公开(公告)号：CN110914970B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN201880047348.2

申请日：2018-07-18

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 千珉镐 ,  金钟植 ,  黄喆周

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

摘要： 本发明涉及基板处理设备的气体分配设备、基板处理设备以及基板处理方法。该气体分配设备包括：第一气体分配模块，所述第一气体分配模块用于将处理气体分配到第一气体分配空间；以及第二气体分配模块，所述第二气体分配模块用于将处理气体分配到与所述第一气体分配空间不同的第二气体分配空间。

公开(公告)号：CN115867690A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202180041074.8

申请日：2021-05-17

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 孙淸 ,  卢载盛 ,  尹弘旻 ,  尹洪守 ,  张允柱 ,  曺知铉 ,  陈世焕 ,  黄喆周

IPC分类号： C23C16/44

摘要： 本发明为一种基板处理方法，在分成第一处理区域以及第二处理区域的处理空间中在由支撑单元支撑的基板上进行处理步骤，所述基板处理方法包含：将第一气体以及第一清除气体喷射在第一处理区域中的步骤；以及依序将第二清除气体以及第二气体喷射在第二处理区域中的步骤。

公开(公告)号：CN110914970A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201880047348.2

申请日：2018-07-18

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 千珉镐 ,  金钟植 ,  黄喆周

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

摘要： 本发明涉及基板处理设备的气体分配设备、基板处理设备以及基板处理方法。该气体分配设备包括：第一气体分配模块，所述第一气体分配模块用于将处理气体分配到第一气体分配空间；以及第二气体分配模块，所述第二气体分配模块用于将处理气体分配到与所述第一气体分配空间不同的第二气体分配空间。

公开(公告)号：CN100478745C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200510002295.7

申请日：2005-01-20

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 黄喆周 ,  李相道

IPC分类号： G02F1/133 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/4585 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/68778

摘要： 一种设备，其包括：一个用于处理一个基板的处理腔、一个在所述处理腔中的基座、一个在所述基座上方的支撑框架和连接到所述支撑框架的至少一条线。

公开(公告)号：CN1574206A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410046183.7

申请日：2004-06-02

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 黄喆周 ,  李相坤

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/68764 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68771

摘要： 一种用于半导体装置的设备，其包括：一个室；一个位于所述室内的感受器；多个位于所述感受器上的加热板块；通过所述感受器的起模针组合件；一个位于所述感受器上的基板保持器，基板保持器具有多个对应于与所述多个加热板块的通孔；和一个通过所述感受器与所述基板保持器组合的轴。

公开(公告)号：CN118872075A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380026965.5

申请日：2023-03-10

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 朴日兴 ,  曹胜铉 ,  吕润九 ,  吴元柱 ,  李东奂 ,  李俊锡 ,  许桢 ,  黄喆周

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/66

摘要： 提供了一种薄膜晶体管以及其制造方法，特别是一种改善的特性的薄膜晶体管以及其制造方法。根据示例性实施例的薄膜晶体管包括栅极、包含第一金属元素的氧化物并设置为与栅极在垂直方向上间隔开的有源层、在有源层上设置为彼此间隔开的源极和漏极以及设置在有源层与源极和漏极之间的接触层。

公开(公告)号：CN112912997B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN201980068515.6

申请日：2019-11-14

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 黄喆周

IPC分类号： H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  H01L21/687 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

摘要： 本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法，基板处理装置包括：腔室；基板支撑单元，基板支撑单元安装在腔室内部的处理空间中以使得一个或多个基板能够旋转；第一气体喷射单元，用于在处理空间的第一区域上喷射源气体；第二气体喷射单元，用于在处理空间的第二区域上喷射反应气体，反应气体在第二区域上与源气体发生反应；以及第三气体喷射单元，用于在第三区域上喷射净化气体，净化气体划分第一区域和第二区域。

公开(公告)号：CN117461124A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202280040524.6

申请日：2022-06-10

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 黄喆周

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66

摘要： 根据本发明实施例的主动层形成步骤包括如下步骤：制备包含第一区域及第二区域的碳化硅基板；将混合有一第一掺杂气体的源气体、清理气体、反应气体及清理气体依序地喷射至该碳化硅基板的该第一区域上以形成该第一主动层；以及将混合有一第二掺杂气体的源气体、清理气体、反应气体及清理气体依序地喷射至该碳化硅基板的该第二区域上以形成该第二主动层。因此，根据本发明的实施例，能在低温下形成主动层。因此，可避免基板或形成在基板上的薄膜因高温热而受损。此外，可节省用于加热基板以形成主动层所需的电力或时间，且整体的制程时间可被缩短。

公开(公告)号：CN117425964A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202280038418.4

申请日：2022-06-10

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 黄喆周

IPC分类号： H01L29/66

摘要： 本发明的实施例涉及一种制造功率半导体元件的方法，包含在碳化硅基板上形成活性层，其中主动层的形成包含在碳化硅基板上喷射源气体；在停止源气体的喷射后进行喷射清理气体的初始清理；在停止初始清理后喷射反应气体；以及在停止反应气体的喷射后进行喷射清理气体的二次清理。因此，根据本发明的实施例，可在低温下形成主动层。因此，可以防止基板或形成在基板上的薄膜被高温热加热损坏。此外，可以节省加热基板以形成主动层所需的功率或时间，并且可以缩短整体制程时间。

公开(公告)号：CN114467170A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202080066352.0

申请日：2020-08-06

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 河闰圭 ,  金起范 ,  金鍾植 ,  赵一衡 ,  黄喆周

IPC分类号： H01L21/67 ,  C23C16/455

摘要： 根据本公开的一个实施例的气体引入装置包括：设置在腔室上方的气体馈送块，所述气体馈送块包括多个气体通道，所述多个气体通道设置在所述气体馈送块中以向所述腔室供应气体；与所述气体馈送块的一个侧表面耦接的阀门组件，所述阀门组件包括用于选择地开启/关闭所述多个气体通道中的至少一个气体通道的多个阀门；以及气体引入管，所述气体引入管的一端耦接到所述阀门组件，另一端与所述腔室连通。在所述多个气体通道中的至少一个气体通道提供了缓冲空间，以使所述缓冲空间设置成与所述气体引入管相邻，由此累积气体。