公开(公告)号：CN1189927A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：CN97190432.4

申请日：1997-04-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木户口勲 ,  足立秀人 ,  熊渕康仁 ,  鬼头雅弘 ,  夈雅博

IPC: H01S3/18

Abstract: 一种半导体激光器含有一个活性层和一对包层,这对层形成得把该活性层夹在它们中间。该半导体激光器还被提供有一个条带结构,使活性层的载流子注入区具有沿腔方向的条带形状。条带结构结构宽度的设定使得在腔发射端面处的值W1和在发射端面的对侧端面处的值W2满足关系W1

公开(公告)号：CN1095231C

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN97193298.0

申请日：1997-03-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 足立秀人 ,  木户口勳 ,  熊渕康仁

IPC: H01S5/30

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/06216 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3218 ,  H01S5/34326

Abstract: 一种半导体激光器至少包含一个活性层和一个饱和吸收层，并且饱和吸收层中的压缩应变量被设定得比活性层中的压缩应变值大0.3%左右或更多。或者，一种半导体激光器至少包含一个活性层、一个饱和吸收层和一个设置在饱和吸收层邻近的导光层；并且饱和吸收层中的压缩应变量比活性层中的压缩应变值大0.3%左右或更多。

公开(公告)号：CN1183177A

公开(公告)日：1998-05-27

申请号：CN97190228.3

申请日：1997-02-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木户口勋 ,  足立秀人 ,  熊渕康仁

IPC: H01S3/18 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0658

Abstract: 在具有一活性层和其间插入该活性层的一包层结构的半导体激光器中,该包层结构包括一可饱和吸收层,且该可饱和吸收层由InGaAsP形成。

公开(公告)号：CN1129218C

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN97190228.3

申请日：1997-02-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木户口勳 ,  足立秀人 ,  熊渕康仁

IPC: H01S5/30 ,  H01S3/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0658

Abstract: 在具有一活性层和其间插入该活性层的一包层结构的半导体激光器中，该包层结构包括一可饱和吸收层，且该可饱和吸收层由In GaAs P形成。

公开(公告)号：CN1426139A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN02148189.X

申请日：1997-02-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木户口勲 ,  足立秀人 ,  熊渕康仁

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0658

Abstract: 在具有一活性层和其间插入该活性层的一包层结构的半导体激光器中，该包层结构包括一可饱和吸收层，且该可饱和吸收层的厚度是60至100埃。

公开(公告)号：CN1131548C

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN98101070.9

申请日：1998-04-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 太田顺道 ,  正户宏幸 ,  熊渕康仁 ,  北畠真

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/6606 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/268 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

Abstract: 在由碳化硅构成的衬底的上面沉积由镍等构成的第一金属膜及第二金属膜。在该状态中，第一金属膜和衬底的界面及第二金属膜和衬底的界面共为肖特基接触。接着，从衬底的上面一侧，将激光的前端部缩小仅对衬底的第一金属膜照射激光。因此，即使不加热衬底整体，通过激光的能量使第一金属膜和衬底构成的金属一半导体界面合金化，由于在第一金属膜和衬底的界面得到欧姆接触，其结果，得到由第一金属膜构成的欧姆电极。

公开(公告)号：CN1214806A

公开(公告)日：1999-04-21

申请号：CN97193298.0

申请日：1997-03-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 足立秀人 ,  木户口勋 ,  熊渕康仁

IPC: H01S3/18

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/06216 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3218 ,  H01S5/34326

Abstract: 一种半导体激光器至少包含一个活性层和一个饱和吸收层,并且饱和吸收层中的压缩应变量被设定得比活性层中的压缩应变值大0.3%左右或更多。或者,一种半导体激光器至少包含一个活性层、一个饱和吸收层和一个设置在饱和吸收层邻近的导光层;并且饱和吸收层中的压缩应变量比活性层中的压缩应变值大0.3%左右或更多。

公开(公告)号：CN1195883A

公开(公告)日：1998-10-14

申请号：CN98101070.9

申请日：1998-04-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 太田顺道 ,  正户宏幸 ,  熊渕康仁 ,  北畠真

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/6606 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/268 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

Abstract: 在由碳化硅构成的衬底的上面沉积由镍等构成的第一金属膜及第二金属膜。在该状态中,第一金属膜和衬底的界面及第二金属膜和衬底的界面共为肖特基接触。接着,从衬底的上面一侧,将激光的前端部缩小仅对衬底的第一金属膜照射激光。因此,即使不加热衬底整体,通过激光的能量使第一金属膜和衬底构成的金属－半导体界面合金化,由于在第一金属膜和衬底的界面得到欧姆接触,其结果,得到由第一金属膜构成的欧姆电极。