公开(公告)号：CN101599617B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200910203147.X

申请日：2009-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高山彻 ,  早川功一 ,  佐藤智也 ,  佐佐木正隼 ,  木户口勋

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/028 ,  H01S5/22 ,  H01S5/24 ,  H01S5/10 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087 ,  H01S2301/14

Abstract: 本发明提供一种半导体激光器装置，在半导体激光器的特性中可全部满足良好的温度特性、高偏光比、没有紊乱的FFP、高扭折光输出，其具备：n型包层；活性层；以及具有条纹状的脊、和分别夹着位于脊一侧的第1沟和位于另一侧的第2沟而设置的翼区域的p型包层。当设前端面的反射率为Rf，共振器端面的后端面的反射率为Rr，前端面附近区域的第1沟的宽度的最小值为W1及第2沟的宽度的最小值为W2，后端面的第1沟的宽度为W3及上述第2沟的宽度为W4时，Rf＜Rr，W1＜W3以及W2＜W4的关系式成立，当设前端面的脊的宽度为Wf，后端面的脊的宽度为Wr时，Wf＞Wr的关系式成立，脊包含由前端面侧向后端面侧宽度减少的区域。

公开(公告)号：CN101599617A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200910203147.X

申请日：2009-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高山彻 ,  早川功一 ,  佐藤智也 ,  佐佐木正隼 ,  木户口勋

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/028 ,  H01S5/22 ,  H01S5/24 ,  H01S5/10 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087 ,  H01S2301/14

Abstract: 本发明提供一种半导体激光器装置，在半导体激光器的特性中可全部满足良好的温度特性、高偏光比、没有紊乱的FFP、高扭折光输出，其具备：n型包层；活性层；以及具有条纹状的脊、和分别夹着位于脊一侧的第1沟和位于另一侧的第2沟而设置的翼区域的p型包层。当设前端面的反射率为Rf，共振器端面的后端面的反射率为Rr，前端面附近区域的第1沟的宽度的最小值为W1及第2沟的宽度的最小值为W2，后端面的第1沟的宽度为W3及上述第2沟的宽度为W4时，Rf＜Rr，W1＜W3以及W2＜W4的关系式成立，当设前端面的脊的宽度为Wf，后端面的脊的宽度为Wr时，Wf＞Wr的关系式成立，脊包含由前端面侧向后端面侧宽度减少的区域。