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公开(公告)号：CN116544289A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310378430.6
申请日：2023-03-31
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/0304 , H01L31/18
摘要： 本公开公开了一种具有复合基板的衬底、半导体器件及衬底的制备方法，属于半导体技术领域。该衬底包括复合基板；复合基板包括基板主体和ZnO层，ZnO层位于基板主体的一面。本公开能够有效的解决晶格失配的问题。
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公开(公告)号：CN113410353B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110474333.8
申请日：2021-04-29
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的氮化镓层、N型层、有源层、复合P型层、以及复合P型接触层；所述复合P型层包括第一P型层和经过氧等离子体处理的第二P型层，所述第一P型层为氮化镓层，所述第二P型层为氧化镓层；所述复合P型接触层包括第一接触层和经过氧等离子处理的第二接触层，所述第一接触层为氮化镓层，所述第二接触层为氧化镓层。采用该发光二极管外延片可以使得更多的电子与空穴在多量子阱层辐射复合发光，提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN112951960B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202110125820.3
申请日：2021-01-29
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。在衬底与n型层之间增加复合缓冲层，且复合缓冲层包括依次层叠的AlN子层及AlGaN子层。AlN子层包括层叠在衬底上的AlN膜及多个间隔分布在AlN膜上的AlN柱状凸起。AlGaN子层包括对应同轴覆盖在一个AlN柱状凸起的外周壁上的多个AlGaN筒，每个AlGaN筒的外径由每个AlGaN筒靠近AlN膜的一端至每个AlGaN筒远离AlN膜的一端减小，则相邻的AlGaN筒的外周壁之间会留存有类似倒锥形的间隙，阻止位错的延伸，这一空间接近衍射光栅的结构，也可以有效抑制光的横向传播，以提高发光二极管的出光效率。
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公开(公告)号：CN113684537B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110719294.3
申请日：2021-06-28
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种金属有机化学气相沉积设备及使用方法，属于外延生长技术领域。金属有机气相沉积设备包括反应腔、生长结构与加热结构。生长结构中的位于反应腔内的外延托盘可以用于对衬底进行支撑，驱动组件可以用于驱动外延托盘正常转动以实现生长。加热结构包括加热件与升降组件，相连的加热件与升降组件均位于外延托盘与反应腔的底部之间，且加热件与升降组件在外延托盘指向反应腔的底部的方向上依次分布。快速降温时，可以使外延托盘上升，加热件快速下降，温度快速变化。温度调整所需的时间较短，可以降低温度需求跨度较大的外延材料的制备成本并提高外延材料的制备效率。
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公开(公告)号：CN113652743B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110710611.5
申请日：2021-06-25
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种石墨基板，属于半导体技术领域。所述石墨基板的上表面具有用于容纳衬底的多圈凹槽，每圈所述凹槽均包括沿所述石墨基板的周向布置的多个凹槽，所述石墨基板的上表面层叠铺设有至少一层凸起，每层所述凸起均为圆形，且每层所述凸起的外周壁均呈波纹状，所述至少一层凸起与所述石墨基板同轴，且所述至少一层凸起的直径小于所述石墨基板的直径，所述至少一层凸起铺设在所述石墨基板的上表面以及所述多个凹槽的槽底和槽壁上。在本公开提供的石墨基板上生长外延片，可以使得外延片各个区域的发光波长一致，从而可以提高外延片的片内均匀性，保证边缘良率。
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公开(公告)号：CN113322447B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202110368008.3
申请日：2021-04-06
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/455 , C30B25/12 , C30B25/14 , H01L33/00
摘要： 本公开提供了一种提高外延片波长均匀性的石墨基板及其制造方法，属于半导体技术领域。所述石墨基板为圆盘，所述石墨基板的第一表面上具有用于容纳外延片的多个圆形槽，所述多个圆形槽的圆心位于至少两个第一同心圆上，所述石墨基板的第一表面上还具有多个圆形凹坑，所述多个圆形凹坑的圆心位于至少一个第二同心圆上，所述至少一个第二同心圆和所述至少两个第一同心圆的圆心重合，且所述第一同心圆和所述第二同心圆交替设置。该石墨基板可以降低流至石墨基板边缘的Mo源气流的流速，改善石墨基板边缘离心力大、Mo源流速过快的问题，进而可以改善在石墨基板上生长的外延片外圈边缘波长偏短或偏长的问题，使得外延片各个区域的发光波长一致。
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公开(公告)号：CN114093989A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111160679.7
申请日：2021-09-30
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种深紫外发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述深紫外发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的第一AlN层、第二AlN层、N型层、有源层、电子阻挡层、P型层和P型接触层；所述第一AlN层的半径小于所述衬底的半径，所述第一AlN层是采用物理气相沉积法沉积得到的，所述第二AlN层是采用金属有机化合物化学气相沉淀法生长而成的。该深紫外发光二极管外延片可以有效释放应力，抑制AlN生长过程中裂纹的产生，改善晶体质量，并提升深紫外发光二极管的光电性能。
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公开(公告)号：CN113990940A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111004799.8
申请日：2021-08-30
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种碳化硅外延结构及其制造方法，属于半导体技术领域。所述碳化硅外延结构包括基底以及依次层叠在所述基底上的界面处理层、成核层和SiC厚层，所述基底包括多个周期交替生长的GaN层和AlN层，所述界面处理层包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层为未掺杂的SiC层，所述第二子层为掺Si的SiC层，所述成核层为表面具有多个三角锥状凸起的SiC层，所述SiC厚层的厚度为80～100um。采用该碳化硅外延结构可以生长较厚的SiC层，并保证生长出的SiC外延结构的质量。
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公开(公告)号：CN113690172A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110739044.6
申请日：2021-06-30
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L33/00 , C23C16/455 , C23C16/458 , C30B25/12 , C30B25/14
摘要： 本公开提供了一种提高外延片波长均匀性的石墨基板，属于半导体技术领域。所述石墨基板包括多个子基板和连接轴，所述多个子基板呈环形间隔连接在所述连接轴的外周壁上，且所述多个子基板呈涡轮扇叶状布置，每个所述子基板的上表面均具有用于容纳衬底的至少一个凹槽，所述多个子基板上的多个凹槽呈多圈环形布置。在本公开提供的石墨基板上生长外延片，可以改善在石墨基板各凹槽内生长的外延片的波长均匀性。
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公开(公告)号：CN113644174A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110670302.X
申请日：2021-06-17
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本发明公开了具有p型复合层的发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管制作领域。在多量子阱层上生长p型复合层，p型复合层包括p型InGaN层与p型GaN层，In元素有降低Mg的活化能的效果，可以提高p型InGaN层与p型GaN层中Mg的激活率以提高空穴数量。p型InGaN层插设在p型GaN层中，p型InGaN层可以作为低势垒区，存储部分空穴，对空穴起到扩展作用，以使得空穴可以更均匀地进入多量子阱层中，提高发光二极管的发光均匀度。发光二极管的发光效率与发光均匀度均可以得到提高。
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