-
公开(公告)号：CN1347569A
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN00806278.1
申请日：2000-03-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/508 , H01L27/153 , H01L27/156 , H01L33/0062 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/504
Abstract: 一种能够在厚度小、面积大的平板设备中使用的发光二极管结构。在一些实施方案中,该LED结构还带有磷从而使发出的光包括白光以及使其它可见光在色度和亮度上产生变化,并且其可用来提供环境照明和重点照明。该平板光源包括一个具有第一导电类型的第一GaN包复层;形成在第一层上、具有第二导电类型的第二GaN包复层,该第二包复层上至少有一个窗口区域形成在第一包复层上面;一个InxGa1－xN活性层;以及形成在第二包复层上的、具有相反导电类型的第三包复层。加入一个或多个用来将第一波长的光转换成第二波长光的磷层以提供复合光。
-
公开(公告)号：CN1345474B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN00805557.2
申请日：2000-03-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 高山彻 , 马场孝明 , 詹姆斯S.哈里斯,Jr.
IPC: H01S5/323 , H01L33/00 , H01L31/0304
CPC classification number: H01S5/32 , H01L29/201 , H01L33/32 , H01S2304/00
Abstract: 本发明披露了一种供半导体结构用的第III族氮化物四元材料体系，包括：激光二极管，晶体管，和光检测器，所述结构减少或消除相分离并提供增加的发射效率。在举例性实施方案中，半导体结构包括：在基本没有相分离下形成的第一导电型的第一InGaAlN层，基本没有相分离的InGaAlN活性层，和基本没有相分离下形成的相反导电型的第三InGaAlN层。
-
公开(公告)号：CN1347582A
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN00806277.3
申请日：2000-03-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 高山彻 , 马场孝明 , 詹姆斯E·哈里斯,Jr
CPC classification number: H01L33/32 , H01L31/1035 , H01S5/32341
Abstract: 本发明披露了一种供半导体结构用的第III族氮化物四元材料体系,包括:激光二极管,晶体管,和光检测器,所述结构减少或消除相分离并提供增加的发射效率和可靠性。在举例性实施方案中,半导体结构包括:在基本没有相分离下形成的第一导电型的第一GaAlNAs层,基本没有相分离的GaAlNAs活性层,和基本没有相分离下形成的相反导电型的第三GaAlNAs层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1255583C
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN97117796.1
申请日：1997-08-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C30B29/38
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02658
Abstract: 为降低氮化镓晶体内的位错密度和可以进行解理，在硅衬底上形成碳化硅薄膜和第一氮化镓晶体之后，只将硅衬底在诸如氢氟酸和硝酸之类混合的酸溶液中除去。接着，在留下来不除去的碳化硅薄膜和第一氮化镓晶体上形成第二氮化镓晶体。
-
公开(公告)号：CN1149638C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN98116669.5
申请日：1998-07-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02392 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L21/02658
Abstract: 目的是在立方晶体III-V族化合物半导体衬底上边，形成表面平坦性和结晶性良好的立方晶体氮化物半导体晶体。其构成是：具有含铝的立方晶体半导体层，在氮化合物气氛中加热该半导体层2，使半导体层的一个表面氮化，之后，采用向上述半导体层上供给氮化合物和含III族元素的化合物的办法，在上述半导体层2上形成立方体氮化物半导体层3。
-
公开(公告)号：CN1202291C
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN98106378.0
申请日：1998-04-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/0245 , H01L21/02472 , H01L21/02488 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L21/02513 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02658 , H01L21/02667
Abstract: 本发明在于提供一种具有优异结晶性能的氮化镓厚膜结晶。本发明系在硅衬底1上形成非晶态二氧化硅薄膜2，然后，在该二氧化硅薄膜2上，形成单晶硅薄膜3，再在单晶硅薄膜3上形成氮化镓4。
-
公开(公告)号：CN1180135C
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN98106206.7
申请日：1998-04-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01S5/30
CPC classification number: C30B25/18 , C30B25/02 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供一种制备平坦性、结晶性优异的氮化镓厚膜晶体的方法。该方法包括通过在含镓的气氛中加热硅基板1、在基板表面形成含仅一个金属镓原子的生长核、使其与基板结合的第一工序、在上述硅基板1上形成第一氮化镓3的第二工序和在上述第一氮化镓3的上面于比上述第一氮化镓3的形成温度高的温度形成第二氮化镓4的第三工序。
-
公开(公告)号：CN1345474A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN00805557.2
申请日：2000-03-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 高山彻 , 马场孝明 , 詹姆斯·S·哈里斯,Jr·
IPC: H01S5/323 , H01L33/00 , H01L31/0304
CPC classification number: H01S5/32 , H01L29/201 , H01L33/32 , H01S2304/00
Abstract: 本发明披露了一种供半导体结构用的第III族氮化物四元材料体系,包括:激光二极管,晶体管,和光检测器,所述结构减少或消除相分离并提供增加的发射效率。在举例性实施方案中,半导体结构包括:在基本没有相分离下形成的第一导电型的第一InGaAlN层,基本没有相分离的InGaAlN活性层,和基本没有相分离下形成的相反导电型的第三InGaAlN层。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.028 seconds)
