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公开(公告)号：CN112936090A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011422501.0
申请日：2020-12-08
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 提供一种基板的研磨方法及研磨装置，其能够降低来自晶片等基板的反射光的光谱的波动的影响，决定正确的膜厚。研磨装置包括：将基板按压于进行旋转的研磨台上的研磨垫而对该基板的表面进行研磨，每当所述研磨台旋转一圈，生成来自所述基板的表面的反射光的光谱，编制由沿研磨时间排列的多个光谱构成的三维数据，根据所述三维数据决定所述基板的膜厚的工序。
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公开(公告)号：CN118857117A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410499815.2
申请日：2024-04-24
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 渡边夕贵
IPC: G01B11/06 , G06F18/23 , G06F18/214 , G06N3/0455 , B24B49/12
Abstract: 提供一种能够检测非检测对象的错误的工件(例如晶片)的方法及光学性膜厚测定装置。在本方法中，在工件(W)的研磨前或研磨开始后制作来自工件(W)的反射光的检查用光谱数据，将检查用光谱数据输入自动编码器，计算从自动编码器输出的输出数据与检查用光谱数据的差，当差比阈值大时，判定为检查用光谱数据的制作中使用的工件是非研磨对象的错误的工件。
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公开(公告)号：CN112223104A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202010586262.6
申请日：2020-06-24
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 渡边夕贵
Abstract: 提供一种能够在短时间内且自动地确定构成光学式膜厚测定装置的工作方案的最佳方案参数的方法、装置及系统。本方法将多个参数集保存在存储装置内，该多个参数集分别包含构成工作方案的多个方案参数，使用多个参数集和存储在数据服务器内的来自被研磨的基板的反射光的参照光谱的数据来执行伴随着研磨时间的经过的膜厚变化的模拟，将评价膜厚变化的方式的至少一个指标值输入评价计算式，计算对于多个参数集的多个综合评价值，基于多个综合评价值从多个参数集中选择最佳的一个参数集。
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公开(公告)号：CN118809424A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410476091.X
申请日：2024-04-19
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明为膜厚测定装置、膜厚测定方法及基板研磨装置，膜厚测定装置具备：保持作为研磨对象的基板且能够使基板移动的头部件；由透明材料构成的载物台；向载物台上供给液体的液体供给部；将载物台上的液体向外部排出的液体排出部；隔着载物台配置于所述头部件的相反侧，对于隔着载物台配置的基板的表面进行光学性膜厚测定的计侧部；以及使载物台和头部件中的至少一方以接近另一方的方式移动，并且在基板的表面被液体浸湿的状态下对所述基板进行光照射而进行膜厚测定的控制部。
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公开(公告)号：CN118254094A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311793004.5
申请日：2023-12-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B41/00 , B24B49/16
Abstract: 提供一种能够提高与膜厚测定值相对应的位置坐标的精度的研磨装置。研磨装置具备：测定研磨垫(1)的厚度的垫厚度测定装置；对于基板倾斜地照射光，决定测定点的膜厚测定值的光学式膜厚测定装置(30)；以及将表示测定点的位置的测定坐标与膜厚测定值相对应的控制装置(50)，基于表示研磨垫的厚度与测定坐标的移动量的关系的相关数据，决定与研磨垫(1)的厚度的测定值相对应的测定坐标的移动量，基于所决定的测定坐标的移动量来修正与膜厚测定值相对应的测定坐标。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109382755B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201810898811.6
申请日：2018-08-08
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/013 , B24B37/30 , B24B37/34
Abstract: 本发明的基板研磨装置及方法适当地控制按压基板的薄膜的压力，并且适当地检测基板研磨的终点。基板研磨装置具备：顶环，该顶环用于将基板按压于研磨垫；按压机构，该按压机构对基板的多个区域彼此独立地进行按压；光谱生成部，该光谱生成部向基板的被研磨面照射光并接收来自被研磨面的反射光，并且算出对于该反射光的波长的反射率光谱；轮廓信号生成部，向该轮廓信号生成部输入基板上的多个测定点处的反射率光谱，生成基板的研磨轮廓；压力控制部，该压力控制部基于研磨轮廓，控制按压机构对于基板的多个区域的按压力；以及终点检测部，该终点检测部不基于研磨轮廓来检测基板研磨的终点。
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公开(公告)号：CN113927374A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110717711.0
申请日：2021-06-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 提供一种能够以高的精度来测定在表面具有各种构造要素的半导体晶片等基板的膜厚的研磨方法、研磨装置及计算机可读取的记录介质。研磨方法生成来自基板(W)上的多个测定点的反射光的多个光谱，基于各光谱的形状将多个光谱分类为属于第一群的多个一次光谱和属于第二群的二次光谱，并且通过多个一次光谱来确定基板(W)的多个膜厚，使用一次光谱或者多个膜厚来确定与二次光谱对应的检测点处的膜厚。
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公开(公告)号：CN112936090B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202011422501.0
申请日：2020-12-08
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B49/12 , B24B37/005 , B24B57/02 , H01L21/66 , G06F18/23 , G06N3/0499 , G06N3/088 , G06V10/762
Abstract: 提供一种基板的研磨方法及研磨装置，其能够降低来自晶片等基板的反射光的光谱的波动的影响，决定正确的膜厚。研磨装置包括：将基板按压于进行旋转的研磨台上的研磨垫而对该基板的表面进行研磨，每当所述研磨台旋转一圈，生成来自所述基板的表面的反射光的光谱，编制由沿研磨时间排列的多个光谱构成的三维数据，根据所述三维数据决定所述基板的膜厚的工序。
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公开(公告)号：CN112223104B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202010586262.6
申请日：2020-06-24
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 渡边夕贵
Abstract: 提供一种能够在短时间内且自动地确定构成光学式膜厚测定装置的工作方案的最佳方案参数的方法、装置及系统。本方法将多个参数集保存在存储装置内，该多个参数集分别包含构成工作方案的多个方案参数，使用多个参数集和存储在数据服务器内的来自被研磨的基板的反射光的参照光谱的数据来执行伴随着研磨时间的经过的膜厚变化的模拟，将评价膜厚变化的方式的至少一个指标值输入评价计算式，计算对于多个参数集的多个综合评价值，基于多个综合评价值从多个参数集中选择最佳的一个参数集。
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公开(公告)号：CN109702560B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201811234579.2
申请日：2018-10-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B1/00 , B24B37/005 , B24B37/04 , B24B37/34
Abstract: 本发明提供一种能够获取膜厚的测定点的实际位置，并且能够将最佳的研磨压力施加到晶片等基板的研磨装置和研磨方法。在基板(W)的研磨过程中，基板检测传感器(8)以及膜厚传感器(7)一边横穿基板(W)的表面，一边基板检测传感器(8)以预先设定的周期生成基板检测信号，且膜厚传感器(7)在规定的测定点生成膜厚信号，根据基板检测信号的数量，计算出基板(W)的中心相对于研磨头(1)的中心的偏心角，并且基于偏心角修正规定的测定点的位置，基于规定的测定点的修正后的位置和膜厚信号，对研磨头(1)按压基板(W)的研磨压力进行控制。
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