公开(公告)号：CN102206856B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110113282.2

申请日：2011-05-04

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 时凯 ,  刘祥林 ,  魏鸿源 ,  焦春美 ,  王俊 ,  李志伟 ,  宋亚峰 ,  杨少延 ,  朱勤生 ,  王占国

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  C23C16/40

Abstract: 一种利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法，该方法包括以下步骤：步骤1：选用一衬底，并在MOCVD设备的低温生长区中对衬底进行锌化处理；步骤2：用载气将含锌源的金属有机化合物和笑气分别通入MOCVD设备的低温生长区中，在低温生长区对衬底进行一层低温氧化锌材料的生长；步骤3：关闭金属有机化合物和笑气，通过MOCVD设备的传动装置，将低温下生长的氧化锌材料从反应室的低温生长区移动至高温退火区，进行高温快速退火；步骤4：通过传动装置，将高温快速退火之后生长有氧化锌材料的衬底从高温退火区移动至低温生长区，重复步骤2、步骤3若干次；步骤5：待低温生长区温度降至室温后，利用传动装置将生长有氧化锌材料的衬底移动至取样区，取出样品，完成氧化锌材料的生长。

公开(公告)号：CN102206856A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110113282.2

申请日：2011-05-04

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 时凯 ,  刘祥林 ,  魏鸿源 ,  焦春美 ,  王俊 ,  李志伟 ,  宋亚峰 ,  杨少延 ,  朱勤生 ,  王占国

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  C23C16/40

Abstract: 一种利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法，该方法包括以下步骤：步骤1：选用一衬底，并在MOCVD设备的低温生长区中对衬底进行锌化处理；步骤2：用载气将含锌源的金属有机化合物和笑气分别通入MOCVD设备的低温生长区中，在低温生长区对衬底进行一层低温氧化锌材料的生长；步骤3：关闭金属有机化合物和笑气，通过MOCVD设备的传动装置，将低温下生长的氧化锌材料从反应室的低温生长区移动至高温退火区，进行高温快速退火；步骤4：通过传动装置，将高温快速退火之后生长有氧化锌材料的衬底从高温退火区移动至低温生长区，重复步骤2、步骤3若干次；步骤5：待低温生长区温度降至室温后，利用传动装置将生长有氧化锌材料的衬底移动至取样区，取出样品，完成氧化锌材料的生长。