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公开(公告)号：CN107851547B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201680043524.6
申请日：2016-05-12
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中所公开的实施方式包括用于消除半导体工艺中所产生的化合物的等离子体源、消除系统和真空处理系统。在一个实施方式中，等离子体源包括介电管和围绕所述管的线圈天线。线圈天线包括多个匝，且至少一个匝被短接。选择性地短接线圈天线的一个或多个匝帮助减少了线圈天线的电感，而允许向线圈天线供应覆盖更多处理容积的更高的功率。供应至线圈天线的更高功率和更大的处理容积带来了改良的DRE。
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公开(公告)号：CN106414800B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201580026860.5
申请日：2015-05-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/505 , H01L21/00
Abstract: 本申请提供一种用于处理在基板处理系统的管道中的气体的设备。在一些实施方式中，一种用于处理在基板处理系统的管道中的气体的设备包含：介电管，所述介电管被耦接至基板处理系统的管道以允许气体流动经过介电管，其中介电管具有圆锥形的侧壁；以及RF线圈，所述RF线圈被缠绕在介电管的圆锥形的侧壁的外表面的周围，RF线圈具有用以提供RF输入至RF线圈的第一端部，RF线圈的第一端部被设置在介电管的第一端部的附近，以及具有被设置在介电管的第二端部附近的第二端部。在一些实施方式中，RF线圈为中空的并包含冷却剂配件以将中空的RF线圈耦接至冷却剂供应器。
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公开(公告)号：CN107851547A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680043524.6
申请日：2016-05-12
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中所公开的实施方式包括用于消除半导体工艺中所产生的化合物的等离子体源、消除系统和真空处理系统。在一个实施方式中，等离子体源包括介电管和围绕所述管的线圈天线。线圈天线包括多个匝，且至少一个匝被短接。选择性地短接线圈天线的一个或多个匝帮助减少了线圈天线的电感，而允许向线圈天线供应覆盖更多处理容积的更高的功率。供应至线圈天线的更高功率和更大的处理容积带来了改良的DRE。
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公开(公告)号：CN106414800A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580026860.5
申请日：2015-05-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/505 , H01L21/00
Abstract: 本申请提供一种用于处理在基板处理系统的管道中的气体的设备。在一些实施方式中，一种用于处理在基板处理系统的管道中的气体的设备包含：介电管，所述介电管被耦接至基板处理系统的管道以允许气体流动经过介电管，其中介电管具有圆锥形的侧壁；以及RF线圈，所述RF线圈被缠绕在介电管的圆锥形的侧壁的外表面的周围，RF线圈具有用以提供RF输入至RF线圈的第一端部，RF线圈的第一端部被设置在介电管的第一端部的附近，以及具有被设置在介电管的第二端部附近的第二端部。在一些实施方式中，RF线圈为中空的并包含冷却剂配件以将中空的RF线圈耦接至冷却剂供应器。
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