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公开(公告)号：CN110828627B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201911126555.X
申请日：2019-11-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/12 , H01L33/02 , H01L33/00 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本公开提供一种可协变应力AlN结构及其制备方法，所述可协变应力AlN结构自下而上包括：衬底；AlN成核层；可协变应力AlN区，包括多组可协变应力AlN组，每组所述可协变应力AlN组包括：一张应力AlN层，以及一压应力AlN层；所述制备方法包括：步骤S1：清洁衬底并进行氮化处理；步骤S2：在氮化处理后的衬底表面上制备AlN成核层；以及步骤S3：在AlN成核层上制备可协变应力AlN区，完成可协变应力AlN结构的制备。
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公开(公告)号：CN112490335A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011414698.3
申请日：2020-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN/h‑BN多量子阱结构的深紫外LED，自下而上依次包括：衬底、AlN模板层、n型AlxGa1‑xN层、AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层、p型AlzGa1‑zN层、p型GaN接触层。AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层包括：AlyGa1‑yN量子阱层和h‑BN量子垒层；其中，AlyGa1‑yN量子阱层中Al组分y的范围为0.5≤y≤0.7，厚度为2‑4nm；h‑BN量子垒层的厚度为5‑10nm。本公开能够改善深紫外LED空穴注入困难、电子泄漏、失配应力的问题，从而提高深紫外LED发光效率。
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公开(公告)号：CN110828627A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911126555.X
申请日：2019-11-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/12 , H01L33/02 , H01L33/00 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本公开提供一种可协变应力AlN结构及其制备方法，所述可协变应力AlN结构自下而上包括：衬底；AlN成核层；可协变应力AlN区，包括多组可协变应力AlN组，每组所述可协变应力AlN组包括：一张应力AlN层，以及一压应力AlN层；所述制备方法包括：步骤S1：清洁衬底并进行氮化处理；步骤S2：在氮化处理后的衬底表面上制备AlN成核层；以及步骤S3：在AlN成核层上制备可协变应力AlN区，完成可协变应力AlN结构的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112490335B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011414698.3
申请日：2020-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN/h‑BN多量子阱结构的深紫外LED，自下而上依次包括：衬底、AlN模板层、n型AlxGa1‑xN层、AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层、p型AlzGa1‑zN层、p型GaN接触层。AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层包括：AlyGa1‑yN量子阱层和h‑BN量子垒层；其中，AlyGa1‑yN量子阱层中Al组分y的范围为0.5≤y≤0.7，厚度为2‑4nm；h‑BN量子垒层的厚度为5‑10nm。本公开能够改善深紫外LED空穴注入困难、电子泄漏、失配应力的问题，从而提高深紫外LED发光效率。
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公开(公告)号：CN107170862A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710429863.4
申请日：2017-06-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/325
Abstract: 一种非极性面量子点发光二极管，包括衬底及依次叠置于所述衬底上的、均为非极性面的u型GaN层、n型GaN层、有源区、p型电子阻挡层及p型GaN层，其中：有源区包括周期分布的、非极性面的InGaN量子点势阱层和GaN势垒层。以及一种非极性面量子点发光二极管的制备方法。在衬底上依次叠置非极性面的外延结构，一方面可消除量子限制斯塔克效应对器件的内量子效率的影响，有效的消除极化效应；另一方面，此晶面取向的发光二极管的发光波长可以延伸到深绿光，甚至橙光区，能缓解当今化合物半导体发光器件中的“绿隙”(green gap)问题。
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公开(公告)号：CN107481982B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201710671295.9
申请日：2017-08-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L23/373 , H01L21/335 , H01L29/66 , H01L29/778
Abstract: 本公开提供了一种AlN基板高效散热HEMT器件，自下而上包括：AlN陶瓷基板、AlN成核层、AlN高阻层、GaN或InxGa1‑xN沟道层、AlyIn1‑yN空间电荷层、以及AlzGa1‑zN势垒层；其中，所述AlN陶瓷基板与所述AlN成核层之间键合连接，所述AlN陶瓷基板用于对所述HEMT器件进行散热。本公开还提供了一种AlN基板高效散热HEMT器件的制备方法。本公开HEMT器件及其制备方法，散热能力大幅提高，成本相对较低，工艺简单，有效提高了击穿电压，减少了寄生电容，提高了HEMT器件的性能。
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公开(公告)号：CN107170862B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201710429863.4
申请日：2017-06-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种非极性面量子点发光二极管，包括衬底及依次叠置于所述衬底上的、均为非极性面的u型GaN层、n型GaN层、有源区、p型电子阻挡层及p型GaN层，其中：有源区包括周期分布的、非极性面的InGaN量子点势阱层和GaN势垒层。以及一种非极性面量子点发光二极管的制备方法。在衬底上依次叠置非极性面的外延结构，一方面可消除量子限制斯塔克效应对器件的内量子效率的影响，有效的消除极化效应；另一方面，此晶面取向的发光二极管的发光波长可以延伸到深绿光，甚至橙光区，能缓解当今化合物半导体发光器件中的“绿隙”(green gap)问题。
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公开(公告)号：CN107481982A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710671295.9
申请日：2017-08-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L23/373 , H01L21/335 , H01L29/66 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/778 , H01L23/3731 , H01L29/2003 , H01L29/66431
Abstract: 本公开提供了一种AlN基板高效散热HEMT器件，自下而上包括：AlN陶瓷基板、AlN成核层、AlN高阻层、GaN或InxGa1-xN沟道层、AlyIn1-yN空间电荷层、以及AlzGa1-zN势垒层；其中，所述AlN陶瓷基板与所述AlN成核层之间键合连接，所述AlN陶瓷基板用于对所述HEMT器件进行散热。本公开还提供了一种AlN基板高效散热HEMT器件的制备方法。本公开HEMT器件及其制备方法，散热能力大幅提高，成本相对较低，工艺简单，有效提高了击穿电压，减少了寄生电容，提高了HEMT器件的性能。
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