公开(公告)号：CN104112803A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410147977.6

申请日：2014-04-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 项若飞 ,  汪连山 ,  赵桂娟 ,  金东东 ,  王建霞 ,  李辉杰 ,  张恒 ,  冯玉霞 ,  焦春美 ,  魏鸿源 ,  杨少延 ,  王占国

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/18 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法，其中发光二极管包括：一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形；一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内；一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半极性面氮化镓层与衬底表面的凸起图形之间具有空隙区，可阻隔位错缺陷向上延伸；一半极性面氮化镓N型层，其制作在未掺杂半极性面氮化镓层上；一半极性面N型铟镓氮插入层，其制作在半极性面氮化镓N型层上；一半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层，其制作在半极性面N型铟镓氮插入层上；一半极性面P型铝镓氮电子阻挡层，其制作在半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层上；一半极性面P型氮化镓层，其制作在半极性面P型铝镓氮电子阻挡层上。

公开(公告)号：CN104112803B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410147977.6

申请日：2014-04-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 项若飞 ,  汪连山 ,  赵桂娟 ,  金东东 ,  王建霞 ,  李辉杰 ,  张恒 ,  冯玉霞 ,  焦春美 ,  魏鸿源 ,  杨少延 ,  王占国

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法，其中发光二极管包括：一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形；一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内；一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半极性面氮化镓层与衬底表面的凸起图形之间具有空隙区，可阻隔位错缺陷向上延伸；一半极性面氮化镓N型层，其制作在未掺杂半极性面氮化镓层上；一半极性面N型铟镓氮插入层，其制作在半极性面氮化镓N型层上；一半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层，其制作在半极性面N型铟镓氮插入层上；一半极性面P型铝镓氮电子阻挡层，其制作在半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层上；一半极性面P型氮化镓层，其制作在半极性面P型铝镓氮电子阻挡层上。