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公开(公告)号：CN101123343A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710141399.5
申请日：2007-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/2201 , H01S5/221 , H01S5/2218 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/18
Abstract: 衬底上具有多个发光部的半导体激光器，制造工序简化，降低了导波路损失且使水平及垂直扩散角相同。半导体激光装置，在同一衬底(10)上具有红色激光器(A)和红外激光器(B)。红色激光器(A)，是具有条纹(14a)的第一导电型第一包覆层(14)、第二导电型第二包覆层(12)夹着AlGaInP系列活性层(13)的构造。红外激光器(B)，是具有条纹(24a)的第一导电型第三包覆层(24)、第二导电型第四包覆层(22)夹着AlGaAs系列活性层(23)的构造。第一、第二、第三及第四包覆层(依次14、12、24、22)，均为AlGaInP系列，Al∶Ga的组成比依次分别为：X1∶1－X1、X2∶1－X2、X3∶1－X3、X4∶1－X4时，满足X1≥X2以及X3≥X4的关系。
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公开(公告)号：CN1264303C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN02126185.7
申请日：2002-07-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04L5/00
CPC classification number: H04N5/4401 , H04N21/4263 , H04N21/4347 , H04N21/4424 , H04N21/4622
Abstract: 一种多路分离电路，具有输入线路识别信息附加电路(2)、多路复用器(4)、过滤器(6)、及过滤表(7)；该输入线路识别信息附加电路(2)在从多条输入线路(1)分别输入的具有数据识别信息的输入数据附加输入线路识别信息；该多路复用器(4)将由输入线路识别信息附加电路(2)附加了上述各输入线路识别信息后输出的输入数据输出到1根共用线路(5)；该过滤器(6)对从上述多路复用器输出的数据，关于输入线路识别信息和数据识别信息一次进行过滤；该过滤表(7)存放由该过滤器(6)使用的过滤条件。这样，可将电路规模减小到最小限度，同时对多个输入数据进行多路分离处理。
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公开(公告)号：CN101141050B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200710148293.8
申请日：2007-09-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/1039 , H01S5/1064 , H01S5/162 , H01S5/22 , H01S5/4087
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置，目的在于实现在同一衬底上具有多个发光部的半导体激光装置的高拐点电平、低工作电流及低工作电压。半导体激光装置具有各自包括条纹构造的第一发光部及第二发光部。第一发光部的条纹具有宽度沿谐振器方向变化的部分且包括第一前端面，当将第一前端面的宽度设为Wf1、将距第一前端面的距离为L1的位置的宽度设为W1、将距第一前端面的距离为L1+L2的位置的宽度设为W2时，Wf1≥W1、W1＞W2及(Wf1-W1)/2L1＜(W1-W2)/2L2成立。在第二发光部的条纹中，与上述相同的关系成立。
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公开(公告)号：CN101599617A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910203147.X
申请日：2009-06-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/1064 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器装置，在半导体激光器的特性中可全部满足良好的温度特性、高偏光比、没有紊乱的FFP、高扭折光输出，其具备：n型包层；活性层；以及具有条纹状的脊、和分别夹着位于脊一侧的第1沟和位于另一侧的第2沟而设置的翼区域的p型包层。当设前端面的反射率为Rf，共振器端面的后端面的反射率为Rr，前端面附近区域的第1沟的宽度的最小值为W1及第2沟的宽度的最小值为W2，后端面的第1沟的宽度为W3及上述第2沟的宽度为W4时，Rf＜Rr，W1＜W3以及W2＜W4的关系式成立，当设前端面的脊的宽度为Wf，后端面的脊的宽度为Wr时，Wf＞Wr的关系式成立，脊包含由前端面侧向后端面侧宽度减少的区域。
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公开(公告)号：CN101533991A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910127499.1
申请日：2009-03-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/1064 , H01S5/2231 , H01S5/3403 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供一种拐点等级、工作电压、温度特性和水平扩散角被优化的双波长半导体激光器装置。半导体激光器装置包括第1发光部；和发光波长比它大的第2发光部。第1发光部和第2发光部分别具有用来注入载流子的条状脊构造。第1发光部的脊构造包括宽度为Wf1、距离前端面5的长度为L3的第1前端区域；宽度为Wr1、距离后端面的长度为L1的第1后端区域；和位于它们之间的长度为L2的第1锥状区域，且Wf1＞Wr1。第2发光部的脊构造包括：宽度为Wf2、距离前端面的长度为L6的第2前端区域；宽度为Wr2、距离后端面的长度为L4的第2后端区域；和位于它们之间的长度为L5的第2锥状区域，且Wf2＞Wr2。另外，L1+L2+L3＝L4+L5+L6、Wf1＜Wf2以及L1＞L4。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101359806A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810131165.7
申请日：2008-07-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/0655 , H01S5/1039 , H01S5/1064 , H01S5/162 , H01S5/2214 , H01S5/2216 , H01S5/2218 , H01S5/34326
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器装置，使得外部微分量子效率的降低减小，高输出工作的状态下的发光效率的饱和不易产生，可以稳定进行基横模振荡。半导体激光器装置，具备：包含在基板上形成的第1包层、活性层和第2包层的共振器构造，第2包层具有取出激光的前端面与作为该前端面的相反侧端面的后端面之间延伸的条形部20。条形部20，具有设在所述端面侧的第1区域20a；设在后端面侧的第2区域20b；和设在第1区域20a与第2区域20b之间的宽度变化的变化区域20c。变化区域20c上的条形部的内部与外部的有效折射率差，比第1区域20a上的条形部的内部与外部的有效折射率差更大。
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公开(公告)号：CN102130424A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110025560.9
申请日：2011-01-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0655 , H01S5/2022 , H01S5/22
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光装置，其即便使激光束的功率高输出化，也能够使FFP(远视野图像)特性稳定且广角化。其具有：在n型复合层(2)之上形成的活性层(4)；形成在活性层之上，且具有沿光的射出方向延伸的剖面凸状的脊形部(6a)和位于该脊形部的两侧方的平坦部(6b)的p型复合层(6)；形成在两平坦部之上，且具有比p型复合层大的光吸收系数的光吸收层(9)；在包含光吸收层的、p型复合层的上表面及脊形部的侧面形成的绝缘膜(8)。光吸收层具有设置在射出端面侧且脊形部中心到光吸收层的脊形部侧的端面的距离为Di1的第一区域、设置在射出端面的相反侧且脊形部中心到光吸收层的脊形部侧的端面的距离为Di2的第二区域，其中Di1和Di2的关系满足Di1＜Di2。
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公开(公告)号：CN101490915A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780026061.3
申请日：2007-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/223
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/1014 , H01S5/1039 , H01S5/221 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供一种具有脊条构造的半导体激光装置(100)，具备：n型包层(105)，具有凸部；以及n型电流阻碍层(107)，覆盖除凸部的上表面之外的上述包层；设上述上表面的宽度为W，前后两解理面间的距离为L，前方的解理面上的上述上表面的宽度为Wf，后方的解理面上的上述上表面的宽度为Wr时，Wf＞Wr；在与前方的解理面的距离为L/2以内的范围内，上述上表面所占的面积Sc在L/8×(3Wf+Wr)＜Sc≤L/2×Wf的范围内，在上述范围内的任意的位置，W在1/2(Wf+Wr)＜W≤Wf的范围内。
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公开(公告)号：CN101141050A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710148293.8
申请日：2007-09-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/1039 , H01S5/1064 , H01S5/162 , H01S5/22 , H01S5/4087
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置，目的在于实现在同一衬底上具有多个发光部的半导体激光装置的高拐点电平、低工作电流及低工作电压。半导体激光装置具有各自包括条纹构造的第一发光部及第二发光部。第一发光部的条纹具有宽度沿谐振器方向变化的部分且包括第一前端面，当将第一前端面的宽度设为Wf1、将距第一前端面的距离为L1的位置的宽度设为W1、将距第一前端面的距离为L1+L2的位置的宽度设为W2时，Wf1≥W1、W1＞W2及(Wf1－W1)/2L1＜(W1－W2)/2L2成立。在第二发光部的条纹中，与上述相同的关系成立。
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公开(公告)号：CN1398082A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02126185.7
申请日：2002-07-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04L5/00
CPC classification number: H04N5/4401 , H04N21/4263 , H04N21/4347 , H04N21/4424 , H04N21/4622
Abstract: 一种多路复用电路，具有输入线路识别信息附加电路(2)、多路复用器(4)、滤波器(6)、及滤波表(7)；该输入线路识别信息附加电路(2)在从多条输入线路(1)分别输入的具有数据识别信息的输入数据附加输入线路识别信息；该多路复用器(4)将由输入线路识别信息附加电路(2)附加了上述各输入线路识别信息后输出的输入数据输出到1根共用线路(5)；该滤波器(6)对从上述多路复用器输出的数据，关于输入线路识别信息和数据识别信息一次进行过滤；该滤波表(7)存放由该滤波器(6)使用的滤波条件。这样，可将电路规模减小到最小限度，同时对多个输入数据进行多路复用处理。
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