小尺寸图形的硅波导芯层的制作；并且，硅波导芯层的顶端凸出于包层的上表面，利于凹槽的充分填充及整面硅的填充均匀性。