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公开(公告)号：CN113699494B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111006316.8
申请日：2021-08-30
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供一种预处理腔室、半导体的预处理方法、加工设备及方法，其包括：腔体以及设置在腔体中的加热组件、承载组件和升降组件；其中，升降组件能够将待处理件移动至用于进行加热去气工艺的第一工艺位或者用于进行预清洗工艺的第二工艺位；预处理腔室还包括防干扰装置，防干扰装置设置于加热组件的用于与电源连接的一端，防干扰装置用以防止承载组件加载射频功率后干扰加热组件的电信号。本发明能够将去气设备和预清洗设备集成在同一个腔室且不会互相干扰，而且在进行预清洗工艺时，去气工艺设备能够持续对待处理件进行加热以维持待处理件温度的稳定，进而可以提高待处理件的预处理效果，以使后续待处理件上沉积的薄膜质量和产能均能得到提升。
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公开(公告)号：CN112760602B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202011469751.X
申请日：2020-12-14
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种金属氮化物薄膜沉积方法，应用于半导体设备的工艺腔室，包括以下步骤：S1、对衬底进行加热，以去除衬底上的杂质；S2、向工艺腔室中通入氮气，并开启偏压电源，激发氮气形成等离子体，以通过使等离子体轰击衬底的表面来去除残留的杂质，并与衬底表面上的金属原子反应形成金属氮化物缓冲层；S3、进行溅射工艺，以在金属氮化物缓冲层上沉积形成金属氮化物薄膜。本发明实施例提供的金属氮化物薄膜沉积方法，其不仅可以完全去除衬底的水汽和与衬底表面结合较紧固的杂质，而且还可以减少金属氮化物薄膜的应力，从而可以提高金属氮化物薄膜性能。
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公开(公告)号：CN113862622A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111123778.8
申请日：2021-09-24
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明公开了一种金属化合物薄膜的制备方法，包括：步骤1：将待沉积薄膜的晶圆放入反应腔室中基座上方的托盘上；步骤2：向反应腔室内通入惰性气体和工艺气体的混合气体，对反应腔室中的金属靶材施加脉冲直流功率，使该混合气体形成等离子体，该等离子体轰击金属靶材，以在晶圆上形成金属化合物薄膜；同时对基座施加射频偏压功率，以调整金属化合物薄膜的应力。本发明在步骤2中，对基座施加射频偏压功率，以在晶圆上形成金属化合物薄膜时调整金属化合物薄膜的应力。解决了薄膜受力弯曲，甚至脱落的问题，进而提升了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN112981334A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110161102.1
申请日：2021-02-05
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请公开了一种半导体加工设备及对半导体加工设备进行清理的工艺，所公开的半导体加工设备包括反应腔室、升降驱动装置、屏蔽件和靶材；升降驱动装置用于驱动反应腔室内承载晶片的托盘在第一位置与第二位置之间移动；屏蔽件设于反应腔室的侧壁；靶材设于反应腔室内，且靶材与托盘相对设置；在托盘位于第一位置的情况下，托盘与靶材之间的距离为第一距离，且屏蔽件的第一区域位于托盘背离靶材的一侧；在托盘位于第二位置的情况下，托盘与靶材之间的距离为第二距离，第一距离小于第二距离。上述方案能够解决半导体加工设备在生产过程中由于溅射电压过高而影响半导体加工设备的产能及其生产的产品的良率问题。
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公开(公告)号：CN112760602A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011469751.X
申请日：2020-12-14
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种金属氮化物薄膜沉积方法，应用于半导体设备的工艺腔室，包括以下步骤：S1、对衬底进行加热，以去除衬底上的杂质；S2、向工艺腔室中通入氮气，并开启偏压电源，激发氮气形成等离子体，以通过使等离子体轰击衬底的表面来去除残留的杂质，并与衬底表面上的金属原子反应形成金属氮化物缓冲层；S3、进行溅射工艺，以在金属氮化物缓冲层上沉积形成金属氮化物薄膜。本发明实施例提供的金属氮化物薄膜沉积方法，其不仅可以完全去除衬底的水汽和与衬底表面结合较紧固的杂质，而且还可以减少金属氮化物薄膜的应力，从而可以提高金属氮化物薄膜性能。
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公开(公告)号：CN111235537A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010047837.7
申请日：2020-01-16
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供一种薄膜制备方法，其包括：第一沉积步，向工艺腔室中通入工艺气体，并向靶材加载射频功率，以在衬底上沉积薄膜阻挡层，其中，第一沉积步包括至少两个阻挡层沉积时段，每一阻挡层沉积时段采用的射频功率均大于上一阻挡层沉积时段采用的射频功率；第二沉积步，继续向工艺腔室中通入所述工艺气体，并向靶材加载直流功率，以在薄膜阻挡层上沉积薄膜主体层，其中，第二沉积步包括至少两个主体层沉积时段，每一主体层沉积时段采用的直流功率均大于上一主体层沉积时段采用的直流功率。本发明提供的薄膜制备方法，其可以在减少对底部衬底材料或者阻挡层造成的损伤的基础上，提高产能。
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公开(公告)号：CN117845173A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202211212212.7
申请日：2022-09-30
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供一种工艺方法，包括：确定当前靶材对应的晶圆加工数量，根据晶圆加工数量确定当前晶圆与靶材之间的目标距离；根据目标距离调节晶圆与靶材之间的距离；对当前晶圆进行磁控溅射工艺，以在晶圆表面形成工艺膜层；其中，晶圆加工数量为靶材最近一次维护后累计进行工艺的晶圆数量；当晶圆加工数量不大于第一预设数量阈值时，目标距离为预设间距，当晶圆加工数量大于第一预设数量阈值时，目标距离小于预设间距。本发明提供的工艺方法能够对晶圆表面成膜的均匀性进行补偿，从而降低靶材的维护时间占总生产周期的比例，有效提高机台产能，提高靶材和半导体工艺设备的利用率。
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公开(公告)号：CN115679271A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110831205.4
申请日：2021-07-22
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室。该半导体工艺腔室包括：承载装置包括基座及环绕基座设置的沉积环；屏蔽组件包括一体成型的屏蔽套筒和压环部，屏蔽套筒的顶部与腔室本体固定连接，用于与腔室本体形成接地回路，压环部环绕沉积环设置，且用于与沉积环导电接触；连接套筒环绕屏蔽套筒设置，并且连接套筒的顶部与腔室本体固定连接，连接套筒与屏蔽套筒的底部导电连接，用于在屏蔽组件与腔室本体之间形成接地回路；接地组件设置于基座下方，当基座上升至沉积环与压环部导电接触时，接地组件用于与连接套筒形成接地回路。本申请实施例能避免甚高频工艺条件下各结构之间出现打火及起辉现象，从而大幅提高了工艺稳定性及降低颗粒污染问题。
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公开(公告)号：CN113699494A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111006316.8
申请日：2021-08-30
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供一种预处理腔室、半导体的预处理方法、加工设备及方法，其包括：腔体以及设置在腔体中的加热组件、承载组件和升降组件；其中，升降组件能够将待处理件移动至用于进行加热去气工艺的第一工艺位或者用于进行预清洗工艺的第二工艺位；预处理腔室还包括防干扰装置，防干扰装置设置于加热组件的用于与电源连接的一端，防干扰装置用以防止承载组件加载射频功率后干扰加热组件的电信号。本发明能够将去气设备和预清洗设备集成在同一个腔室且不会互相干扰，而且在进行预清洗工艺时，去气工艺设备能够持续对待处理件进行加热以维持待处理件温度的稳定，进而可以提高待处理件的预处理效果，以使后续待处理件上沉积的薄膜质量和产能均能得到提升。
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公开(公告)号：CN112349639A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011164872.3
申请日：2020-10-27
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/677
摘要： 本发明公开一种晶圆转载装置及半导体工艺设备，晶圆转载装置包括支架、驱动机构和托盘承载部；驱动机构的驱动端与托盘承载部连接；托盘承载部具有第一预设位置和第二预设位置；在托盘承载部处于第一预设位置的情况下，托盘承载部的承载面低于晶圆承载盒的托盘支架的承载面；在托盘承载部处于第二预设位置的情况下，托盘承载部的承载面高于托盘支架的承载面；当托盘承载部由第一预设位置向第二预设位置切换时，托盘承载部可托起托盘，托盘由托盘支架转载至托盘承载部上；当托盘承载部由第二预设位置向第一预设位置切换时，托盘承载部可将托盘转载至托盘支架上。上述方案能够解决托盘在转载的过程中容易烫伤操作人员的问题。
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