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公开(公告)号：CN118581431A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202310201660.5
申请日：2023-03-03
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请公开了一种调平工装及磁控溅射设备的磁性组件的调平方法，调平工装用于对磁控溅射设备的磁性组件进行水平调节，包括：手持部，所述手持部设置有从顶面贯穿至底面的第一连接孔；支撑部，与所述手持部的外壁连接，并且环绕所述手持部设置，用于在调平时支撑在所述磁控溅射设备的上电极腔的侧壁上，所述支撑部包括用于避让所述上磁性组件的调平件和紧固螺钉的镂空区；升降轴，相对于所述手持部可升降地设置于所述第一连接孔内；至少一个测量板，与所述升降轴的底端连接，并且由所述升降轴向远离所述升降轴的方向水平延伸。本申请的调平工装可以使调平操作简单快速，可以提高生产效率。
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公开(公告)号：CN112349639B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202011164872.3
申请日：2020-10-27
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/677
摘要： 本发明公开一种晶圆转载装置及半导体工艺设备，晶圆转载装置包括支架、驱动机构和托盘承载部；驱动机构的驱动端与托盘承载部连接；托盘承载部具有第一预设位置和第二预设位置；在托盘承载部处于第一预设位置的情况下，托盘承载部的承载面低于晶圆承载盒的托盘支架的承载面；在托盘承载部处于第二预设位置的情况下，托盘承载部的承载面高于托盘支架的承载面；当托盘承载部由第一预设位置向第二预设位置切换时，托盘承载部可托起托盘，托盘由托盘支架转载至托盘承载部上；当托盘承载部由第二预设位置向第一预设位置切换时，托盘承载部可将托盘转载至托盘支架上。上述方案能够解决托盘在转载的过程中容易烫伤操作人员的问题。
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公开(公告)号：CN117737674A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410115459.X
申请日：2024-01-26
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请公开一种工艺腔室及半导体工艺设备，涉及镀膜设备技术领域，所公开的工艺腔室包括腔体以及设置于腔体中的内衬和接地装置；接地装置包括承载件和至少两个导电部，承载件与腔体的内壁连接，且环绕设置于内衬的外侧壁，至少两个导电部分别与承载件滑动连接，且可沿内衬的外侧壁的周向运动，导电部的一端与内衬的外侧壁导电接触，以使内衬通过腔体接地。由于内衬可通过导电部的滑动调整接地位置，以使内衬上各处的电压均匀分布，从而使工艺腔室内的等离子体分布更加均匀，进而提升了膜层的均匀性和半导体的良品率。
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公开(公告)号：CN114086146B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202111368801.X
申请日：2021-11-18
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C14/50 , C23C14/52 , C23C14/22 , H01L21/687
摘要： 本申请实施例提供了一种半导体工设备及其承载装置。该承载装置包括：基座、承载板及至少一组测温结构，每组测温结构均包括两个测温机构；其中，基座层叠设置于与承载板上方，用于承载晶圆；每个测温机构均包括测温组件及支撑组件，测温组件的顶端与基座连接，用于检测基座的温度信号；支撑组件顶端与测温组件底端顶抵，支撑组件的底端与承载板连接，用于传输温度信号。本申请实施例实现了基座与承载板非硬连接的情况下对基座进行测温，避免承载装置突然运动(尤其是下降时)或有外界振动干扰时检测结果出现异常，从而保证了本申请实施例的稳定性。
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公开(公告)号：CN110911320B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201911251679.0
申请日：2019-12-09
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种冷却装置及其控制方法、半导体加工设备。冷却装置用于对托盘进行冷却，其包括腔室以及设置于腔室内的驱动单元、冷却单元及加热单元；所述驱动单元用于驱动所述托盘移动，以带动所述托盘选择性位于第一位置或第二位置；所述冷却单元用于对所述托盘进行冷却，当所述托盘位于第一位置时以第一速率对所述托盘降温，当所述托盘位于第二位置时以第二速率对所述托盘降温，且所述第二速率大于所述第一速率；所述加热单元用于选择性对所述托盘进行加热，以调整所述冷却单元对所述托盘冷却的速率。本申请实施例实现了稳定托盘的冷却速度，从而可以有效提高冷却效率，进而使得托盘的冷却不再成为影响产能的瓶颈。
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公开(公告)号：CN111128845B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201911292324.6
申请日：2019-12-16
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 马迎功 , 董博宇 , 郭冰亮 , 武学伟 , 武树波 , 赵晨光 , 翟洪涛 , 杨依龙 , 杨健 , 甄梓杨 , 宋玲彦 , 孙鲁阳 , 李新颖 , 刘玉杰 , 许文学 , 张璐 , 崔亚欣
IPC分类号： H01L21/687 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/50
摘要： 一种应用于薄膜沉积装置的托盘，包括：第一盘体、第二盘体以及连接组件。第一盘体包括用于承载晶圆的多个通孔，且第一盘体下表面设置有多个第一槽位。第二盘体的尺寸与第一盘体的尺寸相对应，且第二盘体上表面设置有多个第二槽位。第二槽位的形状及位置与第一槽位的形状及位置相对应。连接组件位于一一对应的第一槽位及第二槽位之间，用于实现第一盘体和第二盘体的固定连接。第一盘体采用第一材质制备，第二盘体采用第二材质制备,且第一材质的热膨胀系数与待沉积薄膜的热膨胀系数的相对偏差值小于20％，以减少对所述晶圆沉积薄膜时的应力影响；第一材质的体积电阻率大于第二材质的体积电阻率，以使在对晶圆沉积薄膜时第一盘体形成绝缘体。
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公开(公告)号：CN114959559A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210586343.5
申请日：2022-05-27
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C14/02 , C23C14/14 , C23C14/35 , H01L21/768
摘要： 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其上电极机构。该上电极机构包括：电源装置、馈入组件及调节组件；馈入组件包括有引入杆、引入板及连接杆，引入杆的两端分别与电源装置及引入板连接，并且引入杆与引入板同轴设置；多个连接杆围绕引入杆的轴线均匀分布，并且每个连接杆的一端通过调节组件与引入板选择性连接，另一端与靶材连接；调节组件包括有多个调节块，多个调节块与多个连接杆一一对应设置，用于选择性将连接杆与引入板连接，以使引入板能通过连接杆向靶材提供功率。本申请实施例实现了对靶材接收功率的均匀性进行调节，从而使得靶材接收到的功率较为均匀，进而提高膜厚的均匀性问题。
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公开(公告)号：CN111501004B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202010387661.X
申请日：2020-05-09
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/00
摘要： 本发明提供一种温度控制方法和系统、半导体设备，该方法包括以下步骤：S1，使用加热装置对被加工工件进行加热，且在加热过程中根据预设的功率调节规则调节加热装置的输出功率，直至被加工工件的温度达到预设的第一目标值，其中，第一功率调节规则用于控制加热装置的输出功率随被加工工件的温度升高而增大；S2，使用加热装置继续对被加工工件进行加热，且在加热过程中实时检测被加工工件的温度值，并根据该温度值调节加热装置的输出功率，以使被加工工件的温度达到预设目标值。本发明提供的温度控制方法和系统的技术方案，可以在保证加热速率的基础上，减小加热功率的波动，有效减少碎盘的发生。
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公开(公告)号：CN111128845A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911292324.6
申请日：2019-12-16
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 马迎功 , 董博宇 , 郭冰亮 , 武学伟 , 武树波 , 赵晨光 , 翟洪涛 , 杨依龙 , 杨健 , 甄梓杨 , 宋玲彦 , 孙鲁阳 , 李新颖 , 刘玉杰 , 许文学 , 张璐 , 崔亚欣
IPC分类号： H01L21/687 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/50
摘要： 一种应用于薄膜沉积装置的托盘，包括：第一盘体、第二盘体以及连接组件。第一盘体包括用于承载晶圆的多个通孔，且第一盘体下表面设置有多个第一槽位。第二盘体的尺寸与第一盘体的尺寸相对应，且第二盘体上表面设置有多个第二槽位。第二槽位的形状及位置与第一槽位的形状及位置相对应。连接组件位于一一对应的第一槽位及第二槽位之间，用于实现第一盘体和第二盘体的固定连接。第一盘体采用第一材质制备，第二盘体采用第二材质制备,且第一材质的热膨胀系数与待沉积薄膜的热膨胀系数的相对偏差值小于20％，以减少对所述晶圆沉积薄膜时的应力影响；第一材质的体积电阻率大于第二材质的体积电阻率，以使在对晶圆沉积薄膜时第一盘体形成绝缘体。
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公开(公告)号：CN110544645A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201810522206.9
申请日：2018-05-28
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/50
摘要： 本发明公开了一种工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备。包括相连通的匀流主体管和插接管，其中，所述插接管的一端与所述匀流主体管连通，另一端用于与所述工艺腔室的进气口连通；所述匀流主体管呈环状结构，所述环状结构的周向上间隔设置有多个匀流出气口，以对经所述进气口进入所述匀流主体管内的工艺气体进行匀流。通过所设置的多个匀流出气口对工艺气体进行匀流后再扩散至工艺腔室内，从而可以使得工艺气体在工艺腔室内均匀分布，进而可以产生密度均匀的等离子体，提高所沉积膜层的厚度的均匀性，降低产品的制作成本。
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