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公开(公告)号：CN102839417B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210325765.3
申请日：2012-09-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法，利用MOCVD设备在r面蓝宝石衬底上以InGaN插入层和GaN低温缓冲层作为弱键合层生长a面氮化镓的自剥离薄膜，具体包括：取一蓝宝石衬底；在MOCVD设备中通入氨气，对蓝宝石衬底进行氮化，在其上生成一层氮化层；在MOCVD设备中利用载气通入铟源、镓源和氨气，使得在氮化层上得到InGaN层；在MOCVD设备中利用载气通入镓源和氨气，生长一层低温GaN缓冲层；在MOCVD设备中利用载气通入镓源和氨气，生长氮化镓外延层。本发明以InGaN插入层和低温GaN缓冲层做弱键合层，可以得到高结晶质量的自剥离GaN薄膜。
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公开(公告)号：CN102191540B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110119981.8
申请日：2011-05-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入MOCVD设备中；步骤2：在MOCVD设备中利用载气通入锌源，在衬底上生长一层锌隔离层；步骤3：在MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧源，使得在锌隔离层上得到氧化锌薄膜和氧化锌薄膜上面的平行于衬底表面排列的氧化锌纳米线。
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公开(公告)号：CN102903614A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210311148.8
申请日：2012-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/314
Abstract: 本发明提供了一种制备非极性GaN薄膜的方法。该方法包括：在衬底表面制备A面ZnO缓冲薄膜；在制备的A面ZnO缓冲薄膜上制备非极性GaN薄膜。本发明中，ZnO缓冲层能够协调GaN和衬底之间的晶格失配和热失配，从而极大的提高了制备的非极性GaN薄膜的结晶质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102191540A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110119981.8
申请日：2011-05-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入MOCVD设备中；步骤2：在MOCVD设备中利用载气通入锌源，在衬底上生长一层锌隔离层；步骤3：在MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧源，使得在锌隔离层上得到氧化锌薄膜和氧化锌薄膜上面的平行于衬底表面排列的氧化锌纳米线。
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公开(公告)号：CN102839417A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210325765.3
申请日：2012-09-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法，利用MOCVD设备在r面蓝宝石衬底上以InGaN插入层和GaN低温缓冲层作为弱键合层生长a面氮化镓的自剥离薄膜，具体包括：取一蓝宝石衬底；在MOCVD设备中通入氨气，对蓝宝石衬底进行氮化，在其上生成一层氮化层；在MOCVD设备中利用载气通入铟源、镓源和氨气，使得在氮化层上得到InGaN层；在MOCVD设备中利用载气通入镓源和氨气，生长一层低温GaN缓冲层；在MOCVD设备中利用载气通入镓源和氨气，生长氮化镓外延层。本发明以InGaN插入层和低温GaN缓冲层做弱键合层，可以得到高结晶质量的自剥离GaN薄膜。
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公开(公告)号：CN102820211A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210313725.7
申请日：2012-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种制备非极性A面GaN薄膜的方法。该方法包括：在衬底上生长非极性A面InGaN柔性层；在非极性A面InGaN柔性层生长非极性A面GaN缓冲层；对非极性A面InGaN柔性层和非极性A面GaN缓冲层进行退火，形成自组装横向外延模板；以及在自组装横向外延模板上生长非极性A面GaN薄膜。采用本发明自组装纳米尺度的横向外延模板可以改善薄膜质量，获得具有较高晶体质量的非极性GaN薄膜。
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公开(公告)号：CN102817073A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210325568.1
申请日：2012-09-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法，包括：取一衬底，并在金属有机化学气相外延(MOCVD)设备的反应室中对该衬底进行高温氮化处理；利用MOCVD技术在衬底上生长非极性A面InGaN柔性层和低温GaN成核层，随后对该非极性A面InGaN柔性层和低温GaN成核层进行高温退火，形成自组装纳米尺度的横向外延模板；利用MOCVD技术在横向外延模板上生长非极性A面高温GaN模板层；利用MOCVD技术，用氮气作为载气将铟源、镓源的金属有机化合物和氨气通入反应室，在非极性A面高温GaN模板层上生长InGaN薄膜；关闭铟源和镓源，反应室降到300摄氏度以下关闭氮源，完成非极性A面InGaN薄膜的生长。利用本发明，可以获得较高质量富In组分的InGaN薄膜。
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公开(公告)号：CN102820213A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210325584.0
申请日：2012-09-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：利用MOCVD方法，通入铟源和锌源，在衬底上得到高度均一、竖直排列的InN纳米棒；步骤3：关闭铟源和锌源，通入镓源，在InN纳米棒外层生长GaN层；步骤4：关闭镓源，在氨气气氛下升高反应室温度，对外层覆盖有GaN层的InN纳米棒在高温下退火，使InN纳米棒分解随载气排除，完成单晶GaN纳米管的生长。本发明利用InN纳米棒作为形核层，可以获得排列整齐的单晶GaN纳米管。
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