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公开(公告)号：CN108822737B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201810818481.5
申请日：2013-07-09
Applicant: 嘉柏微电子材料股份公司
Inventor： W.沃德
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及用于氮化硅材料的选择性抛光的组合物及方法。本发明提供一种酸性含水抛光组合物，其适用于在化学机械抛光(CMP)过程中抛光含有氮化硅的基材。该组合物在使用点处优选包含0.01至2重量％的至少一种粒状二氧化铈研磨剂、10至1000ppm的至少一种非聚合物型的不饱和氮杂环化合物、0至1000ppm的至少一种阳离子型聚合物、任选地0至2000ppm的至少一种聚氧化烯聚合物、以及为此的含水载体。该阳离子型聚合物优选选自聚(乙烯基吡啶)聚合物、经季铵取代的丙烯酸酯聚合物、经季铵取代的甲基丙烯酸酯聚合物、或其组合。还提供了使用该组合物的抛光基材的方法以及从基材优先于多晶硅的移除而选择性地移除氮化硅的方法。
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公开(公告)号：CN110238705A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910475260.7
申请日：2014-07-21
Applicant: 嘉柏微电子材料股份公司
IPC: B24B1/00 , C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/3105 , H01L21/321
Abstract: 本发明提供用于氧化硅、氮化硅、和多晶硅材料的化学机械抛光的组合物和方法。该方法用于抛光包括二氧化硅、氮化硅、和多晶硅的基材。该方法包括用CMP组合物研磨该基材的表面以从其移除至少一些二氧化硅、氮化硅、和多晶硅。该CMP组合物包括悬浮在具有3至9.5的pH且含有阳离子聚合物的含水载体中的粒状二氧化铈研磨剂；其中该阳离子聚合物由甲基丙烯酰氧烷基季铵聚合物组成。
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公开(公告)号：CN106103639B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201580013519.6
申请日：2015-03-09
Applicant: 嘉柏微电子材料股份公司
IPC: C09K3/14
Abstract: 用于抛光具有钨层的基板的化学机械抛光组合物，其包括基于水的液体载剂、分散于该液体载剂中且具有至少6mV永久性正电荷的胶态二氧化硅研磨剂、以及在该液体载剂中呈溶液形式的多阳离子型胺化合物。用于化学机械抛光包括钨层的基板的方法，其包括：使该基板与上述抛光组合物接触，相对于该基板移动该抛光组合物，及研磨该基板以自该基板移除该钨的一部分并由此抛光该基板。
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公开(公告)号：CN102292190A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200980155146.0
申请日：2009-12-04
Applicant: 嘉柏微电子材料股份公司
IPC: B24B1/00
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供用于从基材表面优先于二氧化硅选择性地移除碳化硅的方法。该方法包括用抛光组合物研磨基材的表面，该抛光组合物包含粒状研磨剂、至少一种酸性缓冲剂、和含水载体。
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公开(公告)号：CN111710601A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010632566.1
申请日：2015-02-06
Applicant: 嘉柏微电子材料股份公司
IPC: H01L21/3105 , H01L21/321 , C09G1/02 , C09K3/14
Abstract: 本发明涉及用于抑制氮化钛及钛/氮化钛移除的化学机械抛光方法。具体地说，本发明描述一种用于移除沉积在氮化钛(TiN)或钛/氮化钛(Ti/TiN)阻挡层上的金属层的化学机械抛光(CMP)方法。该方法包括用酸性CMP组合物磨除该金属层以暴露出下面的TiN或Ti/TiN层，其中，由于表面活性剂抑制剂的存在而以低速率抛光该TiN或Ti/TiN层。该酸性CMP组合物包含悬浮于含有选自阴离子型表面活性剂、非离子型表面活性剂、阳离子型表面活性剂及其组合的表面活性剂的液体载剂中的粒状研磨剂(例如二氧化硅、氧化铝)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106104763B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201580013515.8
申请日：2015-03-09
Applicant: 嘉柏微电子材料股份公司
IPC: H01L21/304
Abstract: 用于抛光具有钨层的基板的化学机械抛光组合物，其包括基于水的液体载剂、分散于该液体载剂中且具有至少6mV永久性正电荷的胶态二氧化硅研磨剂、在该液体载剂中呈溶液形式的含胺的聚合物、以及含铁的促进剂。用于化学机械抛光包括钨层的基板的方法，其包括：使该基板与上述抛光组合物接触，相对于该基板移动该抛光组合物，及研磨该基板以自该基板移除该钨的一部分并由此抛光该基板。
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公开(公告)号：CN106415796B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201580027199.X
申请日：2015-03-20
Applicant: 嘉柏微电子材料股份公司
IPC: H01L21/304
Abstract: 用于抛光具有钨层的基板的化学机械抛光组合物，其包括：水基液体载剂；分散于该液体载剂中的第一与第二胶体二氧化硅研磨剂；以及含铁的促进剂。该第一胶体二氧化硅研磨剂与该第二胶体二氧化硅研磨剂各自具有至少10mV的永久性正电荷。该第二二氧化硅研磨剂的平均粒径比该第一二氧化硅研磨剂的平均粒径大至少20纳米。进一步公开了化学机械抛光包括钨层的基板的方法。该方法可包括：使该基板与上述抛光组合物接触，相对于该基板移动该抛光组合物，以及研磨该基板以从该基板移除一部分所述钨并从而抛光该基板。
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公开(公告)号：CN106104763A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580013515.8
申请日：2015-03-09
Applicant: 嘉柏微电子材料股份公司
IPC: H01L21/304
Abstract: 用于抛光具有钨层的基板的化学机械抛光组合物，其包括基于水的液体载剂、分散于该液体载剂中且具有至少6mV永久性正电荷的胶态二氧化硅研磨剂、在该液体载剂中呈溶液形式的含胺的聚合物、以及含铁的促进剂。用于化学机械抛光包括钨层的基板的方法，其包括：使该基板与上述抛光组合物接触，相对于该基板移动该抛光组合物，及研磨该基板以自该基板移除该钨的一部分并由此抛光该基板。
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公开(公告)号：CN102257092B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN200980151100.1
申请日：2009-12-17
Applicant: 嘉柏微电子材料股份公司
IPC: H01L21/304 , C09K3/14
CPC classification number: B28D5/007 , B28D1/08 , C09K3/1463 , C10M125/08 , C10M173/02 , C10M2201/061 , C10M2201/10 , C10M2209/04 , C10M2209/12 , C10M2217/028 , C10N2240/401 , Y02P70/179
Abstract: 本发明的线锯切割流体组合物包含25至75重量％的颗粒研磨剂，该颗粒研磨剂悬浮于含有聚合物粘度调节剂的含水载体中，该聚合物粘度调节剂包括包含大部分的非离子型单体单元(优选包含100摩尔％的非离子型单体单元)的聚合物，具有至少5kDa的数均分子量(Mn)，且以足以为该组合物提供在25℃下在60rpm的心轴旋转速度下在50至1000cP范围内例如50至700cp的布氏粘度的浓度存在于该组合物中。在一个实施方式中，该粘度调节剂包括具有至少200kDa的重均分子量(Mw)的聚合物。当利用200kDa或更大Mw的粘度调节剂时，优选的线锯切割方法为通过在不大于104s-1的相对低的剪切速率下运行的泵和喷嘴循环和施加该切割流体。
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公开(公告)号：CN106103639A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580013519.6
申请日：2015-03-09
Applicant: 嘉柏微电子材料股份公司
IPC: C09K3/14
Abstract: 用于抛光具有钨层的基板的化学机械抛光组合物，其包括基于水的液体载剂、分散于该液体载剂中且具有至少6mV永久性正电荷的胶态二氧化硅研磨剂、以及在该液体载剂中呈溶液形式的多阳离子型胺化合物。用于化学机械抛光包括钨层的基板的方法，其包括：使该基板与上述抛光组合物接触，相对于该基板移动该抛光组合物，及研磨该基板以自该基板移除该钨的一部分并由此抛光该基板。
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