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公开(公告)号：CN101636820B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200880008459.9
申请日：2008-02-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/452 , H01L2924/0002 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01L2924/00
Abstract: 具备：AuGeNi合金层(13)，设置于n型GaAs层上；叠层体，由上述AuGeNi合金层(13)上所设置的接合金属层(15、17)及上述接合金属层(15、17)上所设置的势垒金属层(16、18)构成；叠层体设置2个周期以上。采用该结构，可以在GaAs类的接触层，特别是n型电极中，限制半导体的Ga及在n型电极上形成欧姆接合所需要的AuGeNi合金层的Ni等的表面扩散，可以提供低电阻的欧姆电极结构体及具有该欧姆电极结构体的半导体元件。
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公开(公告)号：CN100375350C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200410096214.X
申请日：2004-11-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/227
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0425 , H01S5/222 , H01S5/32325
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有阀值电流小且制作容易的结构，并且具有良好的温度特性和高速应答特性的半导体激光元件，具有n型GaAs基板(101)、n型GaAs基板(101)上形成的n型AlGaInP包覆层(102)、非掺杂量子井活性层(103)、p型AlGaInP第1包覆层(104)、p型GaInP腐蚀阻止层(105)、p型AlGaInP第2包覆层(106)、p型GaInP覆盖层(107)、p型GaAs接触层(108)和n型AlInP阻挡层(109)，具有脊背部和脊背部两侧的突起部，p型GaAs接触层(108)仅形成在脊背部的上面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101394066A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810213599.1
申请日：2008-09-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/22 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/173
Abstract: 本发明提供一种高输出功率、低成本的单片式双波长或其以上的多波长的激光器装置。半导体激光器装置，具备第1半导体激光器元件(12)和第2半导体激光器元件(13)。第1半导体激光器元件(12)，具有作为形成在端面附近的包含第1杂质的区域的第1端面窗构造(41)；第2半导体激光器元件，具有作为形成在端面附近的包含第2杂质的区域的第2端面窗构造(42)。从第1活性层(23)的下端到第1端面窗构造(41)的下端的距离，比从第2活性层(33)的下端到第2端面窗构造(42)的下端的距离短。
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公开(公告)号：CN101047302A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610071540.4
申请日：2006-03-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 在一种能高功率输出的单片双波长半导体激光装置中，通过共同的步骤为每个激光器单元形成窗口结构，由此提高了该装置的可靠性。该半导体激光装置具有单片集成在n型半导体衬底101上的红外激光器单元110和红色激光器单元120。红外和红色激光器单元110和120的每一个都具有在每个谐振器端面上由Zn扩散形成的脊形波导和窗口结构。红外和红色激光器单元110和120包括在各自波导脊上的p型接触层109和119。p型接触层109薄于p型接触层119。
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公开(公告)号：CN1979982A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610153128.7
申请日：2006-12-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种半导体激光元件，包括：第1导电型的半导体基板(1)；第1导电型的包覆层(3)，设置在半导体基板上；活性层(4)，设置在第1导电型的包覆层上；第2导电型的第1包覆层(5)，设置在活性层上；第2导电型的第2包覆层(7)，设置在第1包覆层上，形成沿谐振器方向延长的脊状波导；第2导电型的接触层(9)，设置在第2导电型的第2包覆层上；端面窗结构(11)，杂质扩散到谐振器方向的端面部的活性层区域，能带间隙比作为该端面部以外的部分的增益区域扩大；在第2导电型的包覆层中，与端面窗结构的区域的杂质浓度相比，增益区域的杂质浓度相同或更大。形成折射率变化小的端面窗结构，电阻比以往高，抑制向谐振器方向的Zn扩散。
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公开(公告)号：CN101636820A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200880008459.9
申请日：2008-02-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/452 , H01L2924/0002 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01L2924/00
Abstract: 具备：AuGeNi合金层(13)，设置于n型GaAs层上；叠层体，由上述AuGeNi合金层(13)上所设置的接合金属层(15、17)及上述接合金属层(15、17)上所设置的势垒金属层(16、18)构成；叠层体设置2个周期以上。采用该结构，可以在GaAs类的接触层，特别是n型电极中，限制半导体的Ga及在n型电极上形成欧姆接合所需要的AuGeNi合金层的Ni等的表面扩散，可以提供低电阻的欧姆电极结构体及具有该欧姆电极结构体的半导体元件。
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公开(公告)号：CN1622408A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410096214.X
申请日：2004-11-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0425 , H01S5/222 , H01S5/32325
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有阀值电流小且制作容易的结构，并且具有良好的温度特性和高速应答特性的半导体激光元件，具有n型GaAs基板(101)、n型GaAs基板(101)上形成的n型AlGaInP包覆层(102)、非掺杂量子井活性层(103)、p型AlGaInP第1包覆层(104)、p型GaInP腐蚀阻止层(105)、p型AlGaInP第2包覆层(106)、p型GaInP覆盖层(107)、p型GaAs接触层(108)和n型AlInP阻挡层(109)，具有脊背部和脊背部两侧的突起部，p型GaAs接触层(108)仅形成在脊背部的上面。
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