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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1326300C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN01117441.2
申请日：2001-04-28
Applicant: 朗迅科技公司
Inventor： 詹姆斯·N·贝拉基恩 , 菲德里克·卡帕索 , 阿尔弗雷德·Y·乔 , 克莱尔·F·格玛彻 , 阿尔伯特·L·哈彻森 , 罗伯托·佩拉 , 德伯拉·L·斯夫克
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/065 , H01S5/0657 , H01S5/2214 , H01S5/2216 , H01S5/2275 , H01S5/3402
Abstract: 形成了一种自锁模(SML)中红外(5和8μm)量子级联激光器，它包括较薄的介电绝缘层(即厚度小于0.5微米)-其上叠置有一个高光学损耗(即吸收)层，并具有较长(大约3.5mm)的光波导。从测量的光谱和相应的干涉图以及用快速量子井红外光检测器探测的光电流的rf谱，获得了锁模的证据。从这些数据推断出大约3皮秒的脉冲宽度估计值。
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公开(公告)号：CN1323083A
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：CN01117441.2
申请日：2001-04-28
Applicant: 朗迅科技公司
Inventor： 詹姆斯·N·贝拉基恩 , 菲德里克·卡帕索 , 阿尔弗雷德·Y·乔 , 克莱尔·F·格玛彻 , 阿尔伯特·L·哈彻森 , 罗伯托·佩拉 , 德伯拉·L·斯夫克
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/065 , H01S5/0657 , H01S5/2214 , H01S5/2216 , H01S5/2275 , H01S5/3402
Abstract: 形成了一种自锁模(SML)中红外(5和8μm)量子级联激光器,它包括较薄的介电绝缘层(即厚度小于0.5微米)－其上叠置有一个高光学损耗(即吸收)层,并具有较长(大约3.5mm)的光波导。从测量的光谱和相应的干涉图以及用快速量子井红外光检测器探测的光电流的rf谱,获得了锁模的证据。从这些数据推断出大约3皮秒的脉冲宽度估计值。
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公开(公告)号：CN1352479A
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：CN01117576.1
申请日：2001-07-03
Applicant: 朗迅科技公司
Inventor： 费德里科·卡帕索 , 阿尔弗雷德·Y·乔 , 孙-尼·G·楚 , 克莱尔·F·格玛楚 , 阿伯特·L·哈沁森 , 阿瑟·M·瑟贞特 , 德伯拉·L·斯夫科 , 阿利桑德罗·特莱迪库奇 , 迈克尔·C·万克
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/3402 , H01S5/3407
Abstract: ISB光发射器的RT区包括预偏移SL和多个分裂的量子阱(SPQW)。SPQW是被足够薄的第一势垒层分裂成多个子阱的量子阱,该足够薄的第一势垒层把上能态与下能态分裂,分裂宽度超过它们的自然增宽,并对每个RT区内的不同微能带产生影响。与之相反,相邻的SPQW则通过第二势垒层相互耦合。要选取后一种层的厚度,使横越每个RT区上建立微能带。在一个实施例中,该发射器包括相邻RT区之间的I/R区,而在另一个实施例中,则省去I/R区。
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公开(公告)号：CN1279669C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN01117576.1
申请日：2001-07-03
Applicant: 朗迅科技公司
Inventor： 费德里科·卡帕索 , 阿尔弗雷德·Y·乔 , 孙-尼·G·楚 , 克莱尔·F·格玛楚 , 阿伯特·L·哈沁森 , 阿瑟·M·瑟贞特 , 德伯拉·L·斯夫科 , 阿利桑德罗·特莱迪库奇 , 迈克尔·C·万克
IPC: H01S5/34
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/3402 , H01S5/3407
Abstract: 子能带间光发射器的辐射跃迁区包括预偏置超晶格和多个分裂的量子阱。分裂的量子阱是足够薄的第一势垒层分裂成多个阱的量子阱，该足够薄的第一势垒层把上能态与下能态分裂，分裂宽度超过它们的自然增宽，并对每个辐射跃迁区内的不同微能带产生影响。与之相反，相邻的分裂的量子阱则通过第二势垒层相互耦合。要选取后一种层的厚度，使横越每个辐射跃迁区上建立微能带。在一个实施例中，该发射器包括相邻辐射跃迁区之间的注入/弛豫区，而在另一个实施例中，则省去注入/弛豫区。
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公开(公告)号：CN1332502A
公开(公告)日：2002-01-23
申请号：CN01117577.X
申请日：2001-07-03
Applicant: 朗迅科技公司
Inventor： 詹姆斯·N·柏拉根 , 费德里科·卡帕索 , 阿尔弗雷德·Y·乔 , 克莱尔·F·格玛楚 , 阿伯特·L·哈沁森 , 哈罗德·Y·黄 , 罗伯托·帕特拉 , 阿瑟·M·瑟贞特 , 德伯拉·L·斯夫科 , 阿利桑德罗·特莱迪库奇
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/1064 , H01S5/12 , H01S5/1228 , H01S5/2205 , H01S5/2218 , H01S5/222 , H01S5/2224 , H01S5/2227 , H01S5/227 , H01S5/3402
Abstract: 在台面状半导体激光器中,用于限定台面顶部上的带状接触并且提供有效波导的布图介电涂层包括硫族化物玻璃。具体介绍了在次能带间(量子级)激光器的应用。
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