公开(公告)号：CN1790680A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200410098933.5

申请日：2004-12-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王启元 ,  王俊 ,  王建华

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L21/02

Abstract: 一种双异质外延SOI材料，是基于半导体单晶衬底上制备的双异质外延绝缘层上硅材料，其特征在于，包括：一种半导体衬底；一绝缘薄膜，该绝缘薄膜制作在半导体衬底上；一外延薄膜，该外延薄膜制作在绝缘薄膜上，形成双异质外延SOI材料。

公开(公告)号：CN100446194C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200510126243.0

申请日：2005-11-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王启元 ,  王俊 ,  王建华

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3115

Abstract: 一种半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法，利用硅离子注入和HF化学腐蚀剂，对硅上氧化铝薄膜进行选择性腐蚀，形成陡峭、清晰、规则的氧化铝腐蚀图形，包括如下步骤：取一半导体硅单晶衬底；在半导体硅单晶衬底上外延生长氧化铝介电薄膜；在氧化铝介电薄膜上涂光刻胶；在光刻胶上刻蚀，形成带有一定间隔的凹槽的光刻胶刻蚀图形；采用硅离子注入工艺，对凹槽下的氧化铝介电薄膜进行选择性硅离子注入；采用HF化学腐蚀工艺，对进行了硅离子注入的氧化铝介电薄膜进行选择性腐蚀，形成带有线条的图形，完成半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀。

公开(公告)号：CN1979773A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200510126243.0

申请日：2005-11-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王启元 ,  王俊 ,  王建华

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3115

Abstract: 一种半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法，利用硅离子注入和HF化学腐蚀剂，对硅上氧化铝薄膜进行选择性腐蚀，形成陡峭、清晰、规则的氧化铝腐蚀图形，包括如下步骤：取一半导体硅单晶衬底；在半导体硅单晶衬底上外延生长氧化铝介电薄膜；在氧化铝介电薄膜上涂光刻胶；在光刻胶上刻蚀，形成带有一定间隔的凹槽的光刻胶刻蚀图形；采用硅离子注入工艺，对凹槽下的氧化铝介电薄膜进行选择性硅离子注入；采用HF化学腐蚀工艺，对进行了硅离子注入的氧化铝介电薄膜进行选择性腐蚀，形成带有线条的图形，完成半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀。

公开(公告)号：CN1790632A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200410098934.X

申请日：2004-12-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王启元 ,  王俊 ,  王建华

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44

Abstract: 一种硅衬底上高介电常数氧化铝介电薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一半导体衬底；步骤2：在半导体衬底上，预先淀积一层铝，然后原位氧气氛下氧化，形成一层氧化铝预淀积层；步骤3：采用有机化学汽相沉积方式，用高纯三甲基铝有机源和高纯氧气作为反应气体，在半导体衬底上形成的氧化铝预淀积层上，外延生长氧化铝介电薄膜，形成一种高介电常数氧化铝介电薄膜材料。