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公开(公告)号：CN112490335A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011414698.3
申请日：2020-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN/h‑BN多量子阱结构的深紫外LED，自下而上依次包括：衬底、AlN模板层、n型AlxGa1‑xN层、AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层、p型AlzGa1‑zN层、p型GaN接触层。AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层包括：AlyGa1‑yN量子阱层和h‑BN量子垒层；其中，AlyGa1‑yN量子阱层中Al组分y的范围为0.5≤y≤0.7，厚度为2‑4nm；h‑BN量子垒层的厚度为5‑10nm。本公开能够改善深紫外LED空穴注入困难、电子泄漏、失配应力的问题，从而提高深紫外LED发光效率。
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公开(公告)号：CN104393140B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201410641928.8
申请日：2014-11-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片，该芯片为单电极结构，由下至上依次包括散热基板、高反射P型欧姆接触层和外延层，其中：高反射P型欧姆接触层由下至上依次包括防氧化层、阻挡层、金属反射层和欧姆接触层，外延层由下至上依次包括P型层、多量子阱层和N型层，N型层上制作有N电极。本发明还公开了一种制备高反射率的垂直结构发光二级管芯片的方法。本发明制作的芯片能够有效增加光输出，改善芯片的散热能力，提供稳定的光输出功率，实现高流明效率的应用。
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公开(公告)号：CN104495766B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410764375.5
申请日：2014-12-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C01B21/068 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入氢化物气相外延设备的反应室中；步骤2：在氢化物气相外延设备中对衬底表面进行高温氮化处理；步骤3：将氢化物源和氮源分别通入铝源区和反应室中，在氮化后的衬底上进行柱状排列的氮化铝纳米结构材料制备；步骤4：结束生长后，关闭氢化物源；步骤5：当反应室温度降到550℃以下，关闭氮源；步骤6：反应室温度降到室温后，取出样品。
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公开(公告)号：CN102839417A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210325765.3
申请日：2012-09-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法，利用MOCVD设备在r面蓝宝石衬底上以InGaN插入层和GaN低温缓冲层作为弱键合层生长a面氮化镓的自剥离薄膜，具体包括：取一蓝宝石衬底；在MOCVD设备中通入氨气，对蓝宝石衬底进行氮化，在其上生成一层氮化层；在MOCVD设备中利用载气通入铟源、镓源和氨气，使得在氮化层上得到InGaN层；在MOCVD设备中利用载气通入镓源和氨气，生长一层低温GaN缓冲层；在MOCVD设备中利用载气通入镓源和氨气，生长氮化镓外延层。本发明以InGaN插入层和低温GaN缓冲层做弱键合层，可以得到高结晶质量的自剥离GaN薄膜。
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公开(公告)号：CN106252403B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201610753069.0
申请日：2016-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种HEMT外延结构，其结构是：衬底(10)、低温GaN缓冲层(20)、未掺杂GaN高阻层(30)、AlN隔离层(40)、未掺杂GaN沟道层(50)、Al组分阶梯变化的势垒层(60)、AlN势垒层(70)。将低温GaN缓冲层退火后生长未掺杂GaN高阻层以及AlN隔离层，与掺碳或掺铁等相比，能有效改善结晶质量并避免掺铁等带来的记忆效应；此外该结构具有多沟道结构，即AlN势垒层和未掺杂GaN沟道层分别与Al组分阶梯变化的势垒层在界面处形成了两个主沟道，和Al组分阶梯变化的势垒层界面处形成了多个辅沟道，与传统HEMT器件相比增强了其电流驱动能力；本发明设计的HEMT外延结构栅漏电流和缓冲层漏电流小，电流驱动能力强，可用于大功率电力电子器件领域。此外本发明还提供了一种HEMT外延结构的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104393140A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410641928.8
申请日：2014-11-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/641 , H01L33/642 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066 , H01L2933/0075
Abstract: 本发明公开了一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片，该芯片为单电极结构，由下至上依次包括散热基板、高反射P型欧姆接触层和外延层，其中：高反射P型欧姆接触层由下至上依次包括防氧化层、阻挡层、金属反射层和欧姆接触层，外延层由下至上依次包括P型层、多量子阱层和N型层，N型层上制作有N电极。本发明还公开了一种制备高反射率的垂直结构发光二级管芯片的方法。本发明制作的芯片能够有效增加光输出，改善芯片的散热能力，提供稳定的光输出功率，实现高流明效率的应用。
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公开(公告)号：CN103633199A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310651999.1
申请日：2013-12-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007
Abstract: 一种利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法，包含：在蓝宝石衬底表面上先制备一包含铟组分的薄III族氮化物合金层和一低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将蓝宝石硅衬底加热温度升高；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层；降温，形成的多孔薄III族氮化物弱键合层处自分离；在氮化镓基发光二极管器件结构层上制备一反射/欧姆金属层；再键合一键合衬底；将蓝宝石衬底沿多孔薄III族氮化物弱键合层处剥离去除；制备第一欧姆电极层；制备第二欧姆电极层；将上述材料切割、分选和封装后得到垂直结构氮化镓基发光二极管器件。
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公开(公告)号：CN102903614A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210311148.8
申请日：2012-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/314
Abstract: 本发明提供了一种制备非极性GaN薄膜的方法。该方法包括：在衬底表面制备A面ZnO缓冲薄膜；在制备的A面ZnO缓冲薄膜上制备非极性GaN薄膜。本发明中，ZnO缓冲层能够协调GaN和衬底之间的晶格失配和热失配，从而极大的提高了制备的非极性GaN薄膜的结晶质量。
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公开(公告)号：CN112490335B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011414698.3
申请日：2020-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN/h‑BN多量子阱结构的深紫外LED，自下而上依次包括：衬底、AlN模板层、n型AlxGa1‑xN层、AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层、p型AlzGa1‑zN层、p型GaN接触层。AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层包括：AlyGa1‑yN量子阱层和h‑BN量子垒层；其中，AlyGa1‑yN量子阱层中Al组分y的范围为0.5≤y≤0.7，厚度为2‑4nm；h‑BN量子垒层的厚度为5‑10nm。本公开能够改善深紫外LED空穴注入困难、电子泄漏、失配应力的问题，从而提高深紫外LED发光效率。
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公开(公告)号：CN104993012A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510270779.3
申请日：2015-05-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1828
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明区别于现有技术的核心是：在衬底外延生长表面上形成一掩膜层，通过光刻和刻蚀工艺使掩膜层形成图形结构，随后生长非极性A面GaN厚膜，通过GaN横向合并或者腐蚀去除掩膜层在GaN厚膜底部形成孔洞结构，然后采用腐蚀方法将GaN厚膜与衬底进行剥离，进而得到非极性A面GaN自支撑衬底。本发明容易制备大尺寸的A面GaN衬底，将A面GaN厚膜与衬底剥离的过程中，不需要复杂昂贵的激光剥离设备，其工艺简单且成本较低，易于实现大规模生产使用。
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