公开(公告)号：CN112490335A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202011414698.3

申请日：2020-12-04

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 汪连山 ,  李方政 ,  赵桂娟 ,  孟钰琳 ,  杨少延 ,  魏鸿源 ,  王占国

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种AlGaN/h‑BN多量子阱结构的深紫外LED，自下而上依次包括：衬底、AlN模板层、n型AlxGa1‑xN层、AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层、p型AlzGa1‑zN层、p型GaN接触层。AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层包括：AlyGa1‑yN量子阱层和h‑BN量子垒层；其中，AlyGa1‑yN量子阱层中Al组分y的范围为0.5≤y≤0.7，厚度为2‑4nm；h‑BN量子垒层的厚度为5‑10nm。本公开能够改善深紫外LED空穴注入困难、电子泄漏、失配应力的问题，从而提高深紫外LED发光效率。

公开(公告)号：CN112490335B

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202011414698.3

申请日：2020-12-04

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 汪连山 ,  李方政 ,  赵桂娟 ,  孟钰琳 ,  杨少延 ,  魏鸿源 ,  王占国

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种AlGaN/h‑BN多量子阱结构的深紫外LED，自下而上依次包括：衬底、AlN模板层、n型AlxGa1‑xN层、AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层、p型AlzGa1‑zN层、p型GaN接触层。AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层包括：AlyGa1‑yN量子阱层和h‑BN量子垒层；其中，AlyGa1‑yN量子阱层中Al组分y的范围为0.5≤y≤0.7，厚度为2‑4nm；h‑BN量子垒层的厚度为5‑10nm。本公开能够改善深紫外LED空穴注入困难、电子泄漏、失配应力的问题，从而提高深紫外LED发光效率。