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公开(公告)号：CN101635430A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200810117072.9
申请日：2008-07-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S3/0941 , G02B6/00 , H01S3/067
Abstract: 一种叠层LD光纤光导椎泵浦光纤激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：采用光学微加工工艺在石英或特种玻璃材料上加工制作光导椎，该光导椎为条状的六面体，其纵向一端的断面为斜向，且制作有光纤凹槽，纵向另一端的断面为bar条面；步骤2：在光导椎的光纤凹槽上依次并排固接有多个包层光纤；步骤3：在最外侧的包层光纤的外侧粘接一铜片；步骤4：在铜片上镀高反射率金膜；步骤5：将条状六面体的光导椎除光纤凹槽和bar条面外，其余四面全部镀高反射率金膜。
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公开(公告)号：CN1917313A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200510090639.4
申请日：2005-08-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种大功率980nm量子阱半导体激光器半无铝结构，其特征在于，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上，为N－镓砷材料；一N型下限制层，该N型下限制层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下限制层上；一量子阱层，该量子阱层制作在下波导层上；一上波导层，该上波导层制作在量子阱层上；一P型上限制层，该P型上限制层制作在上波导层上；一过渡层，该过渡层制作在P型上限制层上；一电极接触层，该电极接触层制作在过渡层上，形成量子阱半导体激光器半无铝结构。
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公开(公告)号：CN1707882A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200410047946.X
申请日：2004-06-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种表面高反型半导体可饱和吸收镜，其特征在于，其中包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；一量子阱，该量子阱制作在布拉格反射镜上，起光吸收和光生载流子弛豫的作用；一高反膜，该高反膜制作在量子阱上，采用介质材料作为膜层，于可以降低调制深度、减少非饱和损耗。
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公开(公告)号：CN1705175A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200410046063.7
申请日：2004-06-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种表面态驰豫区的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；一吸收区，该吸收区制作在布拉格反射镜上，采用常温生长的吸收区，非饱和损耗较小；一盖层，该盖层制作在吸收区上，该盖层与空气间高密度的表面态是载流子驰豫的通道。
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公开(公告)号：CN101150153A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200610126997.0
申请日：2006-09-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种一微米波长THz辐射发射芯片，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；多量子阱，采用低温生长技术将多对应变补偿的量子阱制作在布拉格反射镜上，该多量子阱包括多对应变补偿的单量子阱，该多量子阱起光吸收和光生载流子弛豫的作用；一对Ti－Au电极，该电极为带状电极，该Ti－Au电极制作在多量子阱上，该Ti－Au电极通电后起电流偏置，增强THz辐射的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1979980A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200510126328.9
申请日：2005-12-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S3/098
Abstract: 一种光纤激光器被动锁模用半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；一多量子阱，采用低温生长技术将多对应变补偿的量子阱制作在布拉格反射镜上，该多量子阱包括多对应变补偿的单量子阱，每对应变补偿的单量子阱包括：下垒层、补偿层、吸收区和上垒层，该多量子阱起光吸收和光生载流子弛豫的作用。
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公开(公告)号：CN1941524A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200510105264.4
申请日：2005-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种离子注入砷化镓吸收镜，其特征在于，其中包括：一半绝缘砷化镓衬底；一高反膜，在半绝缘衬底的背面镀有高反膜；一吸收区，该吸收区是通过砷离子注入到衬底上并且退火而产生；一增透膜，该增透膜制作在吸收区上。本发明可用于波长为一微米附近的固体激光器和光纤激光器被动调Q和锁模，实现短脉冲或者超短脉冲激光的输出。
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公开(公告)号：CN1901301A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200510012236.8
申请日：2005-07-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种高注入效率大功率808nm量子阱半导体激光器结构，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一N型下限制层，该N型下限制层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下限制层上；一量子阱层，该量子阱层制作在下波导层上；一上波导层，该上波导层制作在量子阱层上；一P型上限制层，该P型上限制层制作在上波导层上；一过渡层，该过渡层制作在P型上限制层上；一电极接触层，该电极接触层制作在过渡层上，形成大功率808nm量子阱半导体激光器。
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公开(公告)号：CN100340037C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200410046062.2
申请日：2004-06-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种透过式兼输出镜的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，其中包括：一半绝缘衬底；在半绝缘衬底的下面镀有高反膜；一缓冲层，该缓冲层制作在半绝缘衬底上；一吸收区，该吸收区制作在缓冲层上；一增透膜，该增透膜镀在吸收区上。本发明可由于固体激光器的被动锁模，实现超短脉冲激光的输出。
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公开(公告)号：CN1728478A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200410070110.1
申请日：2004-07-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种低温生长砷化镓式半导体可饱和吸收镜，其特征在于，其中包括：一半绝缘衬底；一高反膜，在半绝缘衬底的下面镀有高反膜；一缓冲层，该缓冲层制作在半绝缘衬底上；一吸收区，该吸收区制作在缓冲层上；一增透膜，该增透膜制作在吸收区上。本发明可用于波长为一微米附近的固体激光器的被动锁模，实现超短脉冲激光的输出。
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