公开(公告)号：CN102892922A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201080065504.1

申请日：2010-03-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 安纳马莱·拉克师马纳 ,  方俊 ,  唐建设 ,  达斯廷·W·霍 ,  福兰斯马尔·斯楚弥特 ,  艾伦·曹 ,  汤姆·周 ,  布赖恩·西-元·施赫 ,  哈里·K·波奈卡恩提 ,  克里斯·埃博斯帕希尔 ,  原铮

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L31/1824 ,  C23C16/24 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/5096 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供用于在形成太阳能电池期间沉积非晶和微晶硅膜的装置和方法。在一个实施例中，提供方法和装置以产生氢自由基并将氢自由基直接引导至处理室的处理区域中以与含硅前驱体反应而在衬底上进行膜沉积。在一个实施例中，氢自由基由远程等离子体源产生并被直接引导经过视线路径到达处理区域中，以使得氢自由基在到达处理区域之前的能量损失最小化。

公开(公告)号：CN1875452B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200480031666.8

申请日：2004-10-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  哈里·K·波奈卡恩提 ,  赵军 ,  海伦·R·阿默

IPC: H01J37/077

CPC classification number: H01J37/317 ,  H01J3/025 ,  H01J37/077

Abstract: 本发明的一个实施例是电子束处理设备，其包括：(a)室；(b)具有暴露到室的内部的相对较大面积表面的阴极(122)；(c)其中具有孔的阳极(126)，其暴露在室的内部并与阴极间隔工作距离；(d)布置在室内部面对阳极的晶片保持器(130)；(e)负电压源(129)，其输出施加到阴极以提供阴极电压；(f)电压源(131)，其输出施加到阳极；(g)适合于允许气体以气体引入速率进入室的气体入口(129)；和(h)适合于以排出速率从室排出气体的泵(135)，所述引入速率和所述排出速率在室中提供气体压力；其中阴极电压、气体压力和工作距离的值设置为使得阴极和阳极之间没有电弧并且工作距离大于电子平均自由路径。

公开(公告)号：CN1875452A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200480031666.8

申请日：2004-10-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  哈里·K·波奈卡恩提 ,  赵军 ,  海伦·R·阿默

IPC: H01J37/077

CPC classification number: H01J37/317 ,  H01J3/025 ,  H01J37/077

Abstract: 本发明的一个实施例是电子束处理设备，其包括：(a)室；(b)具有暴露到室的内部的相对较大面积表面的阴极(122)；(c)其中具有孔的阳极(126)，其暴露在室的内部并与阴极间隔工作距离；(d)布置在室内部面对阳极的晶片保持器(130)；(e)负电压源(129)，其输出施加到阴极以提供阴极电压；(f)电压源(131)，其输出施加到阳极；(g)适合于允许气体以气体引入速率进入室的气体入口(129)；和(h)适合于以排出速率从室排出气体的泵(135)，所述引入速率和所述排出速率在室中提供气体压力；其中阴极电压、气体压力和工作距离的值设置为使得阴极和阳极之间没有电弧并且工作距离大于电子平均自由路径。