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公开(公告)号：CN101599617B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200910203147.X
申请日：2009-06-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/1064 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器装置，在半导体激光器的特性中可全部满足良好的温度特性、高偏光比、没有紊乱的FFP、高扭折光输出，其具备：n型包层；活性层；以及具有条纹状的脊、和分别夹着位于脊一侧的第1沟和位于另一侧的第2沟而设置的翼区域的p型包层。当设前端面的反射率为Rf，共振器端面的后端面的反射率为Rr，前端面附近区域的第1沟的宽度的最小值为W1及第2沟的宽度的最小值为W2，后端面的第1沟的宽度为W3及上述第2沟的宽度为W4时，Rf＜Rr，W1＜W3以及W2＜W4的关系式成立，当设前端面的脊的宽度为Wf，后端面的脊的宽度为Wr时，Wf＞Wr的关系式成立，脊包含由前端面侧向后端面侧宽度减少的区域。
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公开(公告)号：CN101123343B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200710141399.5
申请日：2007-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/2201 , H01S5/221 , H01S5/2218 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/18
Abstract: 衬底上具有多个发光部的半导体激光器，制造工序简化，降低了导波路损失且使水平及垂直扩散角相同。半导体激光装置，在同一衬底(10)上具有红色激光器(A)和红外激光器(B)。红色激光器(A)，是具有条纹(14a)的第一导电型第一包覆层(14)、第二导电型第二包覆层(12)夹着AlGaInP系列活性层(13)的构造。红外激光器(B)，是具有条纹(24a)的第一导电型第三包覆层(24)、第二导电型第四包覆层(22)夹着AlGaAs系列活性层(23)的构造。第一、第二、第三及第四包覆层(依次14、12、24、22)，均为AlGaInP系列，Al∶Ga的组成比依次分别为：X1∶1-X1、X2∶1-X2、X3∶1-X3、X4∶1-X4时，满足X1≥X2以及X3≥X4的关系。
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公开(公告)号：CN101185211A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200680018439.0
申请日：2006-12-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , G11B7/127 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S5/3436 , H01S5/4087
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置及其制造方法。在将红外线激光部(100)和红色激光部(130)装载在同一n型GaAs基板(101)上的单片两波长激光装置中，红外线激光部(100)的p型第一覆盖层(105)和红色激光部(130)的p型第一覆盖层(135)由同一材料构成且彼此具有不同的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN1797877A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510138158.6
申请日：2005-12-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 高山彻
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , G11B7/124 , G11B7/127 , H01S5/028 , H01S5/0655 , H01S5/1003 , H01S5/105 , H01S5/2201 , H01S5/2206 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/18
Abstract: 本发明的半导体激光装置(1)，在基板(10)上具有活性层(13)和夹持上述活性层(13)的2个包覆层(12、14)，在光路上的端面之间形成的波导区域，包含至少分支为2条以上的波导分支区域(20)，上述波导分支区域(20)形成在具有光子带隙的光子结晶中。
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公开(公告)号：CN1574526A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410047569.X
申请日：2004-05-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0655 , H01S5/1014 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2301/18 , H01S2304/04
Abstract: 本发明的半导体激光器装置，在基片(101)上至少含有第1导电型的包覆层(102)、活性层(104)和第2导电型的包覆层(107)，其中，具有用于注入载流子的条形结构(117)，射出激光的谐振器的前方端面的条形的宽度大于位于相反侧的后方端面的条形的宽度，而且，前方端面的反射率低于后方端面的反射率。由此，能够根据半导体激光器内部的谐振器方向的光强度分布，控制载流子向活性层(104)注入，能够谋求降低阈值电流，提高斜度效率及提高纽结水平，能够提供一种在高光输出工作时也能以基横模稳定振荡激光的半导体激光器装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1347177A
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN01136085.2
申请日：2001-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32308 , H01S5/20 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2206 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/3213
Abstract: 一种半导体激光装置,分别在活性层4的下方设有由AlX1Ga1－x1As所构成的n型包层2,在活性层4的上方设有由(AlxGa1－x)yIn1－yP所构成的势垒高度规定用p型包层6。势垒高度规定用p型包层6比n型包层2含有更多的组成元素,势垒高度规定用p型包层6与活性层4之间的导带端的势差大于n型包层2与活性层4之间的导带端的势差。在抑制从活性层4向p型包层6的载流子溢出的同时,还通过在n型包层2上使用热传导率较高的材料抑制热饱和现象来提高光输出。提供抑制了热饱和现象的光输出较高的半导体激光装置。
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公开(公告)号：CN1345474A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN00805557.2
申请日：2000-03-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 高山彻 , 马场孝明 , 詹姆斯·S·哈里斯,Jr·
IPC: H01S5/323 , H01L33/00 , H01L31/0304
CPC classification number: H01S5/32 , H01L29/201 , H01L33/32 , H01S2304/00
Abstract: 本发明披露了一种供半导体结构用的第III族氮化物四元材料体系,包括:激光二极管,晶体管,和光检测器,所述结构减少或消除相分离并提供增加的发射效率。在举例性实施方案中,半导体结构包括:在基本没有相分离下形成的第一导电型的第一InGaAlN层,基本没有相分离的InGaAlN活性层,和基本没有相分离下形成的相反导电型的第三InGaAlN层。
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公开(公告)号：CN1937338B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610100361.9
申请日：2006-06-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/40 , H01S5/162 , H01S5/22 , H01S5/4087
Abstract: 本发明揭示一种多波长半导体激光器器件，通过使每一波长的半导体激光器具有对各波长的出射光取得最佳FFP的不同长度的窗区域，能使各波长具有程度相同的光输出依赖性，从而能方便地进行光学系统的设计。
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公开(公告)号：CN101394065A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810213598.7
申请日：2008-09-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/162 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供一种双波长半导体激光装置及其制造方法，其可以抑制由掺杂剂的扩散引起的不良状况的产生。本发明的双波长半导体激光装置，在化合物半导体构成的基板(10)上，堆积第1半导体激光元件(1)和第2半导体激光元件(2)，将所述第1半导体激光元件(1)的蚀刻阻止层(15)的构成材料用和第2半导体激光元件(2)的蚀刻阻止层(25)的构成材料相比杂质不易扩散的材料。
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公开(公告)号：CN100388576C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200410039739.X
申请日：2004-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 高山彻
CPC classification number: H01S5/2231 , G11B7/123 , H01S5/02248 , H01S5/02292 , H01S5/0421 , H01S5/1014 , H01S5/162 , H01S5/2201 , H01S5/221
Abstract: 本发明提供了远场图(FFP)的光轴稳定化的、在高输出下也可以进行基横模振荡的半导体激光器装置。另外，提供了FFP光轴稳定化的、在高输出下也可以通过基横模振荡进行工作的光学拾取装置。半导体激光器装置在由化合物半导体构成的倾斜衬底上形成，包含有源层和夹着该有源层的两个包覆层，所述包覆层中的一个形成台面状的脊，所述脊包含所述脊的底部的宽度基本固定的第一区域、及所述脊的底部的宽度连续变化的第二区域，所述第二区域位于所述第一区域和光路上的端面之间。
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