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公开(公告)号：CN113322447B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202110368008.3
申请日：2021-04-06
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/455 , C30B25/12 , C30B25/14 , H01L33/00
摘要： 本公开提供了一种提高外延片波长均匀性的石墨基板及其制造方法，属于半导体技术领域。所述石墨基板为圆盘，所述石墨基板的第一表面上具有用于容纳外延片的多个圆形槽，所述多个圆形槽的圆心位于至少两个第一同心圆上，所述石墨基板的第一表面上还具有多个圆形凹坑，所述多个圆形凹坑的圆心位于至少一个第二同心圆上，所述至少一个第二同心圆和所述至少两个第一同心圆的圆心重合，且所述第一同心圆和所述第二同心圆交替设置。该石墨基板可以降低流至石墨基板边缘的Mo源气流的流速，改善石墨基板边缘离心力大、Mo源流速过快的问题，进而可以改善在石墨基板上生长的外延片外圈边缘波长偏短或偏长的问题，使得外延片各个区域的发光波长一致。
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公开(公告)号：CN113540305A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110591165.0
申请日：2021-05-28
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种提高发光效率的紫外发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。将提高发光效率的紫外发光二极管芯片中与p型GaN欧姆接触层相接触的，p型氮化镓材料、氧化钼材料与Al金属材料之间可具有较好的粘附性；氧化钼的功函数与p型氮化镓的费米能级较为接近，氧化钼层可以与p型GaN欧姆接触层之间形成良好的欧姆接触，使得p电极与p型GaN欧姆接触层之间的欧姆接触较低，p电极与p型GaN欧姆接触层之间的欧姆接触较低。另外氧化钼在短波紫外波段具有较高的透过率，提高紫外发光二极管的外量子发光效率。最终可以得到发光效率有效提高且性能稳定的紫外发光二极管。
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公开(公告)号：CN113540294A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110593081.0
申请日：2021-05-28
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管技术领域。材料为本征AlGaN材料的AlGaN欧姆接触层本身的质量好，且对紫外光线的透过率高，减小对紫外光线的吸收以提高出光率。而使氯气电离的Cl‑作用于AlGaN欧姆接触层的表面，Cl‑与AlGaN欧姆接触层中的Ga存在共价键作用，在欧姆接触层的表面形成氯单分子层，达到使欧姆接触层的表面功函数得到明显降低的效果，从而有利于欧姆接触层与后续的电极金属导电层形成良好的欧姆接触，电极金属与AlGaN欧姆接触层之间的欧姆接触较低，紫外发光二极管所需的工作电压会较低，也可以提高紫外发光二极管的使用寿命。
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公开(公告)号：CN112216742A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010883958.5
申请日：2020-08-28
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/36 , H01L21/335
摘要： 本公开提供了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片包括衬底以及层叠在所述衬底上的缓冲层、高阻缓冲层、沟道层、AlGaN势垒层和帽层，所述帽层包括交替生长的第一子层和第二子层，所述第一子层为GaN层，所述第二子层为InGaN层，所述第一子层和所述第二子层中均掺杂有主掺杂元素，所述主掺杂元素为Be或Mg，所述第二子层中还掺杂有辅助掺杂元素，所述辅助掺杂元素为O、Mg、Si或Zn。该氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片可以减少络合物的产生，降低帽层中P型掺杂剂的激活能，从而获得高掺杂浓度的P型帽层。
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公开(公告)号：CN109411581B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201810949620.8
申请日：2018-08-20
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、浅量子阱层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述浅量子阱层、所述有源层、所述电子阻挡层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述浅量子阱层包括多个浅阱层和多个浅垒层，所述多个浅阱层和所述多个浅垒层交替层叠设置；所述浅阱层为未掺杂的氮化铟镓层，所述浅垒层包括未掺杂的氮化镓层以及插入在所述氮化镓层中的至少一个未掺杂的氮化铝铟层。本发明使浅量子阱层作为N区一侧的电子阻挡层，与P区一侧设置的电子阻挡层搭配，有效避免电子跃迁到P型半导体层中与空穴进行非辐射复合。
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公开(公告)号：CN109065679B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201810697545.0
申请日：2018-06-29
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，有源层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的阱层、盖层和垒层，所述阱层的材料为InGaN，所述垒层的材料为GaN，所述盖层的材料为BxGa1‑xN，0＜x＜1。本发明通过在InGaN和GaN之间插入一层BGaN，可以防止In的析出，同时由于B原子的尺寸较小，BGaN可以提供拉应力，改善InGaN和GaN之间的晶格失配，降低由于InGaN和GaN晶格失配带来的压电极化场，提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN108336198B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201711429144.9
申请日：2017-12-26
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片的多量子阱层包括多个周期交替生长的量子阱层和量子垒层，多量子阱层中最靠近插入层的1～5个量子垒层为第一量子垒层，第一量子垒层中均掺杂有Mg，且Mg的掺杂浓度为1017～1019/cm3，Mg可以提高空穴的迁移能力，同时还可以拉高多量子阱层中靠近P型层处的导带能级，阻挡电子向P型层迁移，改善电子和空穴的有效分布，提高电子和空穴的复合效率，从而提高LED的发光效率。每个第一量子垒层的厚度为3～20nm，电子阻挡层的厚度为0～30nm。由于空穴的浓度增加，可以减少对电子的阻挡，从而可以减小电子阻挡层的厚度，减小引入电子阻挡层造成的阻碍空穴注入的影响。
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公开(公告)号：CN112366174B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202011065395.5
申请日：2020-09-30
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , H01L33/00 , C23C16/18 , C23C16/458
摘要： 本公开提供了一种石墨基座和MOCVD设备，属于半导体技术领域。所述石墨基座为圆盘形结构，所述石墨基座的一个圆形端面上设有多个圆形槽和至少一个三棱锥形凸起；所述多个圆形槽的中心分布在至少两个圆环内，每个所述圆环的圆心与所述圆形端面的圆心重合；所述至少一个三棱锥形凸起分布在至少一个所述圆环远离所述石墨基座的中心的区域内，每个所述三棱锥形凸起位于相邻的两个所述圆形槽之间，每个所述三棱锥形凸起所位于的两个所述圆形槽分布在同一个所述圆环内。本公开在石墨基座设有多个圆形槽的圆形端面上增设至少一个三棱锥形凸起，可以减少圆形槽远离石墨基座中心的区域的反应气体，提高外延片的发光均匀性。
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公开(公告)号：CN113652742B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202110693598.7
申请日：2021-06-22
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种用于提高外延片波长一致性的石墨基板，属于半导体技术领域。所述石墨基板为多棱柱结构，所述石墨基板的外周壁具有多个棱柱面，且任意相邻的两个所述棱柱面的连接处均具有一个V型槽，所述V型槽沿所述石墨基板的径向向内凹陷，且所述V型槽长度等于所述石墨基板的轴向长度。在本公开提供的石墨基板上生长外延片，可以使得外延片各个区域的发光波长一致，从而可以提高外延片的片内均匀性，保证边缘良率。
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公开(公告)号：CN113652667A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110691679.3
申请日：2021-06-22
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种改善外延片波长均匀性的石墨基板，属于半导体技术领域。石墨基板包括多个子基板和连接轴，多个子基板的结构均相同，每个子基板均为扇形，多个子基板围绕连接轴的周向间隔布置，且多个子基板的一端均与连接轴连接；每个子基板的上表面均具有多个弧形区域，每个弧形区域内均具有用于容纳衬底的至少一个凹槽，且多个子基板上的同一弧形区域内的至少一个凹槽呈环形布置；从子基板的靠近连接轴的一端至子基板的远离连接轴的一端，每个弧形区域的厚度逐渐减小。在本公开提供的石墨基板上生长外延片，可以改善在石墨基板各凹槽内生长的外延片的波长均匀性。
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