公开(公告)号：CN101533991A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910127499.1

申请日：2009-03-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 早川功二 ,  高山彻 ,  粂雅博 ,  佐藤智也 ,  木户口勋

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/30 ,  H01S5/343 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3432 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/4087 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明提供一种拐点等级、工作电压、温度特性和水平扩散角被优化的双波长半导体激光器装置。半导体激光器装置包括第1发光部；和发光波长比它大的第2发光部。第1发光部和第2发光部分别具有用来注入载流子的条状脊构造。第1发光部的脊构造包括宽度为Wf1、距离前端面5的长度为L3的第1前端区域；宽度为Wr1、距离后端面的长度为L1的第1后端区域；和位于它们之间的长度为L2的第1锥状区域，且Wf1＞Wr1。第2发光部的脊构造包括：宽度为Wf2、距离前端面的长度为L6的第2前端区域；宽度为Wr2、距离后端面的长度为L4的第2后端区域；和位于它们之间的长度为L5的第2锥状区域，且Wf2＞Wr2。另外，L1+L2+L3＝L4+L5+L6、Wf1＜Wf2以及L1＞L4。