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公开(公告)号：CN112699995A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011572359.8
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种基于半导体光放大器的光学激活装置，包括：光功率分束器，用于接收光信号，并能够将所述光信号分束为第一光信号和第二光信号输出；光电探测器，用于接收所述第一光信号并将所述第一光信号转换成电信号输出；电放大器，用于接收所述电信号，并将所述电信号进行功率放大，形成放大电信号且输出；半导体光放大器，用于接收所述放大电信号及所述第二光信号，使得半导体光放大器在所述放大电信号的作用下实现对第二光信号的传送、放大或截断。
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公开(公告)号：CN112383363A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011185027.4
申请日：2020-10-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于混频技术的大带宽相控阵接收装置，包括：光频梳发生器、第一波分复用器、调制器阵列、天线阵列、微波本振源、直流源、N：1光耦合器、色散器、光功率放大器、第二波分复用器及光电探测器阵列。该装置在保证降低装置结构复杂度的情况下，采用电光调制器通过载波抑制双边带调制实现了微波信号与本振信号的光域混频，并通过色散器引入的色散使得最后输出的变频信号具有延时的效果。
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公开(公告)号：CN110336611B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201910669103.X
申请日：2019-07-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04B10/2513 , H04B10/54
Abstract: 本发明公开了一种基于光纤色散效应的镜像干扰抑制混频器，包括：一个分布式反馈激光器，一个双平行马赫曾德尔调制器，一个光功率放大器，一段单模光纤，一个光电探测器，三个直流源，一个参考信号源，一个功率衰减器，和一个超宽带天线。本发明中，只需通过调整三个直流源，就能够同时实现镜像干扰的抑制和补偿长距离光纤传输带来的功率周期性耗散。本发明中的混频器结构脱离了对移相器或者正交耦合器的依赖，避免了由于相位不精确引起的镜像抑制性能减弱问题，而且，结构简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN110380788B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201910634536.1
申请日：2019-07-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04B10/60 , H04B10/079 , G01S7/40
Abstract: 一种基于微分技术的频率测量装置，包括窄线宽激光器、相位调制器、功率控制器、超宽带天线、功率分束器、光耦合器、可调光延迟线、光功率放大器和平衡探测器。频率与功率未知的微波信号，经过超宽带天线的接收，进入到功率控制器。光信号进入相位调制器后，被超宽带天线接收的射频信号调制，受调制之后的光信号通过光功率放大器进行功率放大，之后通过功率分束器分成两路，其中一路接可调光延迟线，之后与2×2光耦合器的一个输入端相连，另一路直接与2×2光耦合器的另一个输入端相连，最后，将两路耦合之后的光信号同时连接平衡探测器。通过记录光电转换得到的信号功率，就能得到相对应的频率值，从而达到频率测量的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110995340A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911239871.8
申请日：2019-12-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04B10/079 , H04B10/50 , H04B10/54 , H04B10/69
Abstract: 本公开提供一种基于双平行马赫曾德尔调制器的多频信号测量设备，包括：激光器，用于提供光信号；待测信号接收端，接收待测信号并放大；参考微波信号源，用于提供参考微波信号；直流源，用于提供直流偏置电压，包括相互独立的第一直流源、第二直流源、以及第三直流源；双平行马赫曾德尔调制器，分别与激光器、待测信号接收端、直流源、以及参考微波信号源相连，用于实现对光信号进行调制生成调制光信号；双平行马赫曾德尔调制器包括主调制器、第一子调制器、以及第二子调制器；光功率放大器，与所述双平行马赫曾德尔调制器相连，用于对调制光信号功率进行放大；以及光电探测器，与所述光功率放大器相连，用于实现光电转换，输出可测功率电信号。
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公开(公告)号：CN110380788A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910634536.1
申请日：2019-07-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04B10/60 , H04B10/079 , G01S7/40
Abstract: 一种基于微分技术的频率测量装置，包括窄线宽激光器、相位调制器、功率控制器、超宽带天线、功率分束器、光耦合器、可调光延迟线、光功率放大器和平衡探测器。频率与功率未知的微波信号，经过超宽带天线的接收，进入到功率控制器。光信号进入相位调制器后，被超宽带天线接收的射频信号调制，受调制之后的光信号通过光功率放大器进行功率放大，之后通过功率分束器分成两路，其中一路接可调光延迟线，之后与2×2光耦合器的一个输入端相连，另一路直接与2×2光耦合器的另一个输入端相连，最后，将两路耦合之后的光信号同时连接平衡探测器。通过记录光电转换得到的信号功率，就能得到相对应的频率值，从而达到频率测量的目的。
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公开(公告)号：CN1979980A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200510126328.9
申请日：2005-12-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S3/098
Abstract: 一种光纤激光器被动锁模用半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；一多量子阱，采用低温生长技术将多对应变补偿的量子阱制作在布拉格反射镜上，该多量子阱包括多对应变补偿的单量子阱，每对应变补偿的单量子阱包括：下垒层、补偿层、吸收区和上垒层，该多量子阱起光吸收和光生载流子弛豫的作用。
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公开(公告)号：CN1901301A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200510012236.8
申请日：2005-07-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种高注入效率大功率808nm量子阱半导体激光器结构，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一N型下限制层，该N型下限制层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下限制层上；一量子阱层，该量子阱层制作在下波导层上；一上波导层，该上波导层制作在量子阱层上；一P型上限制层，该P型上限制层制作在上波导层上；一过渡层，该过渡层制作在P型上限制层上；一电极接触层，该电极接触层制作在过渡层上，形成大功率808nm量子阱半导体激光器。
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公开(公告)号：CN1877935A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200510011897.9
申请日：2005-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明属于半导体光电器件(尤其激光器)制作技术领域，特别是一种适合于大批量生产的激光器COD消除方法，涉及到一种光非吸收窗口的制作工艺技术，该工艺源于锌杂质扩散诱导量子阱加速混杂原理。根据量子阱混杂原理，利用锌原子在III－V族半导体化合物的扩散诱导III族元素或V族元素互扩，从而产生量子阱混杂现象；本发明详细说明了实现光非吸收窗口制作的工艺步骤、技术条件，并提出了一种新颖的扩锌法——恒定源开管扩锌法。本发明适合于各种大功率半导体激光器的制作工艺，并能显著提高半导体激光器的输出光功率。
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