公开(公告)号：CN106415796B

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201580027199.X

申请日：2015-03-20

Applicant: 嘉柏微电子材料股份公司

Inventor： W.沃德 ,  G.怀特纳 ,  S.格拉姆宾 ,  J.戴萨德

IPC: H01L21/304

Abstract: 用于抛光具有钨层的基板的化学机械抛光组合物，其包括：水基液体载剂；分散于该液体载剂中的第一与第二胶体二氧化硅研磨剂；以及含铁的促进剂。该第一胶体二氧化硅研磨剂与该第二胶体二氧化硅研磨剂各自具有至少10mV的永久性正电荷。该第二二氧化硅研磨剂的平均粒径比该第一二氧化硅研磨剂的平均粒径大至少20纳米。进一步公开了化学机械抛光包括钨层的基板的方法。该方法可包括：使该基板与上述抛光组合物接触，相对于该基板移动该抛光组合物，以及研磨该基板以从该基板移除一部分所述钨并从而抛光该基板。

公开(公告)号：CN106414650B

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201580027200.9

申请日：2015-03-20

Applicant: 嘉柏微电子材料股份公司

Inventor： S.格拉姆宾 ,  J.戴萨德

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 化学机械抛光组合物，其包含水基液体载剂及分散于该液体载剂中的第一和第二二氧化硅研磨剂。该第一二氧化硅研磨剂为具有至少10mV永久性正电荷的胶体二氧化硅研磨剂。该第二二氧化硅研磨剂具有中性电荷或非永久性正电荷。化学机械抛光包括钨层的基板的方法，包括使该基板与上述抛光组合物接触，相对于该基板移动该抛光组合物，及研磨该基板以从该基板移除一部分所述钨并从而抛光该基板。

公开(公告)号：CN106415796A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580027199.X

申请日：2015-03-20

Applicant: 嘉柏微电子材料股份公司

Inventor： W.沃德 ,  G.怀特纳 ,  S.格拉姆宾 ,  J.戴萨德

IPC: H01L21/304

Abstract: 用于抛光具有钨层的基板的化学机械抛光组合物，其包括：水基液体载剂；分散于该液体载剂中的第一与第二胶体二氧化硅研磨剂；以及含铁的促进剂。该第一胶体二氧化硅研磨剂与该第二胶体二氧化硅研磨剂各自具有至少10mV的永久性正电荷。该第二二氧化硅研磨剂的平均粒径比该第一二氧化硅研磨剂的平均粒径大至少20纳米。进一步公开了化学机械抛光包括钨层的基板的方法。该方法可包括：使该基板与上述抛光组合物接触，相对于该基板移动该抛光组合物，以及研磨该基板以从该基板移除一部分所述钨并从而抛光该基板。

公开(公告)号：CN106414650A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580027200.9

申请日：2015-03-20

Applicant: 嘉柏微电子材料股份公司

Inventor： S.格拉姆宾 ,  J.戴萨德

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212

Abstract: 化学机械抛光组合物，其包含水基液体载剂及分散于该液体载剂中的第一和第二二氧化硅研磨剂。该第一二氧化硅研磨剂为具有至少10mV永久性正电荷的胶体二氧化硅研磨剂。该第二二氧化硅研磨剂具有中性电荷或非永久性正电荷。化学机械抛光包括钨层的基板的方法，包括使该基板与上述抛光组合物接触，相对于该基板移动该抛光组合物，及研磨该基板以从该基板移除一部分所述钨并从而抛光该基板。