公开(公告)号：CN104112803B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410147977.6

申请日：2014-04-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 项若飞 ,  汪连山 ,  赵桂娟 ,  金东东 ,  王建霞 ,  李辉杰 ,  张恒 ,  冯玉霞 ,  焦春美 ,  魏鸿源 ,  杨少延 ,  王占国

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法，其中发光二极管包括：一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形；一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内；一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半极性面氮化镓层与衬底表面的凸起图形之间具有空隙区，可阻隔位错缺陷向上延伸；一半极性面氮化镓N型层，其制作在未掺杂半极性面氮化镓层上；一半极性面N型铟镓氮插入层，其制作在半极性面氮化镓N型层上；一半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层，其制作在半极性面N型铟镓氮插入层上；一半极性面P型铝镓氮电子阻挡层，其制作在半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层上；一半极性面P型氮化镓层，其制作在半极性面P型铝镓氮电子阻挡层上。

公开(公告)号：CN103633199A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310651999.1

申请日：2013-12-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨少延 ,  张恒 ,  魏鸿源 ,  焦春美 ,  赵桂娟 ,  汪连山 ,  刘祥林 ,  王占国

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007

Abstract: 一种利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法，包含：在蓝宝石衬底表面上先制备一包含铟组分的薄III族氮化物合金层和一低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将蓝宝石硅衬底加热温度升高；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层；降温，形成的多孔薄III族氮化物弱键合层处自分离；在氮化镓基发光二极管器件结构层上制备一反射/欧姆金属层；再键合一键合衬底；将蓝宝石衬底沿多孔薄III族氮化物弱键合层处剥离去除；制备第一欧姆电极层；制备第二欧姆电极层；将上述材料切割、分选和封装后得到垂直结构氮化镓基发光二极管器件。

公开(公告)号：CN104112803A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410147977.6

申请日：2014-04-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 项若飞 ,  汪连山 ,  赵桂娟 ,  金东东 ,  王建霞 ,  李辉杰 ,  张恒 ,  冯玉霞 ,  焦春美 ,  魏鸿源 ,  杨少延 ,  王占国

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/18 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法，其中发光二极管包括：一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形；一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内；一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半极性面氮化镓层与衬底表面的凸起图形之间具有空隙区，可阻隔位错缺陷向上延伸；一半极性面氮化镓N型层，其制作在未掺杂半极性面氮化镓层上；一半极性面N型铟镓氮插入层，其制作在半极性面氮化镓N型层上；一半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层，其制作在半极性面N型铟镓氮插入层上；一半极性面P型铝镓氮电子阻挡层，其制作在半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层上；一半极性面P型氮化镓层，其制作在半极性面P型铝镓氮电子阻挡层上。

公开(公告)号：CN103956417A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410191726.8

申请日：2014-05-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张恒 ,  魏鸿源 ,  杨少延 ,  赵桂娟 ,  金东东 ,  王建霞 ,  李辉杰 ,  刘祥林 ,  王占国

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/005 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/6834

Abstract: 一种制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法，包括：取一衬底；在衬底上生长一层氧化锌结晶层做为牺牲层；在氧化锌结晶层上低温生长一层半导体支撑层；在半导体支撑层的表面生长半导体单晶外延层，在生长过程中，使氧化锌结晶层的氧化锌分解，使半导体支撑层和半导体单晶外延层与衬底分离，该半导体支撑层和半导体单晶外延层为半导体晶体层；采用机械抛光的方法，将半导体晶体层的半导体支撑层去除，得到半导体单晶外延层，该半导体单晶外延层为非极性面或半极性面的单晶半导体自支撑衬底，完成制备。本发明具有低成本、大尺寸的优点。

公开(公告)号：CN103633199B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201310651999.1

申请日：2013-12-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨少延 ,  张恒 ,  魏鸿源 ,  焦春美 ,  赵桂娟 ,  汪连山 ,  刘祥林 ,  王占国

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法，包含：在蓝宝石衬底表面上先制备一包含铟组分的薄III族氮化物合金层和一低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将蓝宝石硅衬底加热温度升高；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层；降温，形成的多孔薄III族氮化物弱键合层处自分离；在氮化镓基发光二极管器件结构层上制备一反射/欧姆金属层；再键合一键合衬底；将蓝宝石衬底沿多孔薄III族氮化物弱键合层处剥离去除；制备第一欧姆电极层；制备第二欧姆电极层；将上述材料切割、分选和封装后得到垂直结构氮化镓基发光二极管器件。