公开(公告)号：CN101185211A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200680018439.0

申请日：2006-12-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村泽智 ,  高山彻 ,  中山久志 ,  藤本康弘 ,  木户口勋

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/227 ,  H01S5/343 ,  G11B7/125

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  G11B7/127 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3436 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置及其制造方法。在将红外线激光部(100)和红色激光部(130)装载在同一n型GaAs基板(101)上的单片两波长激光装置中，红外线激光部(100)的p型第一覆盖层(105)和红色激光部(130)的p型第一覆盖层(135)由同一材料构成且彼此具有不同的杂质浓度。

公开(公告)号：CN101047301B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200710088516.6

申请日：2007-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤本康弘 ,  高山彻 ,  村泽智 ,  中山久志 ,  木户口勋

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/2231 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34326 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光元件及其制造方法。半导体激光元件，在半导体衬底(101)上具有从距半导体衬底(101)较近的一侧依次层叠第一包覆层(103)、活性层(104)及第二包覆层(105)而成的叠层结构。第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，对半导体衬底(101)具有压缩应变，并且第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，包含对半导体衬底(101)具有拉伸应变的半导体层(106)。因此，能够提供一种具有能够提高元件可靠性的结构的半导体激光元件。

公开(公告)号：CN1992454A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610110844.7

申请日：2006-08-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高山彻 ,  村泽智 ,  藤本康弘 ,  中山久志 ,  木户口勋

IPC: H01S3/22 ,  H01S5/227 ,  H01S5/343 ,  H01S5/40 ,  H01S5/026 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明公开了半导体激光装置及其制造方法。目的在于：能够在形成在同一衬底上的多波长半导体激光装置中，再现性良好地获得可高温动作且具有低噪音特性的自振动型激光。在红外激光区域中，在衬底10上依次叠层有下侧覆盖层12、活性层13、第一上侧覆盖层14、蚀刻停止层15、以及成为脊部的第二上侧覆盖层16。在红色激光区域中，在衬底10上依次叠层有下侧覆盖层22、活性层23、第一上侧覆盖层24、蚀刻停止层25、以及成为脊部的第二上侧覆盖层26。红外激光的蚀刻停止层15的厚度与红色激光的蚀刻停止层25的厚度不同。

公开(公告)号：CN101047301A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710088516.6

申请日：2007-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤本康弘 ,  高山彻 ,  村泽智 ,  中山久志 ,  木户口勋

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/2231 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34326 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光元件及其制造方法。半导体激光元件，在半导体衬底(101)上具有从距半导体衬底(101)较近的一侧依次层叠第一包覆层(103)、活性层(104)及第二包覆层(105)而成的叠层结构。第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，对半导体衬底(101)具有压缩应变，并且第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，包含对半导体衬底(101)具有拉伸应变的半导体层(106)。因此，能够提供一种具有能够提高元件可靠性的结构的半导体激光元件。

公开(公告)号：CN1976145A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610125744.1

申请日：2006-08-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村泽智 ,  高山彻 ,  木户口勋

IPC: H01S5/065 ,  H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/3436 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光元件。该元件在衬底(101)上包括发光部，该部具有第一包覆层(103)，形成在其上的活性层(104)，形成在其上、具有将电流注入活性层(104)中的脊状条部(111)的第二包覆层(105)及形成在脊状条部(111)两侧、将电流约束到脊状条部(111)中的电流约束层(109)。从电流约束层(109)下表面到活性层(104)上表面的距离(d1)具有规定范围内的值。电流在流过脊状条部(111)后，到达活性层(104)前分散到宽度大于或等于脊状条部(111)宽度的范围。因此能提供纵模能在广泛的温度范围内稳定地维持多模式振荡特性及温度特性，并且温度特性很良好的半导体激光元件。