公开(公告)号：CN110875250A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910599513.1

申请日：2019-07-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世强 ,  李俊鸿 ,  陈嘉仁 ,  林泓纬 ,  毛隆凯

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及半导体工艺的方法及半导体结构。一般地，本公开提供了与调整电介质材料的刻蚀速率有关的示例。在实施例中，在衬底中的第一和第二沟槽中共形地沉积第一电介质材料。第一沟槽中的第一电介质材料的合并横向生长前沿在第一沟槽中形成接缝。处理电介质材料。处理使得物质分别在第一和第二沟槽中的电介质材料的第一和第二上表面上、在接缝中，并扩散到第一和第二沟槽中的相应电介质材料中。在处理之后，刻蚀相应的电介质材料。在刻蚀期间，第二沟槽中的电介质材料的刻蚀速率与第一沟槽中的电介质材料的刻蚀速率的比率通过电介质材料中的物质的存在而被改变。

公开(公告)号：CN110875250B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN201910599513.1

申请日：2019-07-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世强 ,  李俊鸿 ,  陈嘉仁 ,  林泓纬 ,  毛隆凯

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及半导体工艺的方法及半导体结构。一般地，本公开提供了与调整电介质材料的刻蚀速率有关的示例。在实施例中，在衬底中的第一和第二沟槽中共形地沉积第一电介质材料。第一沟槽中的第一电介质材料的合并横向生长前沿在第一沟槽中形成接缝。处理电介质材料。处理使得物质分别在第一和第二沟槽中的电介质材料的第一和第二上表面上、在接缝中，并扩散到第一和第二沟槽中的相应电介质材料中。在处理之后，刻蚀相应的电介质材料。在刻蚀期间，第二沟槽中的电介质材料的刻蚀速率与第一沟槽中的电介质材料的刻蚀速率的比率通过电介质材料中的物质的存在而被改变。