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公开(公告)号：CN100369221C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200510005992.8
申请日：2005-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/331 , H01L29/205 , H01L29/737
CPC classification number: H01L29/66318 , H01L29/0817 , H01L29/7371
Abstract: 本发明旨在提供一种在高功率输出的操作下具有提高的击穿电压的异质结双极晶体管，所述异质结双极晶体管包括：一个GaAs半导体衬底；一个n+型GaAs亚集电极层110；一个n型GaAs集电极层120；一个p型GaAs基区层130；一个发射极层140；一个n型GaAs发射极覆盖层150；以及一个n型InGaAs发射极接触层160。所述发射极层140具有一个多层结构，包括依次层叠的一个n型或非掺杂第一发射极层141和一个n型第二发射极层142。所述第一发射层141由包含Al的一种半导体材料制成，而所述第二发射层142由InxGa1-xP(0＜x＜1)制成。
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公开(公告)号：CN1497862A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310119626.6
申请日：2003-10-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 太田顺道
IPC: H04B1/44
CPC classification number: H04B1/48 , H04B1/0057 , H04B1/26 , H04B1/52
Abstract: 一种高频装置包括：放大并输出输入信号的发射/接收放大器13；以及发射/接收开关2，它整体地联动切换，使得在发射期间发射/接收放大器13的输入端连接到上混频器，发射/接收放大器13的输出端连接到天线单元5，而在接收期间，发射/接收放大器13的输出端连接到下混频器，发射/接收放大器13的输入端连接到天线单元5。
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公开(公告)号：CN1299435C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200310119626.6
申请日：2003-10-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 太田顺道
IPC: H04B1/44
CPC classification number: H04B1/48 , H04B1/0057 , H04B1/26 , H04B1/52
Abstract: 一种高频装置包括：放大并输出输入信号的发射/接收放大器(13)；以及发射/接收开关(2)，它整体地联动切换，使得在发射期间发射/接收放大器(13)的输入端连接到上混频器，发射/接收放大器(13)的输出端连接到天线单元(5)，而在接收期间，发射/接收放大器(13)的输出端连接到下混频器，发射/接收放大器(13)的输入端连接到天线单元(5)。
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公开(公告)号：CN1131548C
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN98101070.9
申请日：1998-04-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/6606 , H01L21/0485 , H01L21/0495 , H01L21/268 , H01L21/8258 , H01L29/66068 , Y10S438/931
Abstract: 在由碳化硅构成的衬底的上面沉积由镍等构成的第一金属膜及第二金属膜。在该状态中，第一金属膜和衬底的界面及第二金属膜和衬底的界面共为肖特基接触。接着，从衬底的上面一侧，将激光的前端部缩小仅对衬底的第一金属膜照射激光。因此，即使不加热衬底整体，通过激光的能量使第一金属膜和衬底构成的金属一半导体界面合金化，由于在第一金属膜和衬底的界面得到欧姆接触，其结果，得到由第一金属膜构成的欧姆电极。
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公开(公告)号：CN1195883A
公开(公告)日：1998-10-14
申请号：CN98101070.9
申请日：1998-04-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/6606 , H01L21/0485 , H01L21/0495 , H01L21/268 , H01L21/8258 , H01L29/66068 , Y10S438/931
Abstract: 在由碳化硅构成的衬底的上面沉积由镍等构成的第一金属膜及第二金属膜。在该状态中,第一金属膜和衬底的界面及第二金属膜和衬底的界面共为肖特基接触。接着,从衬底的上面一侧,将激光的前端部缩小仅对衬底的第一金属膜照射激光。因此,即使不加热衬底整体,通过激光的能量使第一金属膜和衬底构成的金属－半导体界面合金化,由于在第一金属膜和衬底的界面得到欧姆接触,其结果,得到由第一金属膜构成的欧姆电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1269221C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN03154690.0
申请日：2003-08-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/732 , H01L27/04 , H01L21/331
CPC classification number: H03B5/1847 , H01L24/05 , H01L27/0658 , H01L29/0692 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/7302 , H01L29/732 , H01L29/7322 , H01L2224/0603 , H01L2924/1305 , H03B5/1203 , H03B5/1231 , H03B5/1243 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供双极型晶体管、振荡电路及电压控制型振荡器。本发明的双极型晶体管，作为振荡电路的振荡放大器使用时，能够得到所期望的好的高频率性能，且能实现小型化及低成本。与基极焊盘(7)连接的电容调整用布线(11)夹着绝缘膜(3)和N型集电极衬底，与N+型集电极衬底之间形成寄生电容，使集电极-基极间电容Ccb增加。将该电容作为构成振荡电路的平衡电容的至少一部分，在半导体制造工序，装入晶体管工作区域(2)小且作为振荡放大器用的双极型晶体管中。
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公开(公告)号：CN1667804A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510005992.8
申请日：2005-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/331 , H01L29/205 , H01L29/737
CPC classification number: H01L29/66318 , H01L29/0817 , H01L29/7371
Abstract: 本发明旨在提供一种在高功率输出的操作下具有提高的击穿电压的异质结双极晶体管，所述异质结双极晶体管包括：一个GaAs半导体衬底；一个n+型GaAs亚集电极层110；一个n型GaAs集电极层120；一个p型GaAs基区层130；一个发射极层140；一个n型GaAs发射极覆盖层150；以及一个n型InGaAs发射极接触层160。所述发射极层140具有一个多层结构，包括依次层叠的一个n型或非掺杂第一发射极层141和一个n型第二发射极层142。所述第一发射层141由包含Al的一种半导体材料制成，而所述第二发射层142由InxGa1－xP(0＜x＜1)制成。
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公开(公告)号：CN1494163A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN03154690.0
申请日：2003-08-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/732 , H01L27/04 , H01L21/331
CPC classification number: H03B5/1847 , H01L24/05 , H01L27/0658 , H01L29/0692 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/7302 , H01L29/732 , H01L29/7322 , H01L2224/0603 , H01L2924/1305 , H03B5/1203 , H03B5/1231 , H03B5/1243 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供双极型晶体管、振荡电路及电压控制型振荡器。本发明的双极型晶体管，作为振荡电路的振荡放大器使用时，能够得到所期望的好的高频率性能，且能实现小型化及低成本。与基极焊盘(7)连接的电容调整用布线(11)夹着绝缘膜(3)和N型集电极衬底，与N+型集电极衬底之间形成寄生电容，使集电极一基极间电容Ccb增加。将该电容作为构成振荡电路的平衡电容的至少一部分，在半导体制造工序，装入晶体管工作区域(2)小且作为振荡放大器用的双极型晶体管中。
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公开(公告)号：CN1750262A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510092158.7
申请日：2005-08-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/36 , H01L23/49562 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L2223/665 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2924/19041 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H05K3/0061 , H05K3/284 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种功率放大器模块。半导体装置包括：由输入引线端子(3)、输出引线端子(4)及高频接地引线端子(25)构成的多个外部连接引线端子(2)，连接在高频接地引线端子(25)上的散热板(5)，安装在散热板(5)上的半导体元件(1a)、半导体元件(1b)及电路基板(7)，以及密封半导体元件(1a)、半导体元件(1b)及电路基板(7)，密封散热板(5)而使该散热板(5)的背面至少有一部分露出的模制树脂(32)；放大输入到输入引线端子(3)的信号，再从输出引线端子(4)输出。因此，能提供特性稳定、小型而且能使制造成本下降的功率放大器模块。
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公开(公告)号：CN1744430A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510099118.5
申请日：2005-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03F1/52
Abstract: 本发明的高频功率放大器在构成多单元的一个单位单元中、在栅－源极间或基－发射极间有短路存在的情况下，利用配置在每个单位单元上的二极管的隔直流特性，能制止对其它正常的单位单元工作的影响。
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