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公开(公告)号：CN112309868A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010317194.3
申请日：2020-04-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体装置形成方法，包括在基底上形成鳍片，在基底上形成绝缘材料，凹蚀绝缘材料以形成环绕鳍片的隔离区，其中鳍片的上部于隔离区的上方突出，执行修整工艺以减少鳍片的上部的宽度，以及形成延伸至隔离区上方与鳍片的上部的上方的栅极结构。
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