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公开(公告)号：CN106272030B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201610901100.0
申请日：2006-08-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B37/013 , B24B37/20 , B24B37/34 , G06F19/00
Abstract: 本申请公开了基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法。本发明是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备与方法，包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱，因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时，即是达到目标厚度。该研磨终点可利用一差异图形或一系列指针值来判定。该冲洗系统在该光学头上表面产生层流。该真空喷孔和真空来源是经配置以使该气流为层流型态。该窗口包含一软质塑料部分及一结晶或玻璃类部分。光谱基底研磨速率调整包含取得基材上不同区域的光谱。
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公开(公告)号：CN102884613A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180022552.7
申请日：2011-04-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/66
CPC classification number: B24B37/042 , B24B37/005 , B24B49/12 , H01L22/12 , H01L22/26
Abstract: 一种控制研磨的方法包括以下步骤：研磨基板；以及接收选定光谱特征的识别、具有宽度的波长范围，及该选定光谱特征的特性以在研磨期间进行监视。在研磨该基板的同时测量来自该基板的光的一系列光谱。根据该系列光谱产生该选定光谱特征的该特性的一系列值。对于来自该系列光谱的至少一些光谱而言，基于该光谱特征在用于该系列光谱中的先前光谱的先前波长范围内的位置，产生修改波长范围，在该修改波长范围中搜寻该选定光谱特征，且确定该选定光谱特征的特性的值。
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公开(公告)号：CN102626895A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210109226.6
申请日：2006-08-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B37/013 , B24B37/20
Abstract: 本发明是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备与方法，包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱，因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时，即是达到目标厚度。该研磨终点可利用一差异图形或一系列指针值来判定。该冲洗系统在该光学头上表面产生层流。该真空喷孔和真空来源是经配置以使该气流为层流型态。该窗口包含一软质塑料部分及一结晶或玻璃类部分。光谱基底研磨速率调整包含取得基材上不同区域的光谱。
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公开(公告)号：CN106272030A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610901100.0
申请日：2006-08-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B37/013 , B24B37/20 , B24B37/34 , G06F19/00
CPC classification number: B24B49/12 , B24B37/013 , B24B37/205 , B24B49/08 , B24D7/14 , G05B15/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212 , H01L22/26 , B24B37/345 , G06F19/00
Abstract: 本申请公开了基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法。本发明是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备与方法，包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱，因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时，即是达到目标厚度。该研磨终点可利用一差异图形或一系列指针值来判定。该冲洗系统在该光学头上表面产生层流。该真空喷孔和真空来源是经配置以使该气流为层流型态。该窗口包含一软质塑料部分及一结晶或玻璃类部分。光谱基底研磨速率调整包含取得基材上不同区域的光谱。
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公开(公告)号：CN103155110A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180047978.8
申请日：2011-08-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/66
CPC classification number: B24B37/013 , B24B37/042 , B24B37/107 , B24B37/205 , B24B49/045 , B24B49/12
Abstract: 控制抛光的方法包括存储具有多个参考光谱的图库、抛光基板、在抛光期间测量来自基板的光的序列光谱、利用除平方差总和之外的匹配技术为所述序列光谱中的每一个测量光谱寻找最佳匹配参考光谱以产生序列最佳匹配参考光谱、以及根据所述序列最佳匹配参考光谱确定抛光终点或对抛光速率的调节的至少之一。寻找最佳匹配参考光谱可包括对测量光谱与来自图库的多个参考光谱中的两个或更多个参考光谱的每一个参考光谱进行交叉相关，以及选择与测量光谱有最大相关性的参考光谱作为最佳匹配参考光谱。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109500726A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811613591.4
申请日：2006-08-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B37/013 , B24B37/20 , B24B37/34
Abstract: 本发明是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备与方法，包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱，因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时，即是达到目标厚度。该研磨终点可利用一差异图形或一系列指针值来判定。该冲洗系统在该光学头上表面产生层流。该真空喷孔和真空来源是经配置以使该气流为层流型态。该窗口包含一软质塑料部分及一结晶或玻璃类部分。光谱基底研磨速率调整包含取得基材上不同区域的光谱。
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公开(公告)号：CN104813449A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380060373.1
申请日：2013-11-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B37/005 , B24B37/013 , B24B37/04 , B24B37/345
Abstract: 本发明提供一种研磨设备，该研磨设备包括：在平台上得以支撑的数个站，该等数个站包括至少两个研磨站及一传送站，每一研磨站包括一平台以支撑研磨垫；数个承载头，该等承载头自轨道悬置及可沿轨道移动，使得每一研磨站可选择性地定位在该等站处；及控制器，该控制器经配置以控制承载头沿轨道的运动，使得在每一研磨站处的研磨期间仅有单个承载头定位在研磨站中。
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公开(公告)号：CN101391397B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200810175050.8
申请日：2006-08-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B37/04 , B24B49/12 , H01L21/304 , B24B55/00 , B08B5/02
CPC classification number: H01L22/26 , B24B37/013 , B24B37/205 , B24B49/08 , B24B49/12 , B24D7/14 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/31055 , H01L21/3212 , H01L21/67075 , H01L21/67092 , H01L21/67253
Abstract: 本发明是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备，包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱，因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时，即是达到目标厚度。该研磨终点可利用一差异图形或一系列指针值来判定。该冲洗系统在该光学头上表面产生层流。该真空喷头和真空源是经配置以使该气流为层流型态。该窗口包含一软质塑料部分及一结晶或玻璃类部分。光谱基底研磨速率调整包含取得基材上不同区域的光谱。
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公开(公告)号：CN104813449B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201380060373.1
申请日：2013-11-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B37/005 , B24B37/013 , B24B37/04 , B24B37/345
Abstract: 本发明提供一种研磨设备，该研磨设备包括：在平台上得以支撑的数个站，该等数个站包括至少两个研磨站及一传送站，每一研磨站包括一平台以支撑研磨垫；数个承载头，该等承载头自轨道悬置及可沿轨道移动，使得每一研磨站可选择性地定位在该等站处；及控制器，该控制器经配置以控制承载头沿轨道的运动，使得在每一研磨站处的研磨期间仅有单个承载头定位在研磨站中。
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公开(公告)号：CN104526536B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201410667878.0
申请日：2006-08-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B37/013 , B24B37/20 , B24B37/34
Abstract: 本发明是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备与方法，包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱，因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时，即是达到目标厚度。该研磨终点可利用一差异图形或一系列指针值来判定。该冲洗系统在该光学头上表面产生层流。该真空喷孔和真空来源是经配置以使该气流为层流型态。该窗口包含一软质塑料部分及一结晶或玻璃类部分。光谱基底研磨速率调整包含取得基材上不同区域的光谱。
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