公开(公告)号：CN105393337A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201480039178.5

申请日：2014-07-21

Applicant: 嘉柏微电子材料股份公司

Inventor： D.丹加 ,  K.莫根博格 ,  W.沃德 ,  D.马特加

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供用于抛光包括二氧化硅、氮化硅、和多晶硅的基材的化学机械抛光方法。该方法包括用CMP组合物研磨该基材的表面以从其移除至少一些二氧化硅、氮化硅、和多晶硅。该CMP组合物包括悬浮在具有3至9.5的pH且含有阳离子聚合物的含水载体中的粒状二氧化铈研磨剂；其中该阳离子聚合物由甲基丙烯酰氧烷基季铵聚合物组成。

公开(公告)号：CN110238705A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910475260.7

申请日：2014-07-21

Applicant: 嘉柏微电子材料股份公司

Inventor： D.丹加 ,  K.莫根博格 ,  W.沃德 ,  D.马特加

IPC: B24B1/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明提供用于氧化硅、氮化硅、和多晶硅材料的化学机械抛光的组合物和方法。该方法用于抛光包括二氧化硅、氮化硅、和多晶硅的基材。该方法包括用CMP组合物研磨该基材的表面以从其移除至少一些二氧化硅、氮化硅、和多晶硅。该CMP组合物包括悬浮在具有3至9.5的pH且含有阳离子聚合物的含水载体中的粒状二氧化铈研磨剂；其中该阳离子聚合物由甲基丙烯酰氧烷基季铵聚合物组成。